电子工程师入门-04三极管详解（中）

RollTao

于 2025-01-20 16:23:00 发布

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以下内容均作为个人学习时遇到问题的学习历程，记在这里也是希望自己能常回顾。另外，文章出现的图片有些是个人手绘不太标准。

上一节（电子工程师入门-03三极管详解（上））我们已经知道了三极管的构成和是如何放大电流，但是随着基极电流的增大，集电极电流是否一直是线性变化的呢？这是本节要解决的问题。

一，三极管的输入特性曲线（共射）

首先我们先认识一下三极管的输入特征曲线。如下图。三极管的输入特性曲线描述了基极电流 Ib与基极-发射极电压 Vbe 的关系，通常在不同的集电极-发射极电压 Vce下测量。输入特性曲线在三极管的放大区（关于三极管的三种状态后面讨论），也就是正向偏置内，Ib与Vbe呈指数关系：关系式为：，其中Is为反向饱和电流，q是电子电荷，k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度。由指数关系，当Uce = 0的时候，也就是集电极和发射极短路，此时的特征曲线就是BE之间的二极管的特征曲线。当Uce增大的时候，曲线右移，这是因为由发射区注入基区的非平衡少子有一部分越过基区和集电结形成集电极电流iC,使得在基区参与复合运动的非平衡少子随Uce的增大而减小，因此要获得同样的iB就必须增大uBE，是发射区向基区注入更多的电子。另外，当继续增大Uce,集电结的电场已经足够大，已经将发射区注入基区的电子都收集到集电极，电流已经达到最大，也就是后面将要讲到的饱和状态。

如果自己做仿真可以使用如下电路

二，输出特性曲线与三极管的三个工作区域

三极管的输出特性曲线描述了集电极电流 IC与集电极-发射极电压 VCE之间的关系，通常在不同的基极电流 IB下测量。该曲线是分析三极管工作状态（放大区、饱和区、截止区）以及设计电路的重要依据。曲线如下图。

2.1截止区

当加在三极管的BE之间的电压小于Vbe(on)的时候，发射结电压小于开启电压且此时的集电极是反向偏置的，对共射电路来说，uBE <= Vbe(on）且uCE > uBE，三极管处于关闭状态，此时基极电流IB = 0，集电极电流近似为零(小功率硅管的ICEO在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安)。

2.2放大区

当三极管的发射结正向偏置的时候且集电结反向偏置，此时的iC几乎仅仅决定于iB,而与uCE无关，表现出iB 对 iC 的控制作用。在模拟电路中，绝大数情况下应保证晶体管工作在放大状态。

2.3饱和区

当发射结与集电结均正偏的时候，此时的iC 不仅与iB 有关，而且明显随着uCE 的增大而增大。下面的图反应了共射放大电路的进入饱和区的过程。在不同的R1的阻值下，iB的电流不同，使iC的电流也不相同，当R1减小，也就是增大iB 的电流，但是当增大到一定程度使得Vo输出的电压小于零，这显然是不可能，也就是iC不会无限增大，在平时计算即可按照此方法快速判断晶体管是否进入饱和状态。

三，三极管的各类参数

在电路元器件的选型中，该元器件的数据手册是我们必要的查询工具，下面就对SS8050NPN三极管的数据手册进行解读。

3.1最大额定参数（Maximum Ratings）

3.1.1 VCBO

是指集电极（C）和基极（B）之间的最大允许反向电压（在发射极 E 开路的情况下），该值是三极管的耐压指标之一，表示在发射极开路的条件下，集电极与基极之间能承受的最大反向电压。在实际电路中 VCB 超过 VCBO 时，三极管的集电结（PN结）可能会发生 反向击穿，导致器件永久损坏。

3.1.2 VCEO

是指三极管的 集电极-发射极耐压，即当基极开路（Base Open）时，集电极（Collector）和发射极（Emitter）之间所能承受的最大电压。表示三极管在基极开路状态下，集电结能够承受的最大反向电压。如果 VCE 超过此值，三极管可能进入 击穿状态，导致器件损坏或永久失效。当 VCE超过 VCEO 时，三极管的集电结（PN结）会发生 雪崩击穿，产生大电流和发热，可能导致器件损坏。

由数据手册可以看到，我们的VCBO > VCEO，原因是基极开路时，存在漏电流或掺杂效应，使三极管的耐压能力降低，而 VCBO 测试时，发射极开路，耐压较高。

3.1.3 VEBO

是指三极管的 发射极-基极最大耐压，即当集电极开路（Collector Open）时，发射极（Emitter）与基极（Base）之间所能承受的最大反向电压。表示发射结（PN 结）的反向击穿电压。当发射极对基极的反向电压 VEB超过 VEBO 时，发射结将发生击穿，可能导致三极管损坏，发射结的掺杂浓度较高，其耐反向电压能力较弱。

由数据书册可以看到，我们的VCBO>VEBO，是因为发射结掺杂浓度高，耐反向电压能力较低。

3.1.4 IC

是指三极管的集电极的电流，该值在Maximum Ratings下表示集电极能够通过的最大电流，反应三极管的三个工作区域。具体关系如下：在截止区的时候，基极电流 IB=0，三极管不导通。IC近似为零。在放大区，基极电流 IB>0，三极管进入放大状态，集电极电流与基极电流成正比：IC==β⋅IB。在饱和区，IC 达到最大值，受限于电源和负载电阻，此时 VCE较小，三极管近似短路。最后如果集电极-发射极电压 VCE超过三极管耐压（如 VCEO），会进入击穿区,IC 急剧增大，可能损坏三极管。

3.1.5 PC

是指三极管的 最大集电极耗散功率（Collector Power Dissipation），表示三极管的集电极能够安全耗散的最大功率。这是三极管在工作时的一项关键参数，用于衡量器件的功率处理能力。PC=VCE⋅IC。PC 表示三极管能长时间安全工作时的最大耗散功率，超过此值会导致三极管过热甚至损坏。

3.1.6 Tstg

是指三极管的 存储温度范围（Storage Temperature Range），表示三极管在未工作状态下，能够安全存放或运输的环境温度范围。这个参数是对器件在极端温度条件下的存储可靠性的描述。是三极管在不通电、不工作情况下，能够承受的最低和最高环境温度。

3.1.7 Tj

是指器件内部半导体结的温度，反映了器件在工作时的热状态。Tj 的范围通常较 Tstg小。

3.1.8 RθJA（热阻）

是指 结到环境的热阻（Junction-to-Ambient Thermal Resistance），表示半导体器件（如三极管、集成电路等）内部的热量从结区（Junction）传导到环境（Ambient）所需的热阻值。它是评估器件散热性能的重要参数之一。描述了当器件产生功耗时，结区温度相对于环境温度的升高程度。单位通常为 °C/W（摄氏度每瓦特）。

3.2 电气特性（Electrical Characteristics）

3.2.1 V(BR) CBO

是指三极管的 集电极-基极击穿电压（Collector-Base Breakdown Voltage），这是一个关键的电气参数，表示在集电极与基极之间施加反向电压时，能够承受的最大电压值。超出此电压，三极管的集电极和基极之间将发生击穿，导致电流急剧增加。

3.2.2 V(BR) CEO

是指三极管的 集电极-发射极击穿电压（Collector-Emitter Breakdown Voltage）。它表示在集电极与发射极之间施加反向电压时，能够承受的最大电压值。一旦超过此电压，三极管的集电极和发射极之间将发生击穿，导致电流急剧增加。

3.2.3 V(BR) EBO

是指三极管的 基极-发射极击穿电压（Base-Emitter Breakdown Voltage）。它表示在基极与发射极之间施加反向电压时，能够承受的最大电压值。一旦超过此电压，三极管的基极和发射极之间将发生击穿，导致电流急剧增加。

3.2.4 ICBO

是指三极管的 集电极-基极反向漏电流（Collector-Base Reverse Leakage Current）。在三极管中，尤其是当集电极与基极之间施加反向电压时，虽然主要电流是从发射极流向集电极，但会有少量电流从集电极通过基极漏出，这就是ICBO,是由少量的载流子在结中产生的，不同于正常工作状态下的集电极电流 IC。ICBO 通常随着温度的升高而增加。温度升高会增加载流子的热激发，导致漏电流上升。ICBO 在小信号放大电路中可能会影响放大器的输入和输出特性，导致增益下降和失真。在开关电路中，高的ICBO 可能导致不必要的功耗。

3.2.5 ICEO

是指三极管的 集电极-发射极漏电流（Collector-Emitter Leakage Current），表示在集电极和发射极之间施加反向电压时，尽管没有基极电流，三极管仍然可能会有的漏电流。ICEO 表示在基极电流为零的情况下，集电极和发射极之间的漏电流。这种漏电流主要是由于热激发载流子在半导体材料中随机产生的。通常随着温度的升高而增加。温度升高导致载流子的热激发增加，从而增加漏电流。

3.2.6 IEBO

是指三极管的 发射极-基极反向漏电流（Emitter-Base Reverse Leakage Current）。它表示在发射极和基极之间施加反向电压时，尽管没有集电极电流，三极管仍然可能会有的漏电流。表示在基极与发射极之间施加反向电压时，流过发射极的漏电流。这个漏电流通常是由于热激发载流子的存在而产生的,主要来源于在反向偏置条件下，少数载流子（电子或空穴）在基区和发射区之间的运动。

3.2.7 hFE

称为 直流电流增益（DC Current Gain），是三极管的重要参数之一，表示在直流工作条件下，集电极电流与基极电流的比例。具体来说，hFE 是集电极电流 IC与基极电流 IB 的比值：该值反映了三极管的放大能力。高的 hFE 值表示三极管能够以较小的基极电流控制较大的集电极电流，从而实现信号放大。hFE 会受到温度的影响，通常随着温度的升高而降低，因此在高温环境下设计电路时需考虑其变化。

3.2.8 VCE(sat)

是指三极管在饱和状态下的 集电极-发射极电压（Collector-Emitter Saturation Voltage）。当三极管工作在饱和区时（即当集电极电流最大且基极电流足够大时），VCE(sat) 是集电极和发射极之间的电压降，通常表示为 VCE 的最小值。在饱和状态下，三极管的集电极与发射极之间的电压非常小，接近于零（但不是绝对零）。这表明三极管处于完全导通状态，可以传导最大电流，此时，集电极和发射极之间的电压降反映了三极管内部的电阻损耗。VCE(sat) 与集电极电流 IC 的乘积决定了三极管在饱和状态下的功耗（功耗 = IC×VCE(sat)），较低的 VCE(sat)意味着较小的电压损耗和更高的效率。

3.2.9 VBE(sat)

是指三极管在饱和状态下的 基极-发射极电压（Base-Emitter Saturation Voltage）。当三极管工作在饱和区时，VBE(sat)表示基极和发射极之间的电压降，通常是饱和状态下的最小值。在饱和状态下，三极管的基极-发射极电压 VBE(sat)是基极驱动电流足够大，以使三极管完全导通所需的电压。这时，集电极与发射极之间的电压降也非常小。

由数据手册可以看到，上面的这些三极管的电气特性在不同的条件下均有不同的变现，因此要全局的区考虑器件选型。