单晶体管仿真分析

仿真原理图如下：

PORT0的相关设置如下：


电容c0的设置如下：

电感L17的设置如下：

V9的设置如下：

NM1的设置如下：

电感L16的设置与电感L17的设置相同，电容C5的设置与C0的设置相同。
PORT1的设置如下：

VDD上的电感V1设置如下：

L0和L1的设置如下：

仿真界面如下：

先进行直流仿真，print直流信息

print直流信息后，一定要选一下MOS管，才能在窗口中显示MOS管的相关信息。print的信息如下：

仿真电流Id随着VB的变化曲线

注意电流是选中节点，电压是选中一根导线

S参数仿真，扫描设计变量栅极的偏置电压



S11和S21的仿真如下：

最小噪声系数在sp中

最小噪声系数仿真如下：

最大增益仿真如下：

参数扫描，对两个变量进行扫描分析




Id与VB和finger数N的关系，横坐标是VB，不同的曲线代表不同finger数下的Id随电压VB变化的曲线。