大家好，我是砖一。
周末愉快，分享一下东微半导体一些资讯，有做功率元器件&开关电源和IC的朋友可以了解一下，希望对你有用~
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公司介绍
东微半导体，2008年成立于苏州，2022年在上海科创板上市。
主要业务为半导体器件研发与销售，聚焦新能源汽车驱动、电池保护及同步整流，充电桩核心芯片应用领域。
东微半导主要产品包括高中低压MOS管、IGBT以及碳化硅MOS，Hybrid-FET器件。
图1 半导体器件应用领域，来自东微官网
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产品线
2.1
MOS 管
（1）高压GreenMOS系列
该系列特点是比常规MOS管开关速度快，开关曲线更柔和；保证动态损耗极低时，又最大程度限制开关振荡。
这样大大提高效率，热也非常好，而且还能优化EMI设计，可谓是一举三得。
高压系列MOS管有五大系列，如下图。
图2 高压MOS管系列划分，来自东微官网
①通用系列
该系列产品包含500V~900V全系列，具有低导通电阻、低栅极电荷、静态和动态损耗低的特点，可广泛应用于各种开关电源的高性能功率转换领域。
②S 系列
该系列主要是做EMI的优化，主要是在通用系列基础上优化了开关速度，以较低的开关速度达到更好的EMI兼容性，特别适用于小功率电源系统如LED照明、充电器、适配器等领域。
③E 系列
该系列产品综合了通用系列和S系列产品的特性，达到了开关速度和EMI的平衡，特别适用于TV电源、工业电源等领域。
④Z 系列
该系列产品中集成快恢复体二极管（FRD），所以具有快速的反向恢复速度，开关损耗极低并具有很高的可靠性，特别适用于各种半桥、全桥拓扑电路、马达驱动、充电桩等领域。
⑤超级硅 SuperSi 系列
该系列产品特别优化了开关速度，具有极低的品质因数（FOM），同时具有比肩氮化镓功率MOSFET的开关速度，特别适用于高密度电源系统，如PD充电器、模块转换器、大屏幕电视、显示器等领域。
（2）中低压SGTMOS系列
该系列包含20V~200V全系列，采用半浮栅结构。
1、兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，
2、具有更高的工艺稳定性和可靠性
3、更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率
该系列应用于电机驱动、同步整流等领域中。
2.2
IGBT
该系列采用特有TGBT器件结构，以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。
同时期，东微半导体又开发出超高速系列（E系列）TGBT，工作频率达到60-100KHz，可以在满足电源系统进一步高频化的同时，实现更高的效率。
它包含了600V~1350V电压，适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、UPS等领域。
2.3
氮化硅 SiC
第三代半导体的是基于宽禁带半导体材料，如氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、硒化锌（ZnSe），而氮化硅作为第三代半导体材料功率器件，它是未来高性能功率器件的重要组成部分之一。
想了解氮化镓和碳化硅的区别，戳下面这篇文章。
东微目前量产的并联SiC二极管的新一代高速IGBT，很大程度上改善了Eon、trr、 Qrr和Qg等特性，特别适合在追求高效率系统使用，而且支持80-100kHz的高速开关和图腾柱无桥PFC应用。
2.4
Hybrid-FET
它是ROHM命名为“Hybrid MOS”的、同时具备MOSFET和IGBT两者优势的MOSFET，所以说他可以大概认为也是一种MOS管。
Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET，具有导通电流密度高和开关速度快的特点，它可以实现高速关断和大电流处理能力，所以它有更加宽广的安全工作区域和很高的产品可靠性。
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业绩数据
东微半导体在2023 年度实现营业总收入 97,212.71 万元，较上年同期减少 12.92%；营业利润 15,027.97 万元，较上年同期减少 54.02%；利润总额 15,027.97 万元， 较上年同期减少 54.06%。
图3 2023 年度主要财务数据和指标
可见，去年经济收入下滑，跟整体大环境经济低迷和竞争格局的内卷等多重因素有一定联系，产品价格和毛利率部分下降，与此同时，东微积极优化产品组合策略，对现有的工艺迭代升级，稳住主要产品的产能和销量，但由于产品销售价格的下降，导致公司报告期内营业收入较 2022 年同期出现下滑。
好了，今天的文章内容到这里就结束了，希望对你有帮助~
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