4-1电力二极管

二极管原理

二极管的基本结构是PN结，如图1所示

图1

        P结中主要载流子是空穴，N结中主要载流子是电子， 在PN结的中部存在一个耗尽区，也叫空间电荷层，这是由于P结和N结中的载流子沿着浓度降低方向扩散产生的。

        如图2所示，当PN结施加反向电压时，外部电压导致结附近进一步电离，使得耗尽层增大。实际上，施加的电压出现在了耗尽层，该区域电场增加，而这个过程需要额外的电荷被添加进入耗尽区，这就是二极管的电容效应。

图2

        如图3所示，当二极管施加正向电压时，这个电压对耗尽区的电压有抵消作用，使得耗尽区的电压不足以抵消载流子的扩散运动，P结的空穴扩散到N结，成为少数载流子，N结的电子扩散到P结成为少数载流子。此时电流的传导机制是，外部电子从N区右侧进去N结，成为多数载流子，同时电子从P结左侧离开P结，留下多数载流子空穴。

图3

当然当空穴扩散进去N结，或者电子扩散进去P结，会和该区域的多数载流子发生重结合，扩散的空穴和电子浓度如图4所示

图4

耗尽区两端电压和耗尽区边缘的少数电荷浓度有关
 

        λ是kT/qe其中k是玻尔兹曼常数，T是开尔文温度，qe是电子的电荷。这个方程表明，更大的正向偏压导致更大的少数电荷注入整个结。这也意味着，除非在耗尽区边缘的少数电荷减少，否则结电压不能降低。

在平衡状态下，

        q/τL是少数载流子重组的速率。在平衡状态下，总储存的少数电荷q(t)与耗尽区边缘的电荷浓度ps(t)或ns(t)有关

        而在开关瞬态时，二极管是不符合这个表达式的，以二极管关断为例，初始(t≤t0)，二极管处于导通状态，正向电压v(t0) > 0，导通电流i(t0) = Ion。耗尽区从pn结向外延伸x0距离;图5b所示阴影区域为t = 0时的耗尽区。当x > x0时，存储的少数电荷分布如图5b所示。该少数电荷曲线的斜率与少数载流子扩散的速率成正比;x = x0处的斜率与离子成正比。

 图5

        在时间t = t0时，外电路开始反转施加电流i(t)的方向。电流变化的速率di/dt由外部电路决定，通常受到布线和封装电感、晶体管驱动电路等的限制。

        电流在t = t1时变为负的。耗尽区边缘的电荷浓度曲线斜率为负，反映了电流通过结的反转。由于其极性，耗尽区内的电场不阻碍少数载流子反向流动，电流i(t)现在包括少数载流子向后流过耗尽区。由于x = x0处的少数电荷浓度仍然很大，耗尽区的电压仍然为正。

        在时间t = t2时，存储在x = x0处的少数电荷已被移除。现在预测耗尽区的电压可能变为负值。然而，在x > x0时，储存的少数电荷仍然存在，如图5b所示。当t > t2时，这个少数电荷继续被移除，而电压变得更负。在时间t = t3时，耗尽区规模增大，并延伸至x = x3处[图5b未示出]。最后，在时间t = t4时，所有的少数存储电荷都被移除。二极管现在阻断了完全反向电压Vof f，没有实质性的反向电流。

建立二极管的开关损耗模型

以BUCK电路为例，如图6所示，假定mos管是理想的

图6

部分波形如图7所示

图7

 其中电流突出的一小部分就是由于二极管关断过程中存储的少数电荷导致的。

根据电感伏秒平衡可得和电容电荷平衡可得

又有

 可建立等效电路模型如图8所示

其中