2023 晶体管中常用偏置电路分析:关键词: 分压器 电阻器 耦合电容器or MOS放大器原理 及分类 放大器的概念

2023/0601 

晶体管中常用偏置电路分析:

关键词: 分压器 电阻器 耦合电容器

or MOS放大器原理 及分类 放大器的概念

.[[电路



 

上述偏置电路包括分压器，其主要作用是对晶体管进行单向偏置。因此，这是晶体管中最常用的偏置方法

 

2[解析:它使用两个电阻器来确认电压是否分离并以正确的电平分配到MOSFET中。它是通过两个R1和R2并联电阻实现的。

电路中的C1和C2耦合电容器保护偏置直流电压免受要放大的交流信号的影响。

最后，将输出提供给由RL电阻形成的负载。偏置或栅极电压可以由下式给出：

VG = Vsupply x (R2/R1+R2)

2/

 



 

其中，R1和R2的值通常会很大，以增强放大器的输入阻抗并降低欧姆功率损耗。

 

输入和输出电压(Vin和Vout)

为了简单起见，需要考虑没有负载与漏极分支并联。输入电压 (Vin) 可以通过栅极 (G) 提供给源 (S) 电压，即VGS。RS电阻上的电压降可由RS×ID给出。

 

3/

 



 

根据跨导 (gm) 定义，当施加恒定的漏源电压时，ID(漏极电流)与 VGS(栅源电压)的比值，即：

(gm) = ID/VGS

因此，ID = gm×VGS，并且输入电压 (Vin) 可以由 VGS 分解，如下所示：

Vin = V GS x (1+gmRs)

 

o/p电压 (Vout) 简单地通过漏极电阻 (RD) 上的电压降给出：

Vout = – RD x ID = -gmVGS RD

 

3.此外，电压增益 (AV) 是输入电压与输出电压的比值。简化后，方程将变为：

Av = – RD/Rs=1/gm

在上述等式中，符号“-”来自MOSFET放大器与BJT CE放大器等效地反转o/p信号这一原理。因此，相移为180°或π rad。

 

____ 

意义:MOSFET技术以更少的功率处理数字信号。MOSFET放大器是全球99%的微芯片的设计选择。最常用的FET放大器，用于放大目的的场效应晶体管主要优点是具有较小的o/p阻抗和最大的i/p阻抗。通常情况下，MOSFET在线性/欧姆、截止以及饱和三个区域工作。在这三个区域中，当MOSFET用作放大器时，它们应该工作在欧姆区域，当施加的电压增加时，流经器件的电流会增加。MOSFET可在许多应用中用作小信号线性放大器。通常，在放大器电路中，场效应晶体管工作在饱和区。在MOSFET放大器中，栅极电压的微小变化将在漏极电流中产生很大的变化，就像在JFET中一样。因此，MOSFET会增加微弱信号的强度，所以它可以充当放大器。

 

-2MOSFET放大器的类型MOSFET放大器有共源极 (CS)、共栅极 (CG) 和共漏极 (CD) 三种 共源极 (CS)，在此配置中，源端子充当i/p和o/p之间的公共端子 。共源MOSFET放大器与BJT的CE(common-emitter)放大器有关。由于高增益和可以实现更大的信号放大，这非常受欢迎。共源MOSFET放大器具有无限 i/p阻抗、高o/p电阻和高电压增益。输出电阻可以通过降低RD来降低，而电压增益也可以降低。与大多数晶体管放大器一样，共源MOSFET放大器的高频性能较差。共栅 (CG) 放大器通常用作电压放大器或电流缓冲器。在CG配置中，晶体管的源极端子 (S) 像输入一样工作，而漏极端子像输出一样工作，栅极端子连接到地 (G)。共栅极放大器配置主要用于在i/p和o/p之间提供高度隔离，以防止振荡或减小输入阻抗 公共漏极放大器或源极MOSFET跟随器共漏极 (CD) 放大器是将输入信号提供给栅极端子并从源极端子获得输出，从而使漏极 (D) 端子为两者共用CD放大器经常用作电压缓冲器来驱动小型o/p负载。这种配置提供了极高的i/p阻抗和低的o/p阻抗 -3MOSFET放大器与普通放大器的区别放大器是一种电子电路，用于放大提供给其i/p端子的信号幅度并产生高幅度信号作为输出。 用于放大提供给其i/p端子的信号幅度并产生高幅度信号作为输出。而MOSFET放大器是放大器中的一个子类别，它使用MOSFET或金属氧化物半导体场效应晶体管技术以相当低的功耗处理数字信号。 4小信号分析【略1，略2】