模电知识-MOS管

MOS管

MOS管属于单极性，参与导电的载流子只有一种(空穴或电子)。

背景知识

P型半导体是指在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，导致三价元素铟或铝与四价的纯硅的核外电子层结合时，缺少一个电子形成正价空穴。即P型单导体多数载流子为空穴，少量载流子为电子。

n型半导体是指在纯硅中掺入微量5价元素砷、磷、锑，导致五价元素砷、磷、锑与四价的纯硅的核外电子层结合时，形成一个8价稳定电子层和多出一个电子形成负价(Negative)电子。即n型单导体多数载流子为电子，少量载流子为空穴。

mos管是个开关，栅极（G，grid）是控制端，它控制着源极（S，Source）和漏极（D，drain）之间是否能导通，即是否可以通过电流。

源极和漏极导通电流的意思是，给他们两加一个电压源，可以形成电流，从漏流到源也行，从源流到漏也行，这个电流是空穴移动产生的也行，是电子移动产生的也行。

PN结：P型半导体和N型半导体相互紧密结合后，由于正负电荷(正电荷空穴，负电荷电子)相互吸引，PN型半导体的之间部分形成稳定的电子层，而非靠近PN结部分，形成内部电场(P型半导体为正极，N型半导体为负极)。

PN二极管由于PN结特性正向（从P到N接正电压）导通，反向（从N到P接正电压）不导通。

沟道：由于G栅极施加电压，吸引P型衬底的电子到G栅极，吸引过来的电子为S源极和D漏极搭起来桥梁，称之为沟道。

MOS管结构图

PMOS管

早期出现PMOS。
PMOS是P型沟道，N型衬底接最高电位。

NMOS管

是比较常用的MOS管。
NMOS是N型沟道，P型衬底，衬底接最低电位，
导通工作条件：Vgs > Vth 和 Vds > Vgs - Vth.

参考连接

一文彻底弄清MOS管 （NMOS为例）:https://zhuanlan.zhihu.com/p/368263926