NOMS管和PMOS管的区别
- 首先,单从性能上讲,pmos的性能不及nmos。因为nmos的导电沟道中载流子是电子,而pmos导电是空穴,电子的迁移率是空穴迁移率的2.5倍左右,导致了电子的电流驱动能力和跨导高于空穴。这里多说一句,迁移率是单位电场内载流子的运动速度。
- 另外,对于给定的器件尺寸和偏置电流,nmos晶体管呈现出较高的输出阻抗,为放大器提供了更加理想的电流源和更高增益。所以人们更加倾向与采用NFETs而不是PFETs。
- 不是说pmos就一无是处了,在实际的CMOS工艺中,我们常常采用nwell工艺,在p-sub上形成很多相对灵活的局部衬底nwell作为pmos的衬底,所以,对于pmos来说,这种灵活性也经常被利用。
- PMOS的噪声性能优于NMOS。PMOS器件的1/f噪声无疑比NMOS晶体管的低,因为前者输运空穴是在“埋沟”中,也就是在距硅-氧化物界面有一定距离的地方。(拉扎维P177)
- 除了PMOS本身的 Noise 比NMOS 小一點之外
有些電路之所以會採用 P-type 而不用 N-type 有可能是因為
用N-TYPE做 可能會受到 Ground Bounce的影響 如果改用 P-Type卻只會受到 Power IRDrop的影響
相較之下 後者較佳. 因為在一般情況下 Ground的行為往往比POWER更加多變