MOS管相关

目录

1、三个寄生电容

2、MOS的热阻理解

3、Nmos OR Pmos

4、MOS 损耗

5、MOS的导通电阻（VDD(工艺)↑/VGS↓/温度↑）

6、MOS管驱动

7、MOS的特性曲线

8、米勒平台

九、推挽驱动

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1、三个寄生电容

米勒电容：54PF；

 栅极电荷：169nc；

 

输入电容＞输出电容＞米勒电容——米勒的电荷量和容值均小于其他两种

Qg、Qgs、Ggd，指的是充满这些电容所需要的电荷数，所需要的充电电荷数越少，MOS管开关速度就越快。

2、MOS的热阻理解

概念：热阻，英文Thermal resistance，指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W或者是K/W。

结到空气环境的热阻用ThetaJA(RJ_A )表示，RJ_A = (Tj-Ta)/P

——Tj为芯片结温，Ta为芯片环境温度

所以，一般计算结温公式为TJ-A=RthJ-A*P+Ta

①Power dissipation：功率损耗，指的是NMOS消耗功率不能超过150mW。

②Junction temperature：结温，结面温度，指的是NMOS最高结温不能超过150℃。

③Thermal resistance：如下的833℃/W指的是NMOS结面相对于环境温度的热阻是833℃/W，假如器件消耗的功率是1W，那温升就是833℃。

 当NMOS工作在最大功率150mW，那NMOS结到空气的温度就是：150/1000*833≈125℃，芯片结温就是125+25=150℃。

 

 

3、Nmos OR Pmos

（1）比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管，这个叫体二极管，并且只在单个的 MOS 管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。

（2）PMOS的特性：Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接 VCC 时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

 

4、MOS 损耗

导通损耗：不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的 MOS 管会减小导通损耗。
开关损耗：现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损耗。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

5、MOS的导通电阻（VDD(工艺)↑/VGS↓/温度↑）

 一般情况下耐压越高，导通电阻越大（比如下面两款）。这个就和MOS的制作工艺有关系了，为了保证足够大的漏源击穿电压Vds，需要有高电阻率外延层，这会使MOS的导通电阻增大。

根据选择的拓扑选择合适的MOS管及吸收电路，再保证高端Vds不超的情况下，尽量选择耐压低的管子，耐压高的管子一般会很贵，品种单一没有耐压低的可选性多，而且效率不好提升。

耐压相同的管子一般情况下，导通内阻越小价格越高，根据自己的实际使用，在性价比中尽量折中。

栅源电压Vgs的选择对导通电阻也有影响，电压越高导通越好，导通程度越好，内阻越小，但随着栅源电压Vgs的升高，开关速度会降低，这个以后说；还有可能导致栅源电压Vgs击穿，器件失效。栅源电压越低，导通越差，内阻越大，效率越低。建议选取栅源电压Vgs为10V-18V之间。

 做好散热，导通内阻随着温度的升高而增大，所以要把热设计搞好，温升尽量的低，效率尽量的高。

 

6、MOS管驱动

MOS管导通不需要电流，只要 GS 电压高于一定的值，就可以。但是，我们还需要速度。在 MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而 MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计 MOS 管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。普遍用于高端驱动的 NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的 MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比 VCC 大(4V 或 10V 其他电压，看手册)。如果在同一个系统里，要得到比 VCC 大的电压，就要专门的升压电路了，很多马达驱动器都集成了电荷泵（在升降压芯片里存在电荷泵，在下桥关断时给上桥提供驱动电压），要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管（Ic=Cdu/dt）。

7、MOS的特性曲线

①夹断区（也称截止区）

夹断区（也称截止区）满足ucs《Ues（th）为图中靠近横轴的区域，其沟道被全部夹断，称为全夹断，io=0，管子不工作。

②恒流区（也称饱和区、放大区、有源区）

满足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth），为图中预夹断轨迹右边、但尚未击穿的区域，在该区域内，当uGs一定时，ib几乎不随UDs而变化，呈恒流特性。iD仅受UGs控制，这时场效应管D、S间相当于一个受电压uGs控制的电流源。场效应管用于放大电路时，一般就工作在该区域，所以也称为放大区。

③可变电阻区（也称非饱和区）也叫完全导通区

满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时，ip与uDs成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。

那什么是可变电阻区？可变电阻区就是设定Vgs不变时，改变电源输入电压，Ids也随之线性改变，并且Uds/Ids=R，R不变。此时场效应管看起来貌似一个电阻。那既然R不变，为什么又叫可变电阻区？因为R不变是以Vgs不变为前提条件的，当改变Vgs时，R就变化了。Vgs越大，斜率越大，也就是电阻越小。因此，可以使用这个特性来制作电子负载。只要保证Vgs不变，那么对外的一个阻值就不变，接上待测试的电源就可以了。此时也可以程控改变Vgs，也就是改变电阻值，可以测出电源带负载的动态性能。

可变电阻区实现条件有两个：Vgs>Vth，Vds<Vgs-Vth。此时Vgs已经与Ids脱钩了，不满足平方线性关系了。在保持电源电压不变情况下，增大Vgs，Ids不再增大。类似于三极管的饱和了。不同的是三极管饱和表现的是Vce为0.3V。场管表现的是对外的电阻不变了（Vgs恒定时）。

通常MOSFET工作于开关状态，在截止区和完全导通区（①和③）之间高频切换。

饱和区就是放大区，输出电流只受控于VGS，只要维持VGS不变，则输出电流恒定（不考虑热漂移等影响）。因此可以制作压控恒流源，或者恒流LED驱动。此时电流与VGS的平方有线性关系。

 

8、米勒平台

 

几个电容定义：

米勒电容：Crss= CGD，也叫反向传输电容

输入电容Ciss= CGD+ CGS

输出电容Coss= CGD+ CDS

 

 

t0-t1：

◆当驱动开通脉冲加到MOSFET的G极和S极，等效于给输入电容Ciss充电(由于Cgs>>Cgd，主要是为Cgs充电)，由于输入电容的存在，VGS只能以一定的斜率上升，这也是限制MOS管开关速度的一个因素；VGS缓慢上升到VGS(th)，在这个过程中，MOS管一直处于关断状态，此时已有微小的电流流过；VDS的电压保持VDD不变。

t1~t2：

◆当VGS达到VGS(th)，MOS开始导通，此时栅极电压继续给输入电容Ciss充电，漏极开始流过电流ID，随着VGS的上升，ID也逐渐增大，VDS仍然保持VDD；在功率MOS管的开关过程中，此阶段功耗比较大，在VGP点达到最大，但持续时间相对较短。

t2~t3：米勒平台——MOSFET中的米勒平台实际上就是MOSFET处于“放大区——饱和区——线性区”的典型标志。（因为此时VGS不变，ID恒定，VDS变化）

◆当VGS电压达到VGP，ID达到最大值，VDS开始下降，CGD上的电压也随之减小，也就伴随着CGD的放电，栅极电流基本上用于 CGD 的放电，使得MOSFET的栅极电压基本保持不变，此时进入米勒平台时期(米勒平台就是对GD充电、放电过程中，VGS电压保持不变的时间段)一直维持到VGD=vgs米勒平台的存在使得开关时间增长，开关损耗增大。Mos进入饱和区

t3~t4：

◆CGD放电完成，米勒平台结束，VDS继续下降，ID保持不变，MOSFET基完全导通。

关键——MOS的Id与Vds是分时开通或关断的。Vgs米勒平台区域这段时间 Vds 上升（关断）或下降（开通），Vth~Vmiller 这段时间，Id上升（开通）或下降（关断）。

在MOS开通前，D极电压大于G极电压，则MOS寄生电容Cgd中就会储存着电荷。当MOS完全导通后G极电压又会大于D极电压，则Cgd中又会储存极性方向相反的电荷。因此在MOS管开通的过程中，会有一个时间段，G极的驱动电荷用于中和Cgd中的电荷，并继续灌入电荷使其中电荷的极性反向。这个时间段就是米勒平台形成的时间段。

 

目前减小 MOS 管米勒效应的措施如下：
1. 提高驱动电压或者减小驱动电阻，目的是增大驱动电流，快速充电（给米勒电容充电时间加快，平台时间缩短），但是可能因为寄生电感带来震荡问题。

不好的影响：米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间（上管导通（瞬间高压），下管关断）会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，存在着误导通潜在的风险。

 

 

如上图所示，上管IGBT(S1)在导通时，S1处于半桥拓扑，此时S1会产生一个变化的电压dV/dt，这个电压通过下管IGBT(S2)。电流流经S2的寄生米勒电容CCG、栅极电阻RG和内部驱动栅极电阻RDRIVER。这个产生的电流使门极电阻两端产生电压差，这个电压如果超过IGBT的门极驱动门限阈值，将导致寄生导通。

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米勒振荡

 

 

因为MOS管的反馈引入了电容，当这个电容足够大，并且前段信号变化快，后端供电电压高，三者结合起来，就会引起积分过充振荡，这个等价于温控的PID中的I模型，要想解决解决这个米勒振荡，在频率和电压不变的情况下，一般可以提高MOS管的驱动电阻，减缓开关的边沿速度，其次比较有效的方式是增加Cgs电容。在条件允许的情况下，可以在Cds之间并上低内阻抗冲击的小电容，或者用RC电路来做吸收电路。

当米勒振荡通过其他手段无法降低时，可以考虑更换更小的米勒电容MOS管，尤其需要重视Cgd要尽可能的小于Cgs。

 

1、大家知道Si MOS的Vgs电压工作范围为正负20V，超过这个电压，栅极容易被击穿，所以在米勒振荡严重的场合，需要加限压的稳压二极管，一般采用15V稳压二极管，有些采用15V的TVS管，响应速度快，但是TVS管相比稳压二极管来说，精度比较差，一致性不是很强，一般情况下还是推荐用稳压二极管。

稳压二极管一般用于米勒振荡严重的场合，尤其是频率特别高的，对于波形良好的软开关，或者振荡不明显的硬开关，不需要稳压二极管钳制。

2、米勒振荡若只是引起GS绝缘层击穿，那么加稳压二极管很容易解决，问题的关键在于，米勒振荡往往引起二次开关，也就是说，导通了又关闭又导通，多次开关，多次开关带来的直接效应，就是开关损耗急剧提升。

3、在大功率拓扑结构中广泛使用的H桥，米勒振荡会存在一种可能，那就是上下管子恰好在某同一时刻导通

总结以上，米勒振荡引起三个问题：
1、击穿GS电压，引入稳压二极管钳制。
2、二次开关，引入软开关。
3、上下管子导通。

 

①选择合适的门极驱动电阻RG----增大RG，减小充电电流。

1、提高MOS管G极的输入串联电阻，一般该电阻阻值在1~100欧姆之间，具体值看MOS管的特性和工作频率，阻值越大，开关速度越缓。

2、寄生米勒电容引起的导通通过减小关断电阻RGOFF可以有效抑制。较小的RGOFF同样也能减少IGBT的关断损耗，然而需要付出的代价是在关断期间由于杂散电感会产生很高的过压尖峰和门极震荡。

 

②在MOS管GS之间并联瓷片电容，一般容量在1nF~10nF附近。看实际需求。
调节电阻电容值，提高电阻和电容，降低充放电时间，减缓开关的边沿速度，这个方式特别适合于硬开关电路，消除硬开关引起的振荡。

因为IGBT的总输入电容为CCG||CGE，鉴于这种情况，门极充电要达到门极驱动的电压阈值就需要产生更多的电荷(如上图)。又因增加了电容CGE，因此驱动电源功耗会增加，在相同的门极驱动电阻下，IGBT的开关损耗也会相应地增加。会变缓（①，③阶段，平台不会变）

 ③采用负压驱动

 采用门极负电压来提高门限电压，同时保证了关断的可靠性，特别是IGBT模块在100A以上的应用中，是很典型的运用。增加负电源供电增加设计复杂度，同时也增大设计尺寸。

 

④门极有源钳位

 要想避免RG优化、CGE损耗和效率、负电源供电成本增加等问题，另一种方法是使门极和发射极之间发生短路，这种方法可以避免IGBT不经意的打开。具体操作方法是在门极与射极之间增加三级管，当VGE电压达到某个值时，门极与射极的短路开关(三级管)将被触发。这样流经米勒电容的电流将被增加的三极管截断而不会流向VOUT，这种技术被称为有源米勒钳位技术。

九、推挽驱动

三极管的原理三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。放大状态主要应用于模拟电路中，且用法和计算方法也比较复杂，我们暂时用不到。而数字电路主要使用的是三极管的开关特性，只用到了截止与饱和两种状态

 

 

 

 

 

 

 

 

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单管驱动和推挽驱动的区别：

推挽和单端驱动是不同的。
推挽电路，无论驱动MOS门极由低到高还是驱动由高到低，其驱动能力是一样的。
单端电路，这一支三极管由截止到导通的驱动能力强，由导通到截止驱动能力弱，因此时完全靠三极管的负载电阻来驱动MOS门极。

单管驱动，就相当于给MOS开关管栅极充电时是 驱动管饱和，电源直接加在电容上充电，充电相当快，但放电时驱动管截止了，只能靠下拉电阻放电，慢。单端电路用于频率较低场合没有问题，频率高了就不行，因驱动电流不够大，限制了MOS管速度。

推挽也就是图腾驱动 充电时是上面的三极管饱和导通，电源直接给栅容充电
放电时是下面的三极管饱和导通，电容相当于直接对地短路放电，快。