三极管的主要参数

三极管又称双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT），其在电路设计中的作用非常广泛且重要，在电路设计中具有放大信号、倒相、开关作用、自动控制、调压和稳压等多种功能，是电子电路中的核心元件之一。且广泛的应用领域包括音频放大、信号处理、数字电路、自动控制、电力电子等多个方面。

因为应用场景不同，采用的三极管也会不同，那么我们就要考虑三极管的一些主要参数，才能确保三极管在电路设计中合理且高效。同时我们需要考虑电路设计中的成本，只需要器件性能在合理范围内即可，避免功能过剩或者性能不够用。首先，三极管分为NPN和PNP两种类型，我们可以根据使用场景来选择需要的类型三极管。常见的PNP三极管比如:9012、8550等；常见的NPN三极管比如：9013（如图）、8050等。这都是小功率的半导体器件，且有不同的封装形式，还有中功率和大功率的半导体器件。

本文将从datasheet入手，了解实际设计过程中我们需要注意的主要参数。下面是我从9013的datasheet中截取的片段，我们根据datasheet的数据和设计经验，罗列相关的主要参数。

1、Collector Current -Continuous：集电极最大允许电流，当三极管的电流放大系数（β值）超过一定数值时，其性能会下降，从而影响到电路的性能。

2、Collector-Base Breakdown Voltage：集电极-基极击穿电压（VCBO）

Collector-Emitter Breakdown Voltage：集电极-发射极击穿电压（VCEO）

Emitter-Base  Breakdown Voltage：发射极-基极击穿电压（VEBO）

其中集电极发射极反向击穿电压VCEO是比较重要的，超标产生很大集电极电流，击穿三极管。该电压是当基极开路时，集电极与发射极之间允许加的最大电压。在实际应用时，加到集电极与发射极之间的电压，一定要小于VCEO，否则将损坏三极管。

3、Total Device Dissipation：最大耗散功率（PCM）

该指标也是三极管中集电极最大允许耗散功率，当晶体管工作时，由于集电极要耗散一定的功率而使集电结发热，当温度过高时就会导致参数的变化，甚至烧毁晶体管。为此规定晶体管集电极温度升高到不至于将集电极烧毁所消耗的功率，就成为集电极最大耗散功率。

4、Transition frequency：特征频率（FT）

三极管的特征频率FT也称作增益带宽积，如果已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，就可算出特征频率FT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降，FT也可以定义为β＝1时的频率。一般在工程设计中要求三极管的FT大于3倍的实际工作频率。

5、DC current gain：电流放大倍数（β或hFE）
电流放大倍数用β或hFE表示， 被称为共发射极电流放大系数，晶体三极管是对基极电流进行检测来控制集电极电流的器件，hFE或β的值越大越好，说明放大能力强，因为能够以较小的电流控制较大的电流。β是衡量三极管电流放大能力的一个重要参数，但对于同一个三极管来说，在不同的集电极电流下有不同的β。两个参数分别表明了三极管对直流电流的放大能力和对交流电流的放大能力。但由于这两个参数值近似相等，因此在实际使用时一般不再区分。

6、Collector-base cut-off current：集电极—基极反向电流（ICBO）

集电极—基极反向电流I(CBO)是当发射极开路、在集电极与基极间加上规定的反向电压时，集电结中的漏电流。此值越小表明晶体管的热稳定性越好，一般小功率管约1OμA左右，硅管更小些。

在实际设计中，考虑以上的参数就差不多了。当然还要根据你实际设计中的相关应用和极限参数来决定，希望以上文章对你实际设计和阅读datasheet有所帮助。