数字电路02 二极管门电路，MOS

用二极管设计的话，最大问题是有效区间绝对不一样，导致不稳定！！

NMOS

这个开关就是NMOS 

G输入1，也就是灯亮；G为0等价于灯灭

NMOS可以视作电压控制的电阻，电压是GS的电压差 

封装:就是MOS的尺寸     

Vgsth：打开MOS的属性电压，最高我们的高电平比Vgsth略高，防止干扰

Rdson：MOS被完全打开时的DS电阻，越小越好    

Cgs：GS之间的寄生电容

制造工艺无法避免。影响MOS打开速度

Rdson和Cgs一般呈反比 

PMOS

 PMOS是G低，灯亮，G高电平，灯灭 

正好与NMOS相反

为什么要产生PMOS？

当 我们把NMOS放在灯泡上面，G给出5V电压后，电路接通，那么GS电压要维持5V，必须给G10V，而我们没有10V的电压，所以如果开关在上面 的状态，就必须用PMOS了

这对芯片来说就很有必要：接地+掐点VCC电源

N下P上

 

 他这个图的意思就是，把MOS打通后又分了两种情况，根据V-DS大小来分

而那个电流的变化可以视作线性变化的电阻

CMOS=组合NMOS、PMOS

这样如果低的1，直接接电源给你高1，如果高的0，直接接地给你低的0

上面的是PMOS， Vin=1时，量的电源和Vin的电压是0，上面不导通，而下面的Vin和地产生电压，导致下面导通。这样Vout是0，而且是很低的0.构成反相器

相反Vin=0，Vout=1，而且是很高的1

那如果是中间的电压，怎么办

如果是无效电平，会导致两个MOS一起导通， BC段电路负载过大，不稳定，尽量避免此状态

输入端噪声容限

        指的是输入低/高电平的电压区域范围

V-DD电源电压升高，噪声容限也升高

CMOS的静态特性——输入输出特性 

输入端特性：因为MOS可以背击穿，所以要加一个输入保护电路，原理是利用二极管的反向击穿保护MOS

输出端特性：

Vol是输出电平，Vgs高，说明Rds越来越小，直到Rdson，那就说明Vgs狂加大，Rdson趋近于0导致输出电压接近0，也就是Vol下降

反之一样

 最后一个话是：Voh下降的越少，也就是相对增高 

CMOS的动态特性（电路状态转换的特性）

当输入电压发生变化，输出电压一定会滞后变化，这一时间叫做传输延迟时间。这一现象的原因是电容电压差不可以突变

MOS在静态时（恒1/恒0）功耗为0，工作起来时绝对不是0，因为尖峰电流跳变会产生功耗

其他MOS电路

我们假设上面是电源，下边是地。

AB必须都是1，左边才通，右边仅AB都是1，电路不通，存在0就通，构成互补关系

PMOS是强1器件，NMOS是强0器件，防止阈值损失 

 也就是说P负责上拉，N负责下拉；所谓上拉也就是把结果变成1，下拉就是把结果变成0

OD门

(49条消息) OC, OD门和线与逻辑_dongdongnihao_的博客-CSDN博客_线与逻辑功能是什么

OD门的符号

CMOS的传输门

 两个简化标记

 上下的高低电平会取反。开关断开称之为高阻态

三态门

EN的优先级最高。

总线仅一个设备为1