二极管基本知识介绍
提到二极管,我们都可以联想到半导体,而半导体分为本征半导体(纯净的具有晶体结构)和杂质半导体(在本征半导体中掺入少许杂质元
素)。按掺入杂质元素的不同,即可形成N型半导体和P型搬到退,通过控制掺入元素的浓度即可控制半导体的导电性能。
N型半导体
N型半导体(在纯净硅晶体中掺入五价元素(如P)),取代硅原子的位置即可形
成N型半导体,取代之后便会多出一个自由电子(此时可以称电子为多子,空穴
为少子)。
P型半导体
P型半导体(在纯净硅晶体中掺入三价元素(如硼)),取代硅原子位置即可形成P型半导体,取代之后便会多出一个空穴(此时可以称空穴
为多子,电子为少子)。
PN结
我们将P型半导体和N型半导体制作在同一硅片上,在他们交界面就会形成PN结(在结合后其P区的空穴会往N区扩散;而N区自由电子会向
P区扩散;随即P区出现负离子区;N区出现正离子区)所以便会形成一个由N→P的内电场。
如果我们向P→N通电,则会抑制其内电场,加强其扩散运动,从而实现PN结的导通,而其导通电压也就可以看做其内电场的电压。
如果我们向N→P通电,则会加强其内电场,更加削弱扩散运动(高浓度向低浓度扩散)。从而阻止PN结的导通,而此时PN结处于截止状
态。
PN结还具有电容效应结电容=势垒电容+扩散电容(信号频率较高才会考虑;一般只有1pf;结面积大的话能达到几十甚至几百pf)。
其扩散运动详细可见下图(转)
二极管的一些参数
开启电压: Uom(使二极管导通的临界电压)
最大整流电流: IF(最大正向平均电流)
最高反向工作电压: UB(二极管工作时允许外加的最大反向电压,超过此值可能会击穿)
反向电流: IR(是二极管未击穿时的反向电流)
二极管的功能分类
稳压二极管: 稳压二极管(zener diode),也称齐纳二极管,与普通二极管不同的是,稳压二极管
工作在反向击穿状态时,它的工作电流在很大范围内变化而其两端的电压基本不变 。
但是当电网电压不变时,负载电流的变化范围就是Iz的调节范围(几十mA),这就限制了负
载电流Io的变化范围。
整流二极管: 桥式整流电路