模拟电路:晶体管偏置

集电极特性曲线

集电极特性曲线表示的是当基极电流为定值的时候, I B I_B IB V C E V_{CE} VCE之间的关系,当基极电流很小的时候,发射结没有导通,此时三极管截止,对应的就是图中最下面的一条曲线,由 I B = V C C − V C E β R E I_B=\frac{V_{CC}-V_{CE}}{\beta R_E} IB=βREVCCVCE可知,当 V C E V_{CE} VCE减少的时候,基极电流会增大,集电极取出的电流也会增大,最终电流会达到一个饱和值,此时集电结可能正向导通
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直流负载线

直流负载线反应了直流的时候,负载电压电流变化的关系,直流负载线和集电极特性曲线组合可以求出工作点Q
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截止

截止的原因是发射结没有导通,此时 V C E = V C C V_{CE}=V_{CC} VCE=VCC

饱和

I C = β I B I_{C}=\beta I_{B} IC=βIB,当基极电流增大到某一个值的时候,集电极电流不会再增大,此时三极管饱和,饱和时候 I C ( s a t ) = V C C R B + R E I_{C(sat)}=\frac{V_{CC}}{R_B+R_E} IC(sat)=RB+REVCC(对于分压偏置来说)

放大

此时发射结正偏,集电结反偏, I C = β I B I_C=\beta I_B IC=βIB

偏置电路作用

三极管放大状态需要发射结正偏,集电结反偏,而偏置电路的作用就是满足这个条件

基极偏置

  1. 负载线方程: I C s a t = V C C R C V C E ( o f f ) = V C C I_{C{sat}}=\frac{V_{CC}}{R_C} \quad V_{CE(off)}=V_{CC} ICsat=RCVCC
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