MOS管选型参数，注意事项

MOS管的概述及两款常用电源管理芯片分享

   mos管可以应用在信号电路中，例如在i2c通讯进行电平转换，反向控制，可供选型的种类很多，选型方便。

   也常应用在电源上，此时如果选型不合适，可能会产生热量，电流电压可能达不到要求，可靠性变差，因此了解学习mos的各项参数，对选型是有帮助的。

两款常用电源管理芯片设计分享

   RT8809BGQW，外置mos的电源设计，成本比较低，可以做到相对大的功率，设计灵活。

   LTM4630EV/HCE4630，mos集成在芯片内部，芯片成本比较高，功率有要求，使用的时候注意芯片的散热问题。

常用电源mos的封装外形

   选取长晶科技的一款Nmos了解学习其相关参数

   V(BR)DSS，是开路状态下漏极到源极之间所能承受的最大电压。表格给出的数值是30V，但是瞬间30V不会损坏，会降低器件的使用寿命，连续超过30V会导致管子击穿损坏。

   ID表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险，一般在进行使用的时候，会打7.8折，留有裕量进行使用。

   RDS是mos管导通的时候，漏极与源极之间的电阻，会产生热量，属于导通损耗，该值小一些比较好。

极限参数

极限参数也叫做最大额定参数，MOS管在使用的时候超过下面极限参数，管子有可能会发生损坏

VDS，开路状态下，源极与漏极之间的击穿电压；

VGS，栅极与源极之间的电压，最大的驱动电压；

ID，持续的漏极电流；IDM，单脉冲最大的漏极电流；

EAS表示单脉冲雪崩击穿能量，器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低，一次性超过那么多能量，管子会击穿而损坏；

PD表示最大耗散功率，实际功耗应小于此参数并留有一定余量；

热阻表示热传导的难易程度，热阻越小，表示散热性能越好，在进行热仿真的时候可以用到该数值；

管子内部结可以承受的温度范围-55~150摄氏度；

电气参数

MOS管关断时侯的参数

   V(BR) DSS，在VGS = 0V, ID =250uA的测试条件下，最小的漏源之间电压是30V；

   IDSS表示栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源之间的漏电流，一般在微安级，不同的温度下，漏电流大小也会有不同。

   IGSS表示栅极驱动漏电流，越小越好。

MOS管开启时侯的参数

   VGS(th)表示的是MOS的开启电压，手册给出的典型值是1.7V，实际应用中会高于此值，否则可能会造成比较大的损耗。

   RDS(ON)表示MOS的导通电阻，通常导通电阻越小越好，其决定MOS的导通损耗，导通电阻越大损耗越大，不同条件下，导通电阻的数值也会有所不同，选用的时候要注意折中进行选取。

动态特性

如上图，MOS的寄生电容等效模型如上图所示。

   器件选型的时候我们会关注输入电容比较多一些，输入电容越大，给其充满电的时间就会越长，相对应的，放电时间也会增长，器件导通截止时间与其有关越小越好，会影响开关时间，进而影响开关损耗。

   输出电容，反向传输电容（米勒电容），一般对其关注度不高；栅极电阻，作用影响不大；

   由上面的曲线可以看出，寄生电容是随着漏源之间的电压发生变化的。

开关特性

   Qg、Qgs、Qgd、td(on)、tr、td(off）、tf这些参数都是与时间相互关联的参数。

   开关速度越快对应的优点是开关损耗越小，效率高，温升低，对应的缺点是EMI特性差，MOSFET 关断尖峰过高。

寄生体二极管的参数

   导通的压降，以及导通时侯允许通过的最大电流值和单次最大电流值。

电气参数曲线

输出曲线以及传输曲线

   要想mos管通过想要的电流值，对VGS，VDS都有比较高的要求。例如说想要导通时侯通过30A的电流，栅极的驱动电压应该设计在3V左右，上述测试曲线，只是在25摄氏度的时候，实际的应用中应该考虑比较大的裕量。

导通电阻与电流

   漏极电流增加，导通电阻几乎不发生改变，不同的VGS，导通电阻也会不同，为了让导通电阻尽可能小，VGS适当大一些，这样可以降低损耗。

   有图中的参数曲线可以知道，Vgs越大，寄生电容充电时间就会越长，进而导通时间就会变长，开关越慢，开关损耗会增加，所以说合理选取VGS的大小，与上面的图VGS的选取是一个权衡。

   导通电阻与栅极驱动电压之间的变化曲线，由途中曲线可以知道，VGS越大，直流阻抗越低。由上面两幅变化曲线可以知道，VGS的选取应该是适当的，红色方框中的数值具有比较大的借鉴意义。

   上图左侧是体二极管压降与电流值的关系，右侧是MOS开启电压随温度的变化关系，温度高，导通电压会变低。

下图是由各项极限参数构成的安全使用区间

   各个参数创造的边界，在该安全区域范围内使用mos管才不会损坏。

总之，要想选取到合适的mos,需要对元器件的参数有一定的认识，才能更好地帮助我们进行元器件的选型。