晶闸管的原理及伏安特性

因为项目需用到MOC3201控制双向可控硅驱动12V交流负载，但是双向可控硅的外围电路电阻级电容作用很是不解，就从普通的晶闸管（可控硅）开始从原理分析。以下是翻阅了几本电力电子技术书籍总结的相关知识。

普通晶闸管的工作原理

晶闸管全称晶体闸流管，也称为可控硅。其内部结构及等效电路如图所示

晶闸管的内部结构可以等效为两个互补连接的三极管。当g极有足够的门极电压，且晶闸管的阳极也有正向电压，那么T1三极管将处于正向偏置，而门极电压又产生基极电流Ig,则T1的集电极电流Ic1=β1Ig。而Ic1又是T2的基极电流，则T2的集电极电流Ic2=Ic1β2=β1β2Ic2，然后如此循环下去形成正反馈，使晶体管达到饱和导通。因此晶闸管导通后，即使门极电压消失，其内部也会因为电流正反馈的存在而继续保持导通。所以控制极的作用仅仅是触发晶闸管导通。
因此，可总结出晶闸管的导通与关断条件：

• 导通条件：
  晶闸管的阳极和阴极加正向电压；门极和阴极之间也加正向电压。
• 触发导通：
  晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，因此门极所加的电压一般为脉冲电压。
• 关断条件：
  使流过晶闸管的阳极电流小于维持电流。

普通晶闸管的伏安特性及主要参数

晶闸管的正向特性分为阻断状态OA段和导通状态BC段，当IG=0时，若Uak的未增加到正向转折电压Ubo，器件处于正向关断状态，只有很小的正向漏电流，，若大于正向转折电压则漏电流急剧增大，器件导通。导通后的特性BC段和二极管的正向特性相似。这种方式称为“硬开通”，但是这种方式容易损坏晶闸管。一般采用增加IG的方式，减小正向转折电压，控制晶闸管导通。
其反向特性类似于IG=0时的正向特性，到达反向击穿电压，但是其反向特性晶闸管击穿与IG大小无关。
晶闸管的主要参数有：

• 正向重复峰值电压Udrm：即晶闸管正向阻断时，允许加在晶闸管两端的正向峰值电压，一般为正向转折电压Ubo的80%
• 反向重复峰值电压Urrm：即晶闸管反向阻断时，允许加在晶闸管两端的反向峰值电压，一般为反向转折电压Ubr的80%
• 正向平均电流If：规定条件下，允许连续通过的工频正弦半波电流平均值。若正弦半波电流的最大值为Im，则If=Im/π
• 维持电流Ih:规定条件下，维持晶闸管连续导通的最小电流