第四章 存储器（上）

存储器是计算机系统中最重要的部件之一，在计算机运行过程中所需要的数据、指令都来自于存储器，程序的执行结果也保存在存储器中。另外视频音频、文档资料等也是保存在存储器当中的

4.1 概述

• 存储器可分哪些类型？
• 现代存储器的层次结构，为什么要分层？

一、存储器分类

1、按存储介质分类

半导体存储器，数据易失，利用0/1进行数据存储，高电平/低电平
磁性存储器，数据不易失，利用磁头读出/写入
光盘存储器，数据不易失，利用光烧制，利用光读出

2、按存取方式分类

3、按在计算机中的作用分类

flash memory：便携式存储器，如：U盘等，半导体存储器，速度比磁盘快，比主存储器慢；还可作为计算机硬盘。如果主存储器与辅助存储器之间的速度差距太大，可用flash memory作为过渡，将辅助存储器的数据缓存在flash memory中，主存储器可以直接从flash memory中获取数据

高速缓冲存储器：主存储器和CPU之间，通常情况下用静态RAM来做，速度比主存和flash快，可作为主存与CPU之间的缓冲（存储层次中会详细介绍）

辅助存储器：磁盘、磁带、光盘等

二、存储器的层次结构

1、存储器三个主要特性的关系

为了实现高速度、大容量、低价格的诉求，需要采用多个类型存储器相结合的存储体系

存储体系：把两种或两种以上的存储介质构成的存储器用软件、硬件或软硬结合的方式连结为一个整体，使得从某一级程序员的角度来看，拥有高速度、大容量、低价格的特点

2、缓存–主存层次和主存–辅存层次

cache：功耗＞主存、存储容量＜主存、速度＞主存
程序的局部性原理：时间局部性、空间局部性

• 时间对比

• 缓存–主存：采用硬件的方法，把缓存、主存连接成一个主体（解决速度问题）
• 主存–辅存：采用软硬件相结合的方法（解决容量问题）

4.2 主寄存器

一、概述

1、主存的基本组成

2、主存和CPU的联系

CPU和主存之间的连接信号分为三类：数据总线、地址总线和控制总线

• 数据总线完成CPU与主存之间的数据传输，所以数据总线直接连接在MDR寄存器上，双向，可能读出，可能写入
• 地址总线连接在MAR寄存器，和主存的地址总线之间，给出了要访问的内存单元的地址，单向，从CPU送到主存
• 控制总线有读出、写入两条，单向，由CPU送入主存

3、主存中存储单元地址的分配（略有不懂）P24

4、主存的技术指标

存取时间：从存储器给出地址到得到稳定的数据输出，或数据输入，这一时间叫做存取时间。根据数据读出/写入，可分为读出时间/写入时间
存取周期：连续完成两次独立的存储器操作（读或写）所需要的最小时间间隔。一般来说存取周期比存取时间长。

二、半导体芯片简介

1、半导体存储芯片的基本结构

片选线：芯片选择信号，指出了这次操作给出的地址是不是针对这个存储芯片的地址，被选择的存储单元，被选择的字节是不是在这个芯片当中

半导体芯片片选线一般有两种标识方式，一种是CS（芯片选择信号），一种是CE（芯片使能信号），上面一横表示低电平有效

片选线的作用：可以让某一个芯片或某些芯片同时进行作用

2、半导体存储芯片的译码驱动方式

译码驱动：给定了存储单元地址之后，怎么找到指定的存储单元
线选法

A0-A3:16个存储单元
D0-D7:8位数据
线选法的缺点：芯片集成度低，对容量稍大的芯片来说，非常不友好
重合法

线选法是将所有的存储单元布局成一个线性数组；重合法是将所有的所有的存储单元布成二维阵列

三、随机存取存储器（RAM）

1、静态RAM（SRAM）

存储元件保存0/1的原理是什么？
双稳态触发器

基本单元电路的构成是什么？

对单元电路如何读出和写入？

典型芯片的结构是什么样子的？

静态芯片的结构是什么样子的？

静态RAM芯片是如何进行读出和写入操作？

上述静态RAM的单元电路一共是由六个晶体管构成，也称6管静态RAM
T1-T4：存储信息
T5、T6：对存储元件进行控制

2、动态RAM（DRAM）

保存0/1的原理是什么？
电容

基本单元电路的构成是什么？

对单元电路如何读出和写入？

典型芯片的结构是什么样子的？

动态RAM芯片是如何进行读出和写入操作？

动态RAM为什么要刷新，刷新方法？

（1）动态RAM基本电路

（2）动态RAM芯片举例

刷新放大器：电容会漏电，每隔一段时间电容上的信号会消失，刷新放大器是对电容中保存的信息进行重写，每经过一段时间都要对给定的存储单元电路中的信息进行刷新


行选通信号RAS
列选通信号CAS→控制芯片内部读写操作
读写控制信号WE


*妙啊~~~~*写入时做了一次反向、读出做了一次反向，因此写入的数据和读出的数据是一致的

（3）动态RAM刷新

动态RAM是通过电容存储电荷的方式来保存信息的， 电容比较小且时间长容易露电，如果不在一定时间内对电容内的信息进行再生的话，电容信息就会丢失
刷新与行地址有关，即刷新时刷新的是动态RAM中一行所有的基本单元电路
刷新方法：

分散刷新：过度刷新，读写周期加长、芯片性能下降

3、动态RAM和静态RAM的比较