电子线路（线性部分）——第一章 晶体二极管

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1.1 半导体物理知识

常见半导体材料	Ⅳ族单质半导体	Ⅲ-Ⅴ族化合物	Ⅱ-Ⅵ族化合物
例如	Ge , Si	GaAs , GaN	ZnO , ZnS
应用	IC 集成电路	微波	光学

1.1.1 本征半导体

本征半导体： 只有一种元素组成的单晶的，纯净、无杂质的半导体， 主要常见代表有硅、锗两种元素的单晶体结构。
本征半导体的激发：某些共价键中的价电子从外界获得足够的能量，从而挣脱共价键的束缚，离开原子而成为自由电子，同时，在共价键中留下了相同数量的空穴。
本征半导体的复合：电子运动过程中，有一定机遇遇到空穴并填补空穴，并释放能量。
热平衡：在本征半导体中，激发和复合总是同时进行，而当二者在某一温度下达到动态平衡，也就是宏观上看激发形成的自由电子和空穴数量相等，即$n_i=p_i$ （自由电子浓度=空穴浓度），有公式$$n_i=A{T}^{\frac{3}{2}}{e}^{-\frac{E{g}_0}{2kT}}$$
其中，A是常数，k是玻尔兹曼常数$(8.63\times 10^{-5}eV/K),E{g}_0$是T=0K时的禁带宽度。

符号	硅	锗
A	$3.88\times 10^{16}$	$1.76\times 10^{16}$
$E{g}_0$	$1.21eV$	$0.785eV$

1.1.2 杂质半导体

一、N型半导体

“N”，在英文中是negative的首字母，negative在英文中是消极的，负面的，物理学中的解释是“负的”，所以顾名思义，N型号半导体的多子是电子。

形成机理	掺杂五价元素，五价元素外层有五个电子，其中四个电子与周围硅/锗形成共价键，余下一个只需很少能量就挣脱原子束缚，变成自由电子，所以N型半导体的自由电子浓度大大增加，同时与空穴复合的几率也增大，空穴的浓度同时也更小了。
掺杂元素	五价元素 （如砷、磷、锑）——施主杂质
多子	电子
少子	空穴
施主杂质电离	提供自由电子，自身变成不可移动的正电中心

二、P型半导体

“P”，在英文中是positive的首字母，positive在英文中是积极的，正面的，物理学中的解释是“正的”，所以顾名思义，P型号半导体的多子是空穴。

形成机理	掺杂三价元素，当它顶替硅原子的时候，三价原子与周围硅原子形成三个共价键，就必然缺少一个价电子，因而形成一个空穴
掺杂元素	三价元素（硼、铟、镓等）——受主杂质
多子	空穴
少子	电子
受主杂质电离	提供空穴，自身变成不可移动的负电中心

空穴是半导体区别于导体的载流子

三、杂质半导体的热平衡

1. (万能公式)两种载流子的热平衡浓度值的相乘积恒等于本征载流子浓度值$n_i$的平方，即：$$n_0{p}_0=n_i^2$$
2. （电中性条件）
   其中$n_0$和$p_0$分别是自由电子和空穴的热平衡浓度值
   $N_d$是施主杂质浓度，$N_a$是受主杂质浓度
   N型半导体：$$n_0=p_0+N_d$$ 而$$N_d>>p_0$$ 故$$n_0\approx N_d$$
   P型半导体：$$n_0+N_a=p_0$$ 而$$N_a>>n_0$$ 故$$p_0\approx N_a$$
   在一定温度范围内多子浓度一般取决于掺杂浓度，少子取决于温度，当温度升高到一定程度后，掺杂半导体会回复为本征半导体

1.1.3 两种导电机理——漂移和扩散

漂移与漂移电流

漂移：载流子在外加电场作用下运动
漂移电流：载流子在外加电场下运动产生的电流

空穴漂移电流密度：$J_{pt}=qp{\mu }_{p}E$
电子漂移电流密度：$J_{nt}=qn{\mu }_{n}E$
总漂移电流密度：$J=J_{nt}+J_{pt}$

符号	物理含义	取值
q	电子电荷量	$1.6\times 10^{-19}C$
p	空穴浓度
n	自由电子浓度
${\mu }_p$	空穴迁移率	（室温下） 硅：${\mu }_p=600c{m}^2/V\cdot s$ 锗：${\mu }_p=1900c{m}^2/V\cdot s$
${\mu }_n$	自由电子迁移率	（室温下） 硅：${\mu }_n=1500c{m}^2/V\cdot s$ 锗：${\mu }_n=3900c{m}^2/V\cdot s$

温度越高，掺杂浓度越大，迁移率就越小
空穴的迁移率比自由电子小
硅材料中的载流子比锗的小

求杂质半导体的电导率
电流$I=JS$
电压$U=E\cdot l$
电阻$R=\frac{U}{I}$
电阻率$\rho =\frac{RS}{l}$
$⟹$ 电导率 $\sigma =J/E=q(p{\mu }_p+n{\mu }_n)$
掺杂后：$\Delta \sigma =q[(p+\Delta p){\mu }_p+(n+\Delta n){\mu }_n]$

扩散与扩散电流

扩散：由浓度差引起的载流子运动称为扩散

自由电子扩散电流的方向与浓度减小的方向想法
空穴的扩散电流方向与浓度减小方向一致

空穴扩散电流：$J_{pd}=-q{D}_p\frac{dp(x)}{dx}$
自由电子扩散电流：$J_{nd}=q{D}_n\frac{dn(x)}{dx}$

由扩散运动产生的扩散电流是半导体区别于导体的一种特殊电流
半导体区别于导体的l两种特征：$\{\begin{array}{l}1.有空穴—电子对\\ 2.有扩散运动\end{array}$

1.2 PN结

PN结的形成：

在一块N型半导体衬底上，通过杂志补偿原理，掺入受主杂质，使一部分半导体从N型到P型，形成PN结。

PN${}^{+}$结与P${}^{+}$N结： 实际上的PN结为不对称结，其中，P区掺杂浓度大于N区的称为P${}^{+}$N结，N区掺杂浓度大于P区的称为PN${}^{+}$结

PN结形成物理过程：

1. P区和N区之间存在浓度差
2. 浓度差引起多子的扩散，形成空间电荷区（多子的扩散形成的电流方向是由P到N）P区的多子空穴和N区的多子自由电子在扩散的过程中复合，形成空间电荷区。
   
3. 空间电荷区有内建电场，在内建电场的作用下少子漂移（少子的漂移形成的电流方向是由N到P）
   
   
4. 漂移阻碍扩散，随着扩散的推进，漂移作用越来越强，直至动态平衡，达到动态平衡后，通过空间电荷区的总电流为0

内建电位差 ：

达到动态平衡后，内建电场形成内建电位差$V_B$ $$V_B\approx V_{T}ln\frac{N_a{N}_d}{n_i^2}$$
其中，$$V_T=\frac{kT}{q}$$ $V_T$称为热电压，当室温为300K是，$V_T\approx 26mV$

温度升高$⟹$（温度影响少子）少子浓度增大$⟹n_i$增大、$V_T$增大$⟹n_i$增大占主导$⟹V_B$减小

温度没增加1℃，$V_B$减小约2.5mV

阻挡层宽度

阻挡层任一侧宽度与该侧掺杂浓度成反比(阻挡层宽度向低掺杂浓度一侧扩展)
即：$$\frac{x_n}{x_p}=\frac{N_a}{N_d}$$阻挡层宽度为$l_0$,则$$l_0=x_n+x_p={(\frac{2\epsilon }{q}{V}_B\frac{N_a+N_d}{N_a{N}_d})}^{\frac{1}{2}}$$由上式可知
温度增加$⟹V_B$减小$⟹l_0$减小

PN结的伏安特性

正向特性

正向偏置：P区接电源正极，N区接电源负极

（忽略引线、P区体，N区体电阻，认为外界电压全部加在阻挡层）
我们知道，内建电场的方向是N区指向P区，所以这时外界电场与内建电场方向相反，从而使内建电场减小$(V_B-V)$,于是漂移作用减弱，相应的扩散作用增强，而扩散主要是多子的作用，所以会产生较大的电流，这时，我们说PN结导通。

正偏$⟹V_B-V$$⟹l_0$减小$⟹$阻挡层电荷量减小$⟹$多子扩散作用增强$⟹$扩散电流增大$⟹$PN结导通

外电源不断向P区提供失去的空穴，并向N区注入电子，P区补充空穴也就是从P区拉出电子补充到N区，这样便完成了闭合回路电流的连续性。

反向特性

分析同上
PN结反偏$⟹V_B+V$,内建电场增强$⟹l_o$增大$⟹$阻挡层电荷量增大$⟹$漂移作用大于扩散作用$⟹$漂移电流主导，且漂移电流以少子为主，故而漂移电流很小$⟹$PN结截止

反向电流几乎就全是由少子漂移而成，其值几乎与外加电压无关，故而反向电流又称反向饱和电流，即$I_s$

$I_s$是温度敏感参数，与温度正相关 因为温度影响少子，少子与漂移电流相关，而$I_s$主要就是漂移电流

伏安特性

$$I=I_s(e^{\frac{V}{V_T}}-1)$$
正偏时，I随V增大而增大，当$V>>V_T(V_T>100mV)$时，可认为$I\approx I_s\cdot e^{\frac{V}{V_T}}$

反偏时，即$V<0,V=V_{T}ln\frac{I}{I_s}$，此时$I=-I_S$

元素	开启电压（$V_{on}$）
Si	0.7V
Ge	0.25V

图片分析：
锗管的开启电压小于硅管，所以锗管更容易导通，所以正向特性锗管在硅管的上面
而硅管的反向饱和电流原小于锗管，所以反向特性锗管在硅管的下面

PN结的击穿特性

雪崩击穿

条件：低掺杂浓度、外加反向电压足够高、PN结反偏
原理：掺杂浓度低$⟹$阻挡层宽度$l_0$大$⟹$平均自由程长$⟹$获得能量大$⟹$载流子与形成共价键的电子碰撞几率大$⟹$载流子有足够动能把束缚在共价键中的价电子碰撞出来$⟹$新的价电子继续获得能量，碰撞其他共价键$⟹$雪崩式反应，故称雪崩击穿
形成原因：碰撞电离
特点：具有正温度系数

齐纳击穿

条件：高掺杂浓度、外加反向电压较低、PN结反偏
原理：掺杂浓度高$⟹$阻挡层宽度$l_0$小$⟹$内建电场强$⟹$只需不大的外界电压，就有足够能量把共价键的电子拉出来，产生自由电子—空对穴
形成原因：场致激发
特点：具有负温度系数

稳压二极管

$I_{zmin}<I_z<I_{zmax}$
$I_{zmin}$:保证可靠击穿
$I_{zmax}$:保证不被烧毁

PN结温度特性

$$I=I_s(e^{\frac{V}{V_T}}-1)$$
温度每升高10℃，$I_s$约增加一倍

温度每升高1℃，$V_{on}$减小约2.5mV

击穿电压的温度特性

1. 雪崩击穿：
   温度增加$⟹$自由程减少$⟹$获得能量减小$⟹$外加击穿电压需增大$⟹$正温度系数
2. 齐纳击穿：
   温度增加$⟹$价电子获得能量增加$⟹$更容易场致激发$⟹$所需外界击穿电压减小$⟹$负温度系数

注：当击穿电压在6V左右时，两种击穿会同时发生，相应击穿电压的温度系数为0

PN结电容特性

势垒电容$C_T$

PN结的阻挡层类似平板电容器

外加电压增大$⟹$空间电荷区变窄$⟹$电荷量下降

所以势垒电容就是势垒区内空间电荷量随外加电压变化而产生的电容效应

有公式$$C_T=\frac{C_{T(0)}}{{(1-\frac{V}{V_B})}^n}$$
其中，$C_T$是势垒电容，$C_{T(0)}$是零电压时的电容，n是变容指数，与PN结工艺有关

扩散电容$C_D$

正偏下，中性区（势垒区外）非平衡少子电荷量随外加电压而变化

该电容并联在PN结上

反偏时，$C_D\approx 0$

总电容

$$C=C_D+C_T$$

正偏下：$C_D>>C_T$，即看作$C=C_T$，其值在几十皮法到几千皮法

反偏下：$C_T>>C_D$，即看作$C=C_D$，其值在几皮法到几十皮法

PN结的开关特性

非理性特性：

1. 存在导通电压，在$V>V_{on}$时才能导通（锗管导通性比锗管好）
2. 截止特性，硅管的锗管截止特性好
3. 有导通电阻
4. 存在电容，使导通与截止间切换过程均需要时间，且反向恢复需要时间更长

晶体二极管电路分析方法

模型：$\{\begin{array}{l}数学模型\\ 曲线模型\\ 等效电路模型\end{array}$

数学模型

晶体二极管的伏安特性，可用下列理想的指数函数来表述$$I=I_s(e^{\frac{V}{V_T}}-1)$$
在非理想化情况，可用下列函数进行修正
$$I=I_s(e^{\frac{V-I{r}_s}{n{V}_T}}-1)$$
其中，$r_s$是与阻挡层串接的电阻，n是非理想化因子

曲线模型

$\{\begin{array}{l}V>V_{on},二极管导通\\ V<V_{on},二极管截止\\ V_{反}>V_{BR},二极管击穿\end{array}$

等效电路模型

大信号模型

大信号模型主要用于直流和大信号的电路分析

电路图如下图

当导通电阻可忽略时,如下图
电路图如下图：

当导通电阻和开启电压均忽略时，如下图

小信号模型

大信号模型主要用于交流和小信号的电路分析


$r_s$：PN 结串联电阻，数值很小
$r_j$：为二极管增量结电阻，或肖特基电阻
$C_j$: 在工作频率很高时，PN结的结电容不可忽略

$I_Q$为上图中Q点的电流
$$r_j=\frac{V_T}{I_Q}$$
$$I_Q=I_s(e^{\frac{V_Q}{V_T}}-1)$$

晶体二极管的分析方法

图解法

利用二极管曲线模型和管外电路所确定的负载线，通过作图的方法进行求解

要求：已知二极管伏安特性曲线和外围电路元件值

分析步骤：

1. 写出管外电路直流负载线方程。
2. 作直流负载线。
3. 分析直流工作点

优点：1. 直观 。2. 既可以分析直流，也可以分析交流。

举例如下图：

1. 写出直流负载线方程：$V=V_{DD}-IR$
2. 在直流负载线上任取两点,可令 $I=0，得V=V_{DD}$；令 $V=0，得I=\frac{V_{DD}}{R}$
3. 连接两点，画出直流负载线
4. 所得交点(VQ , IQ)，即为 Q 点。
   

简化分析法

估算法

1. 先判断所有二极管工作状态，即先假设所有二极管断开，然后分析其两端电压，若$V>0$或$V>V_{on}$，则导通，反之，截止
2. 将截止二极管断开，导通二极管用大信号模型代替
3. 求解分析

如图所示，三只三极管参数相同，V-I特性如图所示，若A\B\C三端电压分别是1V,2V,3V.试分析各三极管工作情况，求D端电压


4. 所有二极管断开：

把上图的端子电压换成电压源与之等效

可见A端的压差最大，故A端有点导通，将A端的二极管用大信号代替

这时，D端电压$V_D=1V+0.7V=1.7V$
而B端电压$1.7V-2V<0$,所以二极管B截止，C同理

画输出信号波形方法

根据输入信号大小 $\to$ 判断二极管的导通与截止 $\to$ 找出 $v_o$ 与$v_i$关系 $\to$ 画输出信号波形。

晶体二极管的应用

整流电路

半波整流电路

当输入正弦波时，只有正向部分被导通，反向部分全部被截止，波形如下图
整流后：

稳压电路

$$\frac{V_{Imax}-V_Z}{R_{min}}-I_{Lmin}⩽I_{Zmax}$$
$$\frac{V_{Imin}-V_Z}{R_{max}}-I_{Lmax}⩾I_{Zmin}$$

稳压管大信号模型用电压源代替，小信号模型用电阻代替
分析：若外界某原因导致$R_L$两端电压上升，则$I_L$也随之上升，于是干路电流上升，$R$两端分压上升，进而促进$R_L$两端电压又下降，一增一减，实现稳压。

限幅电路（削波电路）

双向限幅电路

• 采用普通二极管
  
  分析：
• $-V_2<v_i<V_1$时，$D_1、D_2$ 截止，$v_o=v_i$
• $V_i⩾V_1$时，$D1$导通、$D2$截止，$vo=V_1$
• $V_i⩽V_2$ 时，$D_2$导通、$D_1$ 截止，$v_o=V_2$

限幅前：

限幅后

稳压管限幅电路：

钳位电路

功能：将输入信号的位准予以上移或下移，并不改变输入信号的波形

1. 当信号处于OA段时，电容充电这个时候二极管还没有导通，电压都加在了电容上面，这时候电阻两端的电压为零，随后电容放电，二极管导通，二极管的导通电压是$V_{on}$,所以$R_L$两端电压也是$V_{on}$，电容两端电压是$V_m-V_{on}$。
2. 随后到AB段，电源电压下降，二极管很快又截止，这时电容的电压和电源电压全部给$R_L$,即：$V_R=V_m-V_{on}+V_1$，电容电压几乎保持不变，而电源电压$V_1$在变化，所以电阻两端也是与信号源电压同步变化，只是在电压源基础上电压高了$V_m-V_{on}$，所以整体波形被往下“钳”住了