一、电阻
1、电阻基本概念及其分类
电阻是电子电路中常用的被动元件,主要用于限流、分压、上下拉以及阻抗匹配等。
导体的电阻计算公式如下:
R=
ρ表示导体电阻率;L表示导体长度;S表示导替横截面积。
其中电阻率与温度成正相关,温度升高会导致电阻率变大,导体电阻变大。
2、电阻的分类
根据材料、结构、用途的不同,电阻可以分为以下几大类:
在实际运用中主要是以贴片式固定值电阻为主,我们主要针对这种电阻进行讨论。
3、电阻主要参数
3.1阻值
贴片式厚膜电阻的标称阻值分为 E6、E12、E24、E48、E96、E192 六大系列,分别使用于允许偏差为±20、±10%、 ±5%、±2%、±1%、±0.5%的电阻。其中以 E24 和 E96 两个系列为最常用。
3.2精度
电阻的精度一般用字母表示:
T | A | B | D | F | J | K |
±0.01% | ±0.05% | ±0.1% | ±0.5% | ±1% | ±5% | ±10% |
在日常使用中,±1%和±5%最常用,没有特殊要求的通常使用±5%,在对精度要求高的场合场合使用±1%,例如:DCDC反馈、电流采样等
3.3封装、耐压、功率
封装与耐压和功率是紧密相关的,一般来说同种材质的电阻封装越大电阻的耐压和功率也越大。
主要原因是因为封装越大导体截面积越大,可以通过更大的电流,并且散热能力也更好,所以功率也会更大。电压施加在电阻上会产生电场强度。并且大封装电阻体相对较长,电场强度较低,耐压能力较强。耐压除了与封装有关系还与电阻材质和结构有关,一般线绕电阻的耐压较高,薄膜电阻(金属膜/碳膜)比厚膜电阻耐压高。
常见封装和功率与耐压的对应关系如下表(注:参考的厚声电阻,品牌之间存在差异)
封装 | 功率 | 最大工作电压 | 最大负载电压 | 封装尺寸 |
0201 | 1/20W | 25V | 50V | 0.6X0.3mm |
0402 | 1/16W | 50V | 100V | 1.0X0.5mm |
0603 | 1/10W | 75V | 150V | 1.6X0.8mm |
0805 | 1/8W | 150V | 300V | 2.0X1.2mm |
1206 | 1/4W | 200V | 400V | 3.2X1.6mm |
1210 | 1/2W | 200V | 500V | 3.2X2.5mm |
1812 | 3/4W | 200V | 500V | 4.5X3.2mm |
2010 | 3/4W | 200V | 500V | 5.0X2.5mm |
2512 | 1W | 200V | 500V | 6.4X3.2mm |
3.4材质
平常使用以厚膜电阻为主,在大电流小空间的电流采样情况下会使用合金电阻,以更小的封装达到更大的功率要求。
3.5温漂
是指电阻值随温度变化的特性,通常用 温度系数 表示,单位是 ppm/°C(百万分之一每摄氏度)。它描述了温度每变化1°C时,电阻值的相对变化量。
电阻的温度系数(TCR)计算公式:
其中:
是温度 T(°C)时的电阻值;
是25°C时的标称电阻值;
- T是当前温度(°C)。
4、电阻选型指南
①现根据理论需求算出电阻值,如果不是标称值,做适量调整选取标称值。
②根据算出的电阻阻值,再结合电路其他参数求出功耗。
③根据理论功耗,在留有一定裕量的情况下确定封装。
④根据电路功能要求确定精度要求。
5、电阻的典型应用
5.1上拉
R1915和R1916在I2C通信中做上拉以提供高电平状态。
(关于上拉电阻的值可参考另一篇文章:I2C上拉电阻的计算_i2c上拉电阻计算-CSDN博客)
5.2阻抗匹配
通常一些重要的单端信号上串联22Ω~33Ω和IO内阻一起组成50Ω单端阻抗。
二、0Ω电阻
0Ω电阻是一种特殊的电阻,尽管标称阻值为零,实际上存在50mΩ以内的阻值,但在实际电路设计中具有多种重要作用。它既可以用作简单的跳线,又能在调试阶段起到至关重要的作用,在电路中充当不可或缺的角色。
由于0Ω电阻的特殊性,所以没办法计算其功率和通流能力,一般情况不同封装对应不同的通流能力,具体如下表格:
封装 | 0402 | 0603 | 0805 |
通流能力 | 0.5A | 1A | 2A |
1、单点接地
在模拟地(AGND)和数字地(DGND)之间用0Ω电阻连接,减少地环路干扰,同时保持共地。
2、充当低成本保险丝
在大电流路径中,0Ω电阻可在短路时熔断,保护后续电路(需选择合适的封装)。
3、预留位置
在设计阶段提前预留位置,在调试阶段根据调试结果焊接合适参数的电阻,以及在测电流时可以去掉OΩ电阻以方便串电流表。
三、特殊电阻
1、压敏电阻
1.1、简介
压敏电阻(MOV)是一种具有非线性伏安特性的电阻器件,在正常电压工作条件下相当于一个小的电容,当电压过大时,他的内阻急剧下降并迅速导通。所以压敏电阻主要用于在电路承受过压时进行电压钳位,吸收多余的电流以保护敏感器件。
1.2、压敏电阻的构成和工作原理
①压敏电阻的构成
压敏电阻主要是利用陶瓷工艺制成的,它的内部微观结构中包括氧化锌品粒以及晶粒周围的晶界层。氧化锌品粒的电阻率很低,而品界层的电阻率却很高,相接触的两个品粒之间形成了一个相当于齐纳二极管的势垒,这就是一压敏电阻单元,其中每个单元击穿电压大约为 3.5V。如果将许多的这种单元加以串联和并联就构成了压敏电阻的基体。串联的单元越多,其击穿电压就高,基片的横截面积越大,其通流容量也越大。压敏电阻在工作时,每个压敏电阻单元都在承受浪涌电量,而不象齐纳二极管那样只是结区承受电功率,这就是压敏电阻为什么比齐纳二极管能承受大得多的电量的原因。
②工作原理
压敏电阻的核心特性是电压敏感的非线性电阻,其工作过程可分为三个阶段:
(1)低电压区(泄漏电流区)
外加电压远低于压敏电压(如V1 mA)时,ZnO晶粒间的肖特基势垒阻挡电子流动。仅有极小的漏电流(μA级),相当于高阻态(数兆欧姆类似绝缘体)。
(2)击穿区(非线性区)
当电压达到压敏电压(V1 mA)时,肖特基势垒发生隧道击穿或场致发射,电子跨越势垒。电阻急剧下降,电流大幅上升(呈指数增长),实现电压钳位。
(3)大电流区(能量吸收)
电压继续升高时,压敏电阻进入低阻态,通过大电流吸收浪涌能量(如雷击、ESD)。若能量超过耐受极限,可能导致器件热击穿失效。
压敏电阻的伏安特性曲线如下图,其中压敏电压VN是击穿区的临界点,电压大于VN
压敏电阻开始动作,发挥钳位作用。
1.3、压敏电阻的参数及选型
①压敏电阻参数解读
1、压敏电压Varistor Voltag ():
指通过规定持续时间的脉冲电流(一般为1mA 持续时间一般小于400ms)时压敏电阻器两端的电压值。
2、最大连续工作电压Maximum Allowable Voltag (、
)
可长期施加的最大交流(有效值)或直流电压。
3、最大钳位电压Clamping Voltag ():
在压敏能承受的最大脉冲峰值电流Ip及规定波形下压敏电阻两端电压峰值。
4、通流容量Withstanding surge current (kA):
通流容量也称通流量,是指在规定的条件(波形为 8/20µs 的浪涌电流冲击压敏电阻器一次或两次,每次间隔5分钟)下,使的压敏电压变化仍在10%以内的最大冲击电流。
5、额定功率:
在特定的环境温度85℃下工作1000小时,使压敏电压变化小于10%的最大功率。
6、静态电容量(PF):
指压敏电阻器本身固有的电容容量。
7、漏电流(mA):
环境温度 25℃时,在压敏电阻上施加其所属规格的最大连续直流工作电压,流过压敏电阻的直流电流;交流漏电流的大小不仅与交流电压(有效值)的大小有关,也和它的频率有关,频率越高,漏电流越大;
8、能量耐量Maximum energy(J)
是指压敏电阻能够吸收规定波形的浪涌电流或脉冲电流的最大能量压敏电阻能量。
计算方式W=K.I.U.T(J)式中:
I--流过压敏电阻器的电流峰值;
U--在电路I流过压敏电阻器时,在其两端产生的电压;
T--电流I持续的时间;
K--电波波形系数,对2ms的方波,K=1;对于8/20μs波,K=1.4;对于10/1000μs波,K≈1.4。
②压敏电阻选型指南
压敏电阻一般应用于电源电路、信号电路的保护,选型参数一般重点关注以下几个:
- 确定应用电路正常工作电压和压敏电压:一般情况压敏电压取值为电路最大直流工作电压的1.5~2倍,AC电源时应考虑峰值。
- 确定防护量级和通流量:计算回路电流为I=V/R,器件通流量l1≥2I;
- 确定结电容的影响:压敏电阻加在信号电路时,防护器件的结电容需要根据保护电路信号速率来定,不能影响被保护电路的正常工作。
- 确定漏电流的影响:压敏电阻加在线对地之间的电源电路时,需要考虑漏电流对于产品的影响;
1.4、压敏电阻与TVS管对比
①压敏电阻具有较强的能量吸收能力:压敏电阻适合高能量浪涌,如雷击;TVS管适合快速尖峰,如ESD。
②压敏电阻相对于TVS管响应时间慢:压敏电阻主要是用来防止雷击的,雷击的能量其实是us级别的,实际上压敏电阻的反映时间差不多是ns级别。另外它的个头也相对较大,那么要实现对芯片器件更为精细的保护,这个时候压敏电阻就有点吃力了。针对反应速度更高的应用场合下,一般使用TVS二极管,它的反应时间为ps级别的,而且它的体积也相对比较小,比如0603或者0402封装。
③压敏电阻在经历多次浪涌后性能会出现退化,使用寿命较短,而TVS管可重复使用,稳定性高,不易劣化,使用寿命长。
2、热敏电阻
普通电阻器的阻值受温度变化的影响很小,但是热敏电阻器完全不同,它的阻值随温度的变化而变化,是一种用温度控制电阻器阻值的元件。
根据温度系数不同分为正温度系数热敏电阻(PTC)和负温度系数热敏电阻(NTC)。
下图分别展现了PTC和NTC电阻阻值随温度的变化。
PTC电阻常用作过流过热保护,一般在高温时随着阻值的变大,其发热严重以至于自熔断,起到断电保护作用,当温度降下来之后,电路又重新恢复。
NTC一般用作温度测量,NTC额定功率都是毫瓦级别,一般最多都是在50mw的功率,所以NTC自身的发热微乎其微,可以忽略自身发热产生的影响。NTC电阻在电池充放电电路中的运用,电池用NTC电阻来时刻关注电池温度变化,防止电池过热对电池造成损伤。
3、光敏电阻
光敏电阻是一种基于内光电效应的半导体元件,它的阻值依赖于入射光强的变化。入射光强增加,光敏电阻的阻值减小,入射光减弱,光敏电阻阻值增大。一般用于光信号控制电信号、光的测量等。