SRAM 与 EXMC

 SRAM 属于数RAM的一种，RAM和ROM是相对而言的，使用SRAM写入数据5只需要写入一次即可只要数据不掉电写入的数据就会一直存在，DRAM需要一直刷新，如果不刷新数据就会丢失。

芯片的内部结构

对于SRAM芯片来说一个地址对应的是2个字节，对应的存储空间是512k * 16 位对应到的字节是1024个字节1M，为了可以更好的访问高8位和低8位就会使用到UB位个LB位。

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SRAM芯片时序

1. 主机使用地址信号线发出要访问的存储器目标地址，
2. 控制片选信号CS1使能存储器芯片，
3. 若是要进行读操作，则控制读使能信号OE表示要读数据
4. 若进行写操作则控制写使能信号WE表示要写数据:
5. 使用掩码信号LB与UB指示要访问目标地址的高、低字节部分
6. 若是读取过程，存储器会通过数据线向主机输出目标数据
7. 若是写入过程，主要使用数据线向存储器传输目标数据。

 

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时序图：

 对应的时间周期是55ns，读周期是55ns，写周期也是55ns

 外部的SRAM芯片相对于内部的内存读写效率是没有那么高的

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EXMC 工作原理

存储器的映射

 GD 32 是bank0 - bank3，第一个bank是用于驱动norflash的... 最后一个bank是用于驱动PC的。

 对于第一个bank又会被划分为4个小块，每一块都有对应的存储空间

关键知识点：在使用EXMC驱动外部设备的时候还有一个环节就是系统总线，需要先经过系统总线再经过EXMC再去驱动外部存储器，（一个地址占用的大小就是一个字节）。

一个地址对于一个字节的存储空间，如果想要区分4个小块就要经过EXMC经过转换，将两个地址信号线转换为4根片选信号线。

对于两个地址的信号而言需要使用掩码信号转换单元，一个信号线对应两个IO口对应外部存储器的UB和LB。

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EXMC 控制SRAM时序

主要是关注两个寄存器，一个是地址建立周期，一个是数据建立时间周期，也是额外的加上 1 。

针对读和写都有对应的寄存器一个是读时序寄存器，一个是写时序寄存器，拓展模式如果使能拓展模式可以对相关的模式进行对应的配置。

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