标准CMOS 工艺流程

标准CMOS 工艺流程

现代CMOS工艺包括200多道工序,但是,为了达到了解的目的,我们可以将其看成下列操作的组合:
(1)生产适当类型衬底的晶片制造工艺;
(2)准确定位每个区域的光刻工艺;
(3)向晶片中添加材料的氧化、淀积和离子注入;
(4)从晶片上去除材料的刻蚀工艺。
这些工序中多数都要求“热处理”,也就是说,晶片必须在炉中经历热循环。

多晶硅是一种无定形(非晶体)形式的硅。正如17章所述,栅上的硅在氧化层上生长时,不能形成单晶。



目前主流的都是硅，现在也逐渐由氮化镓，砷化镓，碳化硅等等这些材料，记住一个特点，它们都是半导体。
半导体具有许多独特的物理性质,这与半导体中电子的状态及其运动特点有密切关系。为了研究和利用半导体的这些物理性质,需要明白半导体单晶材料中的电子状态及其运动规律。
半导体单晶材料和其它固态晶体一样,是由大量原子周期性重复排列而成,而每个原子又包含原子核和许多电子。如果能够写出半导体中所有相互作用着的原子核和电子系统的薛定谔方程,并求出其解,便可以了解半导体的许多物理性质。
但是,这是一个非常复杂的多体问题,不可能求出其严格解,只能用近似的处理方法-单电子近似来研究固态晶体中电子的能量状态。**所谓单电子近似,即假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其它电子的平均势场中运动。**该势场是具有与晶格同周期的周期性势场:用单电子近似法研究晶体中电子状态的理论称为能带论。有关能带论的内容在固体物理学课程中已经比较完整地介绍过了,这里仅作简要回顾,并介绍几种重要半导体材料的能带结构。

基本流程

参考：Razavi-第17章 CMOS工艺技术-519
暴力讲解半导体中的“氮化硅”
制造从约1mm厚的p型硅晶片开始。在清洁和抛光工序后,在晶片表面生长一层作为保护层的二氧化硅薄层,见图17.8(a)。接着,制作n阱,光刻工序包括光刻胶涂敷、用n阱掩模版进行紫外线曝光和选择性刻蚀,然后进行n卧离子注入,见网17.8(b),之后,去除无用的光刻校和氧化层.见图17.8（C）。
前面我们提到,在晶体管之间的区域必须进行场注入和场氧生长,在这道工序中,先牛成由硅钢化物层、氮化硅(Si )层和正性光刻胶层组成的叠层。按者,用“有源区”掩模版光刻,以便只刻蚀出晶体之间的区域、见图17.8(d)D,然后,进行沟道阻断层注入,去除光刻胶,并在刻蚀出的区域生长-层厚氧化层,即生成了场氧。去除作为保护层的氮化物层和氧化物层,见凶17.8(e),从而露出所有用于制作品体管的区域 为清楚起见,后续的图中将省略沟道阻断注入。

氧化

硅的一个独有的特性是,可以在共表耐生成非常均匀的氧化层而几乎不在晶格中产生应力,从而允许棚氧化层的制造薄到几十埃(只有几个原子层),除了作为栅的绝缘材料外,二氧化硅在很多制造工序中可以作为保护层,在器件之间的区域,也可以生成一层称为“场氧 (FOX)的厚SiO2层,使后面的工序可以在其上制作互连线。

具体流程

1、初始清洗初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中，利用化学或物理的方法将在晶圆表面的尘粒或杂质去除，防止这些杂初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中，利用化学或物理的方法将在晶圆表面的尘粒或杂质去除，防止这些杂质尘粒，对后续的工艺造成影响，使得器件无法正常工作。

2、前置氧化利用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜，目的是为了降低后续生长氮化硅薄膜工艺中的应力(stress)，氮化硅具有很强的应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这一层氮化硅及硅晶圆之间，生长一层二氧化硅薄膜来减缓氮化硅与硅晶圆间的应力。

3、淀积氮化硅利用低压化学气相沉积（LPCVD）的技术，沉积一层氮化硅，用来做为离子注入的mask及后续工艺中，定义P 型井区域。

4、P阱的形成将光刻胶涂在晶圆上之后，利用光刻技术，将所要形成的P型阱区的图形定义出来，即将所要定义的P型阱区的光刻胶去除掉。

5、去除氮化硅将晶圆表面的氮化硅，利用干法刻蚀的方法将其去除掉。

6、P阱离子注入利用离子注入的技术，将硼打入晶圆中，形成P 型阱。接着利用无机溶液，如硫酸或干式臭氧（O3）烧除法将光刻胶去除。

7、P 阱退火及氧化层的形成将晶圆放入炉管中，做高温的处理，以达到硅晶圆退火的目的，并且顺便形成一层n型阱的离子注入mask 层，以阻止下一步骤中﹝n型阱的离子注入﹞，n型掺杂离子被打入P型井内。

8、去除氮化硅将晶圆表面的氮化硅，利用热磷酸湿式蚀刻的方法将其去除掉。

9、N阱离子注入利用离子注入技术，将磷打入晶圆中，形成n 型阱。而在P 型阱的表面上由于有一层二氧化硅膜保护，所以磷元素不会植入打入P 型阱之中。

10、N阱退火离子注入之后会严重地破坏硅晶圆晶格的完整性。所以掺杂离子注入之后的晶圆必须经过适当的处理以回复原始的晶格排列。退火就是利用热能来消除晶圆中晶格缺陷和内应力，以恢复晶格的完整性。同时使注入的掺杂原子扩散到硅原子的替代位置，使掺杂元素产生电特性。

11、去除二氧化硅利用湿法刻蚀方法去除晶圆表面的二氧化硅。

12、前置氧化利用热氧化法在晶圆上形成一层薄的氧化层，以减轻后续氮化硅沉积工艺所产生的应力。

13、 氮化硅的淀积利用低压化学气相沉积方法（LPCVD）淀积氮化硅薄膜，用来定义出器件隔离区域，使不被氮化硅遮盖的区域，可被氧化而形成组件隔离区。

14、元件隔离区的掩膜形成利用光刻技术，在晶圆上涂布光刻胶，进行光刻胶曝光与显影，接着将氧化绝缘区域的光刻胶去除，以定义出器件隔离区。

15、氮化硅的刻蚀以活性离子刻蚀法去除氧化区域上的氮化硅。接着再将所有光刻胶去除。

16、元件隔离区的氧化利用氧化技术，长成一层二氧化硅膜，形成器件的隔离区。

17、 去除氮化硅利用热磷酸湿式蚀刻的方法将其去除掉。

18、 利用氢氟酸去除电极区域的氧化层

除去氮化硅后，将晶圆放入氢氟酸化学槽中，去除电极区域的氧化层，以便能在电极区域重新成长品质更好的二氧化硅薄膜，做为电极氧化层。

19、 电极氧化层的形成此步骤为制做CMOS的关键工艺，利用热氧化法在晶圆上形成高品质的二氧化硅，做为电极氧化层。

20、 电极多晶硅的淀积利用低压化学气相沉积（LPCVD）技术在晶圆表面沉积多晶硅，以做为连接导线的电极。

21、 电极掩膜的形成涂布光刻胶在晶圆上，再利用光刻技术将电极的区域定义出来。

22、 活性离子刻蚀利用活性离子刻蚀技术刻蚀出多晶硅电极结构，再将表面的光刻胶去除。

23、 热氧化利用氧化技术，在晶圆表面形成一层氧化层。

24、 NMOS 源极和漏极形成涂布光刻胶后，利用光刻技术形成NMOS源极与漏极区域的屏蔽，再利用离子注入技术将砷元素注入源极与漏极区域，而后将晶圆表面的光刻胶去除。

25、 PMOS 源极和漏极形成利用光刻技术形成PMOS源极及漏极区域的屏蔽之后，再利用离子注入技术将硼元素注入源极及漏极区域，而后将晶圆表面之光刻胶去除。

26、 未掺杂的氧化层化学气相淀积利用等离子体增强化学气相沉积( PECVD )技术沉积一层无掺杂的氧化层，保护器件表面，免于受后续工艺。

27、 CMOS 源极和漏极的活化与扩散利用退火技术，将经离子注入过的漏极及源极进行电性活化及扩散处理。

28、 淀积含硼磷的氧化层加入硼磷杂质的二氧化硅有较低的溶点，硼磷氧化层(BPSG)加热到摄氏800度时会有软化流动的特性，可以利用来进行晶圆表面初级平坦化，以利后续光刻工艺条件的控制。

29、 接触孔的形成涂布光刻胶，利用光刻技术形成第一层接触金属孔的屏蔽。再利用活性离子刻蚀技术刻蚀出接触孔。

30、 溅镀 Metal1利用溅镀技术，在晶圆上溅镀一层钛／氮化钛／铝／氮化钛之多层金属膜。

31、 定义出第一层金属的图形利用光刻技术定义出第一层金属的屏蔽。接着将铝金属利用活性离子刻蚀技术刻蚀出金属导线的结构

32、淀积二氧化硅利用PECVD 技术，在晶圆上沉积一层二氧化硅介电质，做为保护层。

33、 涂上二氧化硅将流态的二氧化硅﹝SOG,spin on glass﹞旋涂在晶圆表面上，使晶圆表面平坦化，以利后续之光刻工艺条件控制。

34、 将 SOG 烘干由于SOG是将二氧化硅溶于溶剂中，因此必须要将溶剂加热去除掉。

35、 淀积介电层淀积一层介电层上。

36、 Metal2 接触通孔的形成利用光刻技术及活性离子刻蚀技术制作通孔（Via），以作为两金属层之间连接的孔道，之后去掉光刻胶。

37、Metal2的形成沉积第二层金属膜在晶圆上，利用光刻技术制作出第二层金属的屏蔽，接着蚀刻出第二层金属连接结构。

38、淀积保护氧化层利用PECVD 方法沉积出保护氧化层。

39、氮化硅的淀积
利用PECVD 沉积出氮化硅膜，形成保护层。

40、PAD的形成

利用光刻技术在晶圆表层制作出金属焊盘（Pa）的屏蔽图形。利用活性离子蚀刻技术蚀刻出焊盘区域，以做为后续集成电路封装工艺时连接焊线的接触区。41、 将元件予以退火处理此一步骤的目的是让器件有佳化的金属电性接触与可靠性，至此一个CMOS晶体管完成。