半导体基本知识（笔记）

半导体基本知识

半导体导电力介于导体和绝缘体之间。

半导体的导电能力受温度、光照、掺杂等多种因素影响：

热敏特性、光敏特性、掺杂特性

本征半导体

在半导体物质中，用的最多的就是硅和锗。

晶体：原子排列得非常整齐。

本征半导体：纯净的半导体，其导电能力弱。

杂质半导体

分为N型半导体和P型半导体，掺入杂质越多，导电力越强。

PN结及单向导电性

PN结的正向导通：

PN结加上正向电压称为正向偏置，即P区加电源正极，N区加电源负极。外部电场P—>N

PN结的反向截止：

PN结加上反向电压称为反向偏置，即P区加电源负极，N区加电源正极。通常认为反向截止的PN结不导电。

PN结具有单向导电性：正向导通，反向截止。

（结电容：当信号频率较高时，PN结会失去单向导电性）

PN结的反向击穿

PN结反向击穿：PN结处于反向偏置时，在一定电压范围内，流过PN结的电流很小，但电压超过某一数值时，反向电流会急剧增加。

反向击穿：热击穿、电击穿

热击穿：电压高、电流大，功率消耗大，易使PN结过热而烧毁，即过程不可逆。

电击穿：雪崩击穿：碰撞的击穿（大于7V）；齐纳击穿：场效应击穿（小于4V）。过程可逆。

（内容参考于封面的书）