桥式可逆斩波电路设计方法与心得（1）

桥式可逆斩波电路设计方法与心得（1）

原理分析

驱动电路（基本配置）包括PWM信号处理、封锁信号处理、死区生成、MOSFET 驱动、H桥主电路、直流电源变换（电池7.2V→5V、12V）等6个功能单元。小车所用电机的驱动电路由4个MOSFET构成的桥式可逆斩波电路构成，这里采用IR2110来使管子导通关断，如下图所示，当 V1、V4 导通时间大于 V2、V3 的导通时间时，平均输出电压为正，电机正转；当 V1 与 V4 导通时间小于 V2 与 V3 的 导通时间时，平均输出电压为负，电机反转；当 V1 与 V4 导通时间等于 V2 与 V3 的导 通时间，即占空比为 50%时，平均输出电压为 0，电机转速为 0。

这样一来就需要两路PWM信号来控制V1,V4与V2,V3的导通（即PWM信号处理单元），又由于为了使H桥的上下桥臂不会发生同时导通，本着先断后通的原则需要设置一个死区发生电路。IR2110的11脚（SD）当输入高电平时封锁输出，因此可以由此设计小车的停转（即封锁信号）。由于信号处理等单元采用5v供电，H桥驱动IR2110则采用12v电源供电，MOSFET则使用7.2v电源供电。而我们只提供了一个7.2v的锂离子电池，因此需要设计一个电源变换电路。
考虑到管子要先断后通以保证上下桥臂的管子不会同时导通，故上述PWM信号不能直接加到IR2110上，故需设置死区发生电路。
查irfb7440数据手册得t=5*（183-92）=450，为了保证电路正常工作不妨将死区时间再大一点，即取t为500ns。查手册知CD74HCT08逻辑高电平最小为2V，即Uc =2V, Ui =5V,这样算出来 为978ns。
由CD74HCT08输入电流最大为4mA，为保证信号正常故R最小为1.25K，由于没有1.25k电阻，可选 R=2K， C=0.489nF。考虑到没有0.489nf电容，故这里取1nf，即102。这样选取这样的电容电阻所得到的死区时间约为1000ns。
来自单片机的封锁信号MCU-SD，经与非门CD74HCT00，输出相反信号，从而决定IR2110工作与否（电机转动的前提）。与非门使3.3V电平抬高到5V，同时起到隔离的作用，将单片机与IR2110芯片隔离该电路单元。
MOSFET驱动单元中自举电容必须能提供不低于 ＭＯＳＦＥＴ管栅极 电荷导通所需的电荷，并且在高端主开关器件开通 期间保持其电压。考虑一定的安全裕量这里取1uf

电路原理图

制板

这里需要注意的是电机需要流过大电流的地方要开窗，以便焊接时再焊上一层锡。

总结

以上是电力电子课程设计的内容，在制好板子之后对板子进行了一系列的测试并结合单片机来控制直流电机的运行。测试部分下次见！