计算机组成原理精炼笔记（三）存储器

计算机组成原理精炼笔记（三）存储器

一、概述

1、存储器的分类

2、DRAM的刷新（考点）

RAM: Random Acess Memory (随机访问存储器)

ROM: Read Only Memory(只读存储器)

RAM分为以下两类：

(1) SRAM

• 特点：利用双稳态触发器存储信息，速度快，非破坏性读出
• 用途：高速缓存

(2) DRAM

• 特点：依靠电容上的电荷存储信息，集成度高，但信息易失，需要定期刷 新内容
• 用途：内存

刷新分为以下三类：
（1）集中刷新

• 给出的条件：存取周期0.5 us、刷新间隔 2ms
• 存取周期是存储器进行一次读/写所需要的时间。
• 集中刷新是指在一定时间段内停止访存的刷新，假设我们每次刷新矩阵的一列，那么对于下图的参数来说，死区比例为3.2%, 死区时间2ms

（2）分散刷新

• 每个存取周期内读/写 + 刷新
• 这样虽然没有死区，但是刷新时间会延长
  

（3）异步刷新（前两种刷新方式的结合）

• 2ms / 128 行 = 15.6us/行 ，若每隔15.6us刷新一行，则每行的刷新间隔为2ms, 死区比例 0.5/15.6 = 3.2%
• 和集中刷新近似，但是死区时间变成了0.5us (被划分的更细了)
  

3、存储器的层次结构

二、主存储器

1、主存和CPU的关系

2、主存的基本组成

3、主存的主要技术指标

4、主存地址的分配

5、存储芯片片选线的作用（考点）

下图列维度是位扩展，行维度是字扩展(详细内容参见下文第三部分)

三、存储器容量的扩展（重要考点）

0、符号说明

• 1k x 8 表示存储器有10根地址线和8根数据线
• CS 表示 chip select 片选信号，选择存储芯片
• WE 表示 读写控制信号，低电平写高电平读
• A0 - A9 表示地址线，D0 - D9表示数据线

1、位扩展

顾名思义，按位扩充是扩大存储器的位数，存储单元数目不变，每个单元的位数增加

• 地址线：各个芯片的地址线直接与CPU的地址线连接起来
• 数据线：各个芯片的数据线分别与CPU数据线的不同位连接起来（也就是一个芯片连接高位，另一个芯片连接低位）
• 片选以及读写线：各个芯片的片选以及读写信号线直接与CPU的访问以及读写信号连接起来
• 按位扩充的实质：对于同一个地址增加一个芯片扩大数据位数

2、字扩展

• 实质：数据位数不变的前提下，增加一个芯片使得地址扩大一位

3、字、位扩展

分析方法：先位扩展后字扩展

• 先把8个芯片两两分组进行位扩展(连接D0 - D7)，读写信号均连接在一起
• 然后四个1k x 8的芯片再进行字扩展(片选线连接A10，A11)由于是四组，所以需要一个2-4译码器
  

四、存储器和CPU的连接（重要考点）

结合例题阐述基本方法

1、例题

2、基本方法

（1）确定芯片的数量和类型

最好是把地址写出来，如下图：

• 注意到CPU位数为8位
• 6000H - 67FFH 可变地址共有11位，也就是2k x 8, 且需要用ROM
• 6800H - 6BFFH 共有3FF = 10位(不要错写成11位)，就是1k x 8,且需要RAM , 但只有1k x 4的芯片，因此需要位扩展

（2）分配地址线

• 片选线：A13， A12， A11通过一个三八译码器判断，
  等于100 为ROM。等于 101 并且A10为0为RAM。
• ROM地址线直接和A0 - A10相连即可
• RAM地址线直接和A0 - A9相连即可
• ROM的读写接地，标明 $\overline{\text{PD}}$/Progr

（3）确定片选信号

• 熟悉三八译码器的结构，G1高电平有效，G2A低电平有效，G2B和MREQ相连
• C是高位
• 100 = 4 = Y4低电平， 101 = 5 = Y5低电平
• 与门要先取反再与
• 片选低电平有效（因为CS上面有一横杠），切记

结果图

五、海明校验（考点）

待更新

六、高速缓冲存储器（重要考点）

待更新

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参考博文

https://blog.csdn.net/qq_43446165/article/details/104945408