SDRAM学习记录（一）（正点原子教程）

最新推荐文章于 2024-02-28 08:26:19 发布

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分类专栏： FPGA学习文章标签：学习 fpga开发

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我是跟着正点原子例程中的SDRAM部分学习的，虽然有视频教程，但前前后后还是拖了很久，现在做完了之后写个博客记录一下，整理中途遇到的问题和不会的点，同时也方便之后如果忘记了好找。

这一部分主要是记录的是SDRAM的管脚描述，需要了解的英文缩写以及对SDRAM的初始化操作。

SDRAM管脚描述

管脚名称	位宽	管脚描述	其他
CLK	1	系统时钟	边沿有效
CKE	1	时钟使能	高电平有效
BA	2	Bank地址
WE	1	写使能	低电平为写，高电平为读
CAS	1	列地址选通	低电平有效
RAS	1	行地址选通	低电平有效
CS	1	片选	低电平有效
A0-A12	13	地址线	地址线复用，行地址A0-A12，列地址，列地址A0-A8
DQ0-DQ15	16	数据线	数据输入和输出
LDQM	1	输入输出掩码	每个DQM信号线对应一个字节，控制低八位，高电平有效（下同）
UDQM	1	输入输出掩码	控制高八位

用到的英文缩写

英文缩写	含义	补充
row	行
column	列
Precharge	预充电
tRP（Precharge command Period）	预充电有效周期	发送预充电命令后，经过一段时间才能发送行激活命令打开新的工作行
AR （auto refresh）	自动刷新
SR （self refresh）	自刷新
tRC	自动刷新周期	在自动刷新指令发出后等待tRC才能发送其他指令
MRS （mode register set）	模式寄存器设置
tRSC（Register Set Cycle）	模式寄存器设置周期	模式寄存器指令发出后，需要等待一段时间才能向SDRAM发送新的指令
tRCD（RAS to CAS Delay）	行激活与列读写的时间间隔	行激活命令发出后，元件响应需要时间
CL（CAS Latency）	CAS潜伏期（读数据出现）	CAS/读指令发出后，到数据输出间的时间
Write Back	写回操作
tWR （Write Recovery Time）	写入校正时间（写数据出现）	为了保证数据的可靠写入，留出足够的时间
Burst	突发
BL（Burst Lengths）	突发长度	1、2、4、8、全页（一整行数据量）一行有9列，2^9=512
DQM （Data I/O Mask）	数据掩码技术

初始化操作

对各个状态、状态跳转条件、输出进行说明：

I_NOP：初始化的初始状态，等到200us稳定期结束后跳转到发送预充电指令状态，在此状态发送NOP指令。

I_PRE：发送预充电指令状态，只维持一个时钟周期，下一个时钟周期跳转到预充电等待状态，在此状态发送预充电指令。

I_TRP：预充电指令等待状态，在此状态等待时间满足TRP后就跳转到发送自动刷新指令状态，在此状态发送NOP指令（防止对SDRAM进行误操作）。

I_AR：发送自动刷新指令状态，只维持一个周期，下一个时钟周期跳转到自动刷新等待状态，在此期间发送自动刷新指令。

I_TRF：自动刷新等待状态，在此状态等待时间满足TRC时进行判断，若自动刷新次数满足要求（8次）后就跳转到下一个发送模式寄存器设置指令状态，在此状态发送NOP指令，若不满足自动刷新次数要求就继续进行自动刷新操作，跳转到状态I_AR。

I_MRS：发送模式寄存器设置指令状态，只维持一个时钟周期，下一个时钟周期跳转到模式寄存器设置指令等待状态，在此期间发送模式寄存器设置指令。

I_TRSC：模式寄存器设置指令等待状态，在此状态等待时间满足TRSC后就跳转到初始化完成状态，在此状态发送NOP指令。

I_DONE：初始化结束状态，完成初始化后一直停留在这个状态；在此状态发送NOP指令，并将初始化完成信号拉高以通知其他模块开始进行工作。

根据状态转移图写初始化状态机，其中需要记录200us稳定时间的计数器，记录8个自动刷新周期的计数器和控制等待时间的延时计数器。

//延时参数

`define   end_trp           cnt_clk   == TRP_CLK //预充电有效周期结束
`define   end_trfc       cnt_clk   == TRC_CLK //自动刷新周期结束
`define   end_trsc       cnt_clk   == TRSC_CLK //模式寄存器设置时钟周期结束

//parameter define

//查芯片手册

parameter TRP_CLK = 10'd4; //预充电有效周期
parameter TRC_CLK = 10'd6; //自动刷新周期
parameter TRSC_CLK = 10'd6; //模式寄存器设置时钟周期

关于如何根据芯片手册设置参数：

举个栗子：我用的芯片型号是W9825G6DH-6，看的就是第二列【-6】，tRC要求的最小值是60ns，如果驱动时钟用的是100MHz，那么周期就是10ns，将参数定义为6，6*10ns=60ns，就能刚好满足要求。

初始化状态机代码（部分）

wire     done_200us;  //稳定期结束标志

reg [14:0]      cnt_200us;  //初始化200us稳定期
reg [3:0] init_ref_cnt;  //初始化8次刷新计数器

//稳定期计数器
always @(posedge clk or negedge rst_n) begin
    if(!rst_n) begin
        cnt_200us <= 15'b0;
    end
    else begin
        cnt_200us <= (cnt_200us < 15'd20_000) ? cnt_200us + 1'b1 : cnt_200us;
    end
end

//稳定期结束后，将标志信号拉高
assign done_200us = (cnt_200us == 15'd20_000);

//延时计数器对时钟计数，实现不同延时
always @(posedge clk or negedge rst_n) begin
    if(!rst_n) begin
        cnt_clk <= 10'b0;
    end
    else if(!cnt_rst_n) begin   //延时计数器复位信号，低电平有效
        cnt_clk <= 10'b0;
    end
    else begin
        cnt_clk <= cnt_clk + 1'b1;
    end
end

//初始化过程中连续刷新（8次） 刷新计数器
always @(posedge clk or negedge rst_n) begin
    if(!rst_n) begin
        init_ref_cnt <= 4'b0;
    end
    else if(init_state == `I_NOP) begin
        init_ref_cnt <= 4'b0;
    end
    else if(init_state == `I_AR) begin  //处于自动刷新状态时才开始计数
        init_ref_cnt <= init_ref_cnt + 1'b1;
    end
    else begin
        init_ref_cnt <= init_ref_cnt;
    end
end

//初始化状态机
always @(posedge clk or negedge rst_n) begin
    if(!rst_n) begin
        init_state <= `I_NOP;
    end
    else begin
        case(init_state)
            `I_NOP : init_state <= (done_200us) ? `I_PRE : `I_NOP;
            `I_PRE : init_state <= `I_TRP;
            `I_TRP : init_state <= (`end_trp) ? `I_AR : `I_TRP;
            `I_AR  : init_state <= `I_TRF;
            `I_TRF : init_state <= (`end_trfc) ? ((init_ref_cnt == 4'd8) ? `I_MRS : `I_TRF) : `I_AR;
            `I_MRS : init_state <= `I_TRSC;
            `I_TRSC : init_state <= (`end_trsc) ? `I_DONE : `I_TRSC;
            `I_DONE : init_state <= `I_DONE;
            default : init_state <= `I_NOP;
        endcase
    end
end


//SDRAM初始化完成标志
assign sdram_init_done = (init_state == `I_DONE);

这位博主写的SDRAM教程很详细，解析也非常全面，我中间写的状态机跳转说明也参考了他博客的内容，在这里贴个链接，大家可以去看看。