本文详细介绍了模拟集成电路设计的过程，包括在虚拟机中创建库和CellView，设计反相器，设置器件宽长比，定义端口，绘制反相器原理图。接着进行了电路仿真，创建了symbol，设置了输入输出端口，应用了电压源和电容，并进行了直流工作点分析和瞬态仿真。最后，展示了波形查看器的使用，包括wavescan和AWD的波形比较。
1.启动虚拟机，打开library manager，新建库，并命名为RFIC_sim，并将该库链接到smic13mmrf_1233。
2.在RFIC_sim中新建一个Cell View，命名为INV。在原理图中放置PMOS和NMOS两个器件，设置PMOS和NMOS的宽长比之比为2:1，因为PMOS和NMOS的电子迁移率是不一样的，在相同的开启电压下，它们的导通电阻是不一样的，通常来说，PMOS的导通电阻是比较大一些。为反相器添加端口。
3.如果有端口放反了，选中器件，使用快捷键shift+m,然后将鼠标点击其他位置即可移动该端口。画好的反相器如下：
4.对画好的反相器进行仿真，需要建立一个symbol
5.点击OK，会出现端口布局的一个对话框
6.点击OK，出现symbol的图形，然后点击保存。
7.symbol和原理图建立好了以后，需要建立仿真需要的testbench
8.在仿真的原理图中调入之前的symbol，按键盘上的i
9.添加仿真所需要的电压源、地、电感
上面的三根线连接的时候通过双击停止。
10.给这三根线添加名字
11.设置输入输出端口，在输入端添加一个脉冲波形，按键盘上的i，选择analoglib中vpulse
12.设置电压源的参数，添加电容作为输出的负载
13.如果想看symbol内部电路的各个点的工作状态，选中symbol，点击键盘上的E，然后点击OK
14.print直流工作点的方法
15.查看所有的点的工作状态，怎么返回到上一层目录呢，可以用鼠标操作，也可以用快捷键CTRL+E来进行
16.瞬态仿真。由于输入信号的频率为100k，周期为10us，设置仿真时间为50us
17.波形查看。我们有两种波形查看器，一种是wavescan，另一种是awd。我个人认为AWD查看起来要方便一点。
出来这个不要急着点击OK，还要用鼠标点击输入那条线，会出来输入电压波形，用鼠标点击输出那一条线，会出来输出电压波形。
wavescan出来的波形如下：
AWD出来的波形如下：
按键盘上的A和B,一直按住鼠标的右键，然后画一个框，放大后按键盘上的F可以恢复原状。
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