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RSS订阅原创 双向可控硅的触发电路设计
双向可控硅触发电路具体触发电路如图所示。通过控制3061LED的导通，控制光耦导通，然后控制双向可控硅的导通。触发电路元器件参数MOC30613061极限参数如上图所示，输入端最大正向电压6V，正向电流60mA，输出端最大额定电压600V，最大峰值重复涌浪电流1A。隔离冲击电压7500V。其典型参数如上图所示，3061LED导通电流15mA。输入限流电阻的计算；如电路图中的R7，3061的LED导通电流为15mA,因此输入电阻为5/0.015=333.3R，取值300R。输出限流电阻的计
2021-03-09 11:45:53
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原创 晶闸管的原理及伏安特性
因为项目需用到MOC3201控制双向可控硅驱动12V交流负载，但是双向可控硅的外围电路电阻级电容作用很是不解，就从普通的晶闸管（可控硅）开始从原理分析。以下是翻阅了几本电力电子技术书籍总结的相关知识。普通晶闸管的工作原理晶闸管全称晶体闸流管，也称为可控硅。其内部结构及等效电路如图所示晶闸管的内部结构可以等效为两个互补连接的三极管。当g极有足够的门极电压，且晶闸管的阳极也有正向电压，那么T1三极管将处于正向偏置，而门极电压又产生基极电流Ig,则T1的集电极电流Ic1=β1Ig。而Ic1又是T2的基极电
2021-01-08 20:24:09
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转载 齐纳击穿与雪崩击穿
雪崩击穿随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加。当反向电压接近击穿电压UB时，这些有较高能量的载流子与空间电荷区内的中性原子相遇发生碰撞电离，产生新的电子一空穴对。这些新产生的电子和空穴又会在电场的作用下，重新获得能量，碰撞其它的中性原子使之电离，再产生更多的电子一空穴对。这种连锁反应继续下去，使空间电荷区内的载流子数量剧增，就像雪崩一样，使反向电流急剧增大，产生击穿。所以把这种击穿称为雪崩击穿。雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的PN结中。这是因为掺
2020-12-29 19:43:18
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原创 DS1302无法正常工作，判断晶振是否起振的方法及踩坑
问题描述DS1302无法正常工作，换芯片及晶振都不行。示波器看波形，看不出32.768K波形。然后在网上找其他办法开始测试晶振是否起振，看到最多的办法是用万用表判断初次测量用了两种办法判断晶振是否起振，首先DS1302不能工作的时候，用万用表测晶振电压，有一端电压为2.3V，系统5V供电，按照网上说法晶振已经起振，但是示波器并未测量出32.768K波形。期间将示波器设置为交流耦合，表笔X10档，依然无法检测晶振波形。DS1302无法工作问题后读取1302寄存器发现，秒数据为80，之前未读取秒数据，
2020-12-29 17:58:29
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原创 利用TVS及1R电阻保护后级电路
TVS的作用TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。二级标题TVS特性及参数击穿电压（VBR）：TVS在此时阻抗骤然降低，处于雪崩击穿状态。测试电流（IT）：TVS的击穿电压VBR在此电流下测量而得。反向变位电压（VRWM）：TVS的最大额定直流工作电压,当TVS两端电压继续上升，TVS将处于高阻状态。最大反向漏电流（IR）：在工作电压下测得的流过TVS
2020-12-28 20:15:03
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原创 两种解决AD原理图编译出现OFF-grid警告的办法
两种解决AD原理图编译出现OFF-grid警告的办法AD原理图编译时提示“off grid pin”的警告，是由于元器件或者器件PIN脚没有和栅格对齐造成的原因，解决办法有两种：(1)修改对应的元器件对齐栅格下图显示的为栅格未对齐的警告选中警告，原理图页面跳转到对应的元器件选择其中一个警告元器件，右键→对齐→对齐到栅格上，元器件会自动对齐栅格，效果如图所示但是这种方式有一弊端，若原理图已绘制完成，则需要重新进行电气连线，否则会如上图所示，出现结点。因此此方法针对未完成的原理图比较好，若原理图已
2020-12-28 19:07:47
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空空如也
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