深入模拟版图工程师基础学习：CMOS工艺解析

作为模拟版图工程师，了解CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺是非常重要的，以下是我们需要掌握的基本内容：

1.基础理论：理解CMOS工艺的基本原理和结构，包括NMOS和PMOS晶体管的构造及其工作原理。（重要）

2.工艺流程：熟悉CMOS工艺的制造流程，包括沉积、清洗、光刻、蚀刻、离子注入等步骤，以及每个步骤对器件结构的影响。（了解即可）

3.器件特性：了解CMOS器件的电学特性，如电流-电压特性、电场分布、漏电流等。（了解即可）

4.布局设计规则：理解CMOS工艺下的布局设计规则，包括通道长度、间隙、掩膜层使用等，确保设计符合工艺要求。（重要）

5.器件参数提取：能够进行器件参数提取，如电容、电阻等的计算和模拟。（要会计算电容电阻）

6.工艺变化对设计的影响：了解不同工艺参数对电路设计性能的影响，如工艺节点的缩小对速度、功耗、噪声等的影响。（需要了解）

7.新工艺技术：跟踪新兴的CMOS工艺技术，如BCD工艺、FINFET等，以便在设计中考虑最新的工艺优势和挑战。（需要了解）

1.基础理论

CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体）工艺是制造集成电路的一种常见方法，它基于硅（semiconductor）材料，利用金属氧化物（metal-oxide）和半导体的特性来制造电子元件，主要包括晶体管。

NMOS晶体管的构造和工作原理：

• 构造：
  • NMOS晶体管由N型衬底（通常是硅）构成，其表面覆盖有一层绝缘层（通常是二氧化硅 SiO2）。在绝缘层上方，有一个P型掺杂区域形成晶体管的源极（source）和漏极（drain），这两个区域之间是一个N型掺杂的通道。
  • 上方是一个金属栅极（gate），通常是多晶硅或金属，被绝缘层隔开。
• 工作原理：
  • 当栅极施加正电压时，形成一个电场，使得N型掺杂区域下面的电子被吸引到表面形成导电通道，从而使得源极和漏极之间形成导通。
  • 当栅极施加零电压或负电压时，导电通道关闭，晶体管处于截止状态，电流无法通过。

PMOS晶体管的构造和工作原理：

• 构造：
  • PMOS晶体管与NMOS晶体管基本相反。它也是在P型衬底上形成的，绝缘层和金属栅极同样存在。
  • 源极和漏极是N型掺杂的区域，中间是一个P型掺杂的通道。
• 工作原理：
  • 当栅极施加负电压时，形成的电场使得P型通道下方的空穴（holes）被吸引到表面，形成导电通道，使得源极和漏极之间形成导通。
  • 当栅极施加正电压时，导电通道关闭，晶体管处于截止状态，电流无法通过。

理解不了的，看这句大白话：电路给NMOS管的gate端施加逻辑1，NMOS就导通，施加逻辑0就NMOS关断；给PMOS的的gate端施加0就导通，施加1就关断。

原因：以NMOS为例，NMOS主要是通过控制栅极（GATE）电压来控制通道区域的导电性。当GATE端施加适当的高电平时（例如逻辑“1”或者与源极相同的电压），形成的电场使得通道区域形成导电通道，从而使得源极和漏极之间能够导通。当GATE端施加适当的低电平时（例如逻辑“0”或者接近地电位），电场消失，导电通道关闭，使得源极和漏极之间不导通。PMOS在工作原理上与NMOS类似，但是其导通和截止的控制逻辑与NMOS相反。

2.工艺流程简单了解，用一些大白话讲一下简单的流程。

• 准备硅片：我们开始用一个大而干净的硅片。这片硅会经过多次洗净和处理，确保表面没有任何杂质。<