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【 1. 电路结构 】
GND(Ground):地
TR’(Trigger):触发
OUT(Output):输出
RST、RD’(Reset):复位
VCC( Collector Voltage)(集电极)电源电压。
DISC(Discharge):释放
TH(Threshold):阈值、临界点
VCO(Control Voltage):控制电压
【 2. 原理 】
SR锁存器(Q*=S+R’Q,SR=0):或非门类型。
Vo 即为SR锁存器的输出 Q
【 3. 功能表 】
【 4. 构成施密特触发电路 】
1. 电路结构
2. 原理
为了提高比较器参考电压VR1、VR2的稳定性,通常在Vco端(即VR1端)接0.01uF左右的滤波电容。
3. 功能描述
【 5. 构成单稳态触发电路 】
1. 电路结构
2. 原理
R S 锁 存 器 : Q ∗ = S + R ′ Q ( R S = 0 ) RS锁存器:Q^*=S+R'Q(RS=0) RS锁存器:Q∗=S+R′Q(RS=0)
- 稳态时:无触发信号,即【VI始终=1(> 1 3 V C C 即 可 \frac{1}{3}V_{CC}即可 31VCC即可),VC2始终=0】,稳态总会保持到Q=0的状态并一直持续下去,TD导通。
- 若通电后,【Q=0,Q’=1】,TD导通,【VC被拉低=0,VC1=0】,即此时【VC1=VC2=0】,Q保持=0。
- 若通电后,【Q=1,Q’=0】,TD截止,VCC和R未组成回路,电容C开始充电, V C 从 0 增 至 2 3 V C C V_C从0增至\frac{2}{3}V_{CC} VC从0增至32VCC后,【VC1=1,VC2=0】,则【Q=0,Q’=1】,TD导通,电容C放电(电容C和三极管TD构成回路)直至【VC1< 2 V 3 , \frac{2V}{3}, 32V,VC1减到0】,则【VC1=0,VC2=0】Q保持=0。
- 触发时:即VI有下降沿来临时,只要【VI降至 1 3 V C C \frac{1}{3}V_{CC} 31VCC,VC2=1】,则【Q=1,Q’=0】,TD截止,C开始充电至VC= 2 3 V C C \frac{2}{3}V_{CC} 32VCC时,【VC1=1,(假定此时V1已回至高于 1 3 V C C \frac{1}{3}V_{CC} 31VCC的位置)即 V C 2 V_{C2} VC2=0】,则【Q=0,Q’=1】,TD导通,电容C开始放电至【VC1=VC2=0】,则Q保持=0。
3. 功能描述
即:
VI下降沿(<
2
3
V
C
C
即
可
\frac{2}{3}VCC即可
32VCC即可)一来,VO立刻置1,VO’=0,TD截止,电容C开始充电,充电到
V
C
=
2
3
V
C
C
V_C=\frac{2}{3}VCC
VC=32VCC(假定此时VI已为1),VO被置0,VO’=1,TD导通,电容C开始放电,放电到Vc1=Vc2=0时,保持为0不变。