前言: 计算前的思考
在计算晶体结构优化时一个重要的前提是你想干什么,
为了尽可能的节约计算的成本,我们首先要考虑优化的方法
也就是 “ISIF” 这个参数,它一般有三种常用的选择方式
方法:一
最保守,最节约,同时也是最推荐新手们使用的方法就是ISIF=2
这个情况下,vasp只会优化原子的位置而不会动晶格参数,这样可以极大程度的减少我们的计算量,但是这样用法有个前提,我们需要有准确的晶格常数,所以我们需要找到一篇靠谱的文献(注意一定要看期刊的影响力,不要用水刊的数据,不熟悉的同学,建议多找几相关的篇期刊对比),直接就采用文献上使用的晶格常数(a,b,c)
方法:二
如果你优化的是二维的结构,并且没有能参考的文献提到的晶格常数,那么ISIF=4
这个情况下,vasp会优化原子的位置,也会动晶格参数,但是能够保证胞的总体积V不变,这样优化下来,可以避免我们在构建异质结时添加的真空层被删除,
方法:三
如果你优化的是三维的结构,并且没有能参考的文献提到的晶格常数,那么ISIF=3
这个情况下,vasp会优化原子的位置,也会动晶格参数,也会动胞的总体积V
计算时INCAR的设计
首先贴出我常用的结构优化INCAR
SYSTERM
#start
ISTART=0
ICHARG=2
PREC=A
LREAL=.F.
NPAR=4
#ion
IBRION=2
ISIF=2
NSW=400
POTIM=0.1
ENCUT=500
ALGO=Fast
#ele
NELM=100
EDIFF=1E-06
LCHARG=.F.
LWAVE=.F.
ISMEAR=0
SIGMA=0.2
ISYM=0
ISPIN=2
KPOINTS
K-Spacing Value to Generate K-Mesh: 0.010
0
M
3 3 1
0.0 0.0 0.0
参数解释
我个人非常不建议用较高的精度一次完成优化,这在有时候会消耗大量的机时。这就好比在解一个线性方程找方程的最低点,如果我们一开始就用最高精度,那么系统会一点一点的寻找最低点,效率可能会很低,但是如果我们先用一个粗糙的精度解,就可以快速的得到一个最低点可能存在的范围,接着加大精度,就能迅速的求出这一可能的局部最优解。
所以我建议分多步走(针对机时紧张的同学)
准备好:POSCAR POTCAR KOPINTS, INCAR
第一步结构优化
修改我上面提出的INCAR中的部分会影响计算时间的值
ISIF=2 #根据个人体系来
POTIM=0.1 # 影响计算的跨步
ENCUT=450 # 截断能
EDIFF=1E-04 # 力学参量
#选择性添加
ISYM=0 #体系结构如果上下不对称可以添加,不然就注销
ISPIN=2 #体系有磁性就添加,不然就注销,不知道的话就两种情况都试一下
提交任务,完成第一次计算
第一步结构优化
修改我上面提出的INCAR中的部分会影响计算时间的值
ISIF=2 # 根据个人体系来
POTIM=0.1 # 影响计算的跨步
ENCUT=450 # 截断能
EDIFF=1E-04 # 力学参量
#选择性添加
ISYM=0 #体系结构如果上下不对称可以添加,不然就注销
ISPIN=2 #体系有磁性就添加,不然就注销,不知道的话就两种情况都试一下
提交任务,完成第一次计算
第二步结构优化
cp CONTCAR POSCAR
加大部分精度
ISIF=2 # 根据个人体系来
POTIM=0.1 # 影响计算的跨步
ENCUT=500 # 截断能
EDIFF=1E-05 # 力学参量
提交任务,完成第二次计算
第三步结构优化
cp CONTCAR POSCAR
再加大部分精度
ISIF=2 # 根据个人体系来
POTIM=0.01 # 影响计算的跨步
ENCUT=600 # 截断能
EDIFF=1E-06 # 力学参量
提交任务,完成第三次计算
第四步结构优化:修改K点
cp CONTCAR POSCAR
修改KPOINTS
K-Spacing Value to Generate K-Mesh: 0.010
0
M
6 6 1
0.0 0.0 0.0
提交任务,完成第四次计算
第五步结构优化:加大K点精度
cp CONTCAR POSCAR
修改KPOINTS
K-Spacing Value to Generate K-Mesh: 0.010
0
M
12 12 1
0.0 0.0 0.0
提交任务,完成第五次计算
结语
这样可以消耗较少的机时,完成精度较高的结构优化,虽然有些繁琐但好过事后,计算后续材料性能时遇到由精度不足而引起的问题