IR2104驱动原理–恩智浦智能车电机驱动
本文是小编在准备智能车比赛过程的学习笔记,关于对IR2104电机半桥驱动的一些自我见解(欢迎指正)
这个是数据手册给的应用电路,主要的外围器件有两个电容和一个二极管。
这里我们讲解VB和VS间的自举电容(以下我们称为C)和VCC与VB间的自举二极管(以下我们称为D)。
先来看一下芯片内部图(下图)
HO是一个互补输出级的输出端,上管导通时,它的电位为VB,下管导通时电位为VS。先根据应用电路图来吧,假设一开始是下管导通,则HO=‘0’、LO=‘1’,VS接近地,此时D给电容C充电,使得C两端电压会接近VCC。这时,让上管导通,也就是HO=‘1’、LO=‘0’。此时HO的电位为VB的电位,而C两端的电压不能突变,而HO这个点可以看成VB点,也就是说C并联在后面驱动桥的VGS,可以给这个NMOS一个比较大的VGS(约为VCC),电容放电。
那去掉二极管行不行?
肯定不行!看半桥驱动部分,如果上面的NMOS导通,则VS点的电位接近NMOS的供电电位,此时,由于C两