计算机组成原理精炼笔记(三)存储器
文章目录
一、概述
1、存储器的分类
2、DRAM的刷新(考点)
RAM: Random Acess Memory (随机访问存储器)
ROM: Read Only Memory(只读存储器)
RAM分为以下两类:
(1) SRAM
- 特点:利用双稳态触发器存储信息,速度快,非破坏性读出
- 用途:高速缓存
(2) DRAM
- 特点:依靠电容上的电荷存储信息,集成度高,但信息易失,需要定期刷 新内容
- 用途:内存
刷新分为以下三类:
(1)集中刷新
- 给出的条件:存取周期0.5 us、刷新间隔 2ms
- 存取周期是存储器进行一次读/写所需要的时间。
- 集中刷新是指在一定时间段内停止访存的刷新,假设我们每次刷新矩阵的一列,那么对于下图的参数来说,死区比例为3.2%, 死区时间2ms
(2)分散刷新
- 每个存取周期内读/写 + 刷新
- 这样虽然没有死区,但是刷新时间会延长
(3)异步刷新(前两种刷新方式的结合)
- 2ms / 128 行 = 15.6us/行 ,若每隔15.6us刷新一行,则每行的刷新间隔为2ms, 死区比例 0.5/15.6 = 3.2%
- 和集中刷新近似,但是死区时间变成了0.5us (被划分的更细了)
3、存储器的层次结构
二、主存储器
1、主存和CPU的关系
2、主存的基本组成
3、主存的主要技术指标
4、主存地址的分配
5、存储芯片片选线的作用(考点)
下图列维度是位扩展,行维度是字扩展(详细内容参见下文第三部分)
三、存储器容量的扩展(重要考点)
0、符号说明
- 1k x 8 表示存储器有10根地址线和8根数据线
- CS 表示 chip select 片选信号,选择存储芯片
- WE 表示 读写控制信号,低电平写高电平读
- A0 - A9 表示地址线,D0 - D9表示数据线
1、位扩展
顾名思义,按位扩充是扩大存储器的位数,存储单元数目不变,每个单元的位数增加
- 地址线:各个芯片的地址线直接与CPU的地址线连接起来
- 数据线:各个芯片的数据线分别与CPU数据线的不同位连接起来(也就是一个芯片连接高位,另一个芯片连接低位)
- 片选以及读写线:各个芯片的片选以及读写信号线直接与CPU的访问以及读写信号连接起来
- 按位扩充的实质:对于同一个地址增加一个芯片扩大数据位数
2、字扩展
- 实质:数据位数不变的前提下,增加一个芯片使得地址扩大一位
3、字、位扩展
分析方法:先位扩展后字扩展
- 先把8个芯片两两分组进行位扩展(连接D0 - D7),读写信号均连接在一起
- 然后四个1k x 8的芯片再进行字扩展(片选线连接A10,A11)由于是四组,所以需要一个2-4译码器
四、存储器和CPU的连接(重要考点)
结合例题阐述基本方法
1、例题
2、基本方法
(1)确定芯片的数量和类型
最好是把地址写出来,如下图:
- 注意到CPU位数为8位
- 6000H - 67FFH 可变地址共有11位,也就是2k x 8, 且需要用ROM
- 6800H - 6BFFH 共有3FF = 10位(不要错写成11位),就是1k x 8,且需要RAM , 但只有1k x 4的芯片,因此需要位扩展
(2)分配地址线
- 片选线:A13, A12, A11通过一个三八译码器判断,
等于100 为ROM。等于 101 并且A10为0为RAM。 - ROM地址线直接和A0 - A10相连即可
- RAM地址线直接和A0 - A9相连即可
- ROM的读写接地,标明 PD ‾ \overline{\text{PD}} PD/Progr
(3)确定片选信号
- 熟悉三八译码器的结构,G1高电平有效,G2A低电平有效,G2B和MREQ相连
- C是高位
- 100 = 4 = Y4低电平, 101 = 5 = Y5低电平
- 与门要先取反再与
- 片选低电平有效(因为CS上面有一横杠),切记
结果图
五、海明校验(考点)
待更新
六、高速缓冲存储器(重要考点)
待更新
参考博文
https://blog.csdn.net/qq_43446165/article/details/104945408