01模拟电子技术基础——常用半导体（一）

一、半导体基础知识

1、本征半导体

1.1什么时半导体？什么是本征半导体？

• 半导体：导电性介于导体与绝缘体之间的物质。
• 导体：铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。
• 绝缘体：惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。
• 半导体：硅、锗，均为思嘉元素，他们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。
• 本征半导体时纯净（无杂质）的晶体结构（稳定的结构）的半导体。

1.2本征半导体的结构

• 自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。
• 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。

 1.3本征半导体的两种载流子

• 运载电荷的粒子称为载流子。
• 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。
• 温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。
• 热力学文都0K时不导电。

思考：为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？

2、杂质半导体

2.1 N型半导体

多数载流子：自由电子

空穴比未加杂志时的数目多了？少了？为什么？

• 杂志半导体主要靠多数载流子导电。参入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。

2.2 P型半导体

 多数载流子：空穴

思考：在杂质那么导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？

• P型半导体主要靠空穴导电，参入杂质越多，空穴浓度越强，导电性越强。

3、PN结的形成及其单向导电性

3.1扩散运动

扩散运动：物质因浓度差而产生的运动。气体、液体、固体均有之。

P区空穴浓度>>N区空穴浓度

N区自由电子浓度>>P区自由电子浓度

扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。

3.2PN结的形成

 漂移运动：因电厂作用所产生的运行称为漂移运动。

由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动地进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区到N区运动。

PN结的形成：参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。

3.3PN结的单向导电性

 PN结加正向电压导通：耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。

PN结加反向电压截止：耗尽层变宽，阻止扩散运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可以近似认为其截止。

4、PN结的电容效应

4.1 势垒电容

PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容。

4.2 扩散电容

PN结外加正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容

结电容：=+

结电容不是常量！若PN结外加电压频率到一定程度，则失去单向导电性。

5、问题

5.1为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其参杂，改善导电性能？

5.2为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？
5.3为什么半导体器件有最高工作频率？