【Cadence Virtuoso】IC617 入门操作 (MOS特性分析)

前言

  本文为本人学习Cadence Virtuoso相关操作的学习笔记,意为帮助入门小白快速上手,采用的软件版本为Cadence Virtuoso IC617

  本文主要目的是介绍如何用Cadence Virtuoso IC617进行Library的创建、cell的创建、简单仿真操作。

一、软件操作

(1)创建自己的Library

  打开CIW页面,顺序点击File->New->Library进行创建

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  对弹出的New Library页面进行设置,分别进行,并将其挂载于已存在的技术库 “TSMC18rf” ,最后点击OK

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  新建完成后,可以点击Tools->Library Manager进行查看

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  可以看到名为 “CSDN” 的Library已经创建完毕
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(2)创建Library下的 Cell

  在CIW窗口下或者Library Manager窗口下进行新建,操作一致,此处以Library Manager窗口下创建为例顺序点击File->New->Cell view
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  弹出New File窗口,对其进行设置,1、选择文件存储的Library 为 “CSDN” ; 2、将Cell命名为 “MOS” ;3、选择视图View为 “schematic” ; 4、点解OK完成Cell创建
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二、电路搭建

(1)调出器件

  在弹出的原理图窗口下,按快捷键 “i” 添加器件弹出 “Add Instance” 对话框
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   “Add Instance” 对话框下,点击Browse进行浏览,选择需要调用的器件。
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  此处从tsmc18rf技术库中调出一个nmos,名为 “nmos3v”,选择后,鼠标移到电路图页面,即可看到待放置的器件。

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  可以在放置前对MOS的相关参数进行设置,或者放置后,选择器件,用快捷键Q进行参数设置修改,页面如下
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  同理,为了进行仿真设置,需要调取analoglib中的理想直流电压源 “vdc”“gnd”,进行电路搭建。
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最后电路如图所示:
  将电源的value分别设置为 “vgs”“vds”,当然,直接设置为具体的值也是可以的,这里我选择参数的目的,是为了下面教你们进行参数相关操作,比如参数扫描。

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三、电路仿真

(1)打开仿真工具“ADE L”

  如图,在原理图页面左上角,选择 “ADE L” 工具进行仿真
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(2) 对参数进行赋值

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(3)选择仿真的输出端口

  具体为什么这么选,翻译以下很清楚,不再过多阐述,能来看这个文章的,英语能力都是可以的!
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  进行上图点击后,页面会自动切换到原理图页面,此时需要对待观察端口进行选择
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  选择好待观察的端口,然后如下图

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(4)选择仿真类型

  兄弟坚持下,再点“亿”下下,就可以看到仿真图了!!!看到这,你还快去给我 “一键三连” !我敲字也好累啊!

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  弹出选择仿真类型的窗口 “Choosing Analyses”,此次需要进行DC分析,因此选择 “dc”
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  对选择的参数 “vds" 进行扫描,范围0~3.3V,如下图。
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(5)dc仿真结果

  “Netlist And Run” 扫描vds得到的结果

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四、参数分析(Parameter Analysis)

(1)打开Parameter Analysis工具

   在“ADE L”窗口,顺序点击Tools->Parameter Analysis

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  弹出 >Parameter Analysis页面

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(2) 参数分析仿真结果

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(3) 仿真图背景修改

  打开仿真图背景设置

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  将背景设置为白色,便于观察,以及文档绘制

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(4) 仿真曲线显示格式修改

  选中需要修改的线,右击进行线条 “Width” 属性修改

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  选中需要修改的线,右击进行线条 “Style” 属性修改

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  重复操作,将每条线都进行相应调整,当然也以在工具栏中选择Graph->Add Label 进行标签添加,或者通过Marker选择 ”Create Marker“ 进行辅助线的添加,进行对仿真图的解释。此处进度线条进行修改。

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五、电路分析

  过对电路中MOS管的尺寸进行修改,进行理论分析

参见【笔记:模拟CMOS集成电路】MOS特性仿真分析

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