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如此同时，滤波电容小，浪涌持续的时间就短，实际二极管能扛过的浪涌电流更大，能超过芯片手册里面的IFSM（8.3ms/10ms时）更多。开机之后，热敏电阻温度起来了，阻值比较低，也不至于产生过大的损耗 因为开机时，这个大的电流会流过二极管，如果电流过大的话，二极管可能会损坏，毕竟，整流二极管都是有一个参数叫IFSM，即允许通过的最大浪涌电流是有限制的。求得120uF/400V的铝电解电容的ESR是2.65Ω，当然，这个是可能出现的最大值，实物应该是比这个要小的，因为厂家给的损耗正切值是最大值。
2023-05-23 19:09:21
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原创 电容相关知识（待补充）
安规电容通常只用于抗干扰电路中的滤波作用。它们用在电源滤波器里，起到电源滤波作用，分别对共模，差模干扰起滤波作用。例如：当在电源跨线电路中使用电容器来消除噪音时，不仅仅只有正常电压，还必须考虑到异常的脉冲电压（如闪电）的产生，这可能会导致电容器冒烟或者起火。所以，跨线电容器必须使用安规电容。通常，出于安全考虑和EMC考虑，一般在电源入口建议加上安规电容。
2023-05-23 19:07:16
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原创 MOS管相关
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损耗。◆当VGS电压达到VGP，ID达到最大值，VDS开始下降，CGD上的电压也随之减小，也就伴随着CGD的放电，栅极电流基本上用于 CGD 的放电，使得MOSFET的栅极电压基本保持不变，此时进入米勒平台时期(根据选择的拓扑选择合适的MOS管及吸收电路，再保证高端Vds不超的情况下，尽量选择耐压低的管子，耐压高的管子一般会很贵，品种单一没有耐压低的可选性多，而且效率不好提升。
2023-05-23 19:06:15
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空空如也
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