深入解析半导体器件：基础理论、类型与应用-CSDN博客

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第1章常用半导体器件

在这一章中，我们将深入探讨半导体器件的基础知识和重要性。半导体器件是现代电子技术中不可或缺的元素，它们的性能直接影响着电子设备的效率和功能。我们将解答一些关键问题，比如为什么选择半导体材料来制作电子器件，半导体的基本类型以及它们的工作原理。

本章讨论的问题

为什么采用半导体材料制作电子器件?
空穴是一种载流子吗? 空穴导电时电子运动吗?
什么是N型半导体? 什么是P型半导体? 当两种半导体放在一起时会产生什么现象?
PN结上所加的端电压与电流是否符合欧姆定律? 为什么它具有单向导电性? 在PN结加反向电压时是否真的没有电流?
晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的? 场效应管是通过什么方式来控制漏极电流的? 为什么它们都可以用于放大?
为什么半导体器件的参数会受温度的影响?

1.1 半导体基础知识

半导体器件是构成电子电路的基本元件，它们所用的材料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料。

1.1.1 本征半导体

本征半导体是纯净且具有晶体结构的半导体。在这种材料中，没有杂质元素的加入，其导电性能完全依赖于材料本身的性质。本征半导体通常不参与电流的导导，但在特定的外部条件下，如光照或温度变化，其电导率可以显著改变。

一、半导体的导电性

半导体的导电性能决定于原子结构。导体通常是低价元素，其最外层电子容易脱离原子核成为自由电子，从而在外电场的作用下产生定向移动，形成电流。而绝缘体如惰性气体或高分子物质，其最外层电子受原子核束缚力强，很难成为自由电子，因此导电性极差。

常用的半导体材料，如硅(Si)和锗(Ge)，都是四价元素，它们的最外层电子不像导体那样容易脱离原子核，也不像绝缘体那样被原子核束缚得很紧，因此它们的导电性介于导体和绝缘体之间。通过人为地掺杂特定的杂质元素，可以使半导体的导电性具有可控性，这是制造电子器件的关键。

接下来的小节将继续探讨半导体器件的各种类型和它们在电子设备中的应用，从而更好地理解这些复杂且功能强大的技术元素。

本章深入探讨半导体器件的基础理论及其关键特性。我们将通过分析公式来了解半导体物理的基本概念，特别是本征半导体的特性和载流子行为的数学描述。

二、本征半导体的晶体结构

本征半导体是未掺杂任何杂质的纯净半导体。这种半导体通过特定工艺制成单晶体，晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。在这种晶格结构中，相邻原子共享价电子形成共价键，这种结构的稳定性使得本征半导体在无外力作用下几乎不导电。

图1.1.1 - 本征半导体结构示意图

此图展示了半导体中的原子如何通过共价键连接，每个标有“+4”的圆圈代表除价电子外的正离子核。

三、本征半导体中的两种载流子

载流子的形成和运动

在常温下，只有极少数价电子因热运动获得足够的能量而挣脱共价键，成为自由电子。这些电子脱离原位后，在其原位置留下的空穴也表现为电荷载体，因此，本征半导体中的电流是自由电子和空穴电流的合成。

图1.1.2 - 自由电子与空穴示意图

此图展示了自由电子和空穴如何在电场的作用下相反方向移动，形成电流。

四、本征半导体中载流子的浓度

公式 (1.1.1)

载流子浓度的关系式为：

ni 和 pi 分别表示自由电子和空穴的浓度 (单位：cm³)
T 是热力学温度
k 是玻尔兹曼常数 (8.63×10⁻³ eV/K)
E 是破坏共价键所需的能量，称为禁带宽度（硅为1.21 eV, 锗为0.785 eV）
Ki 是相关的常数，取决于半导体材料的物理特性

此公式说明，在绝对零度时，自由电子和空穴的浓度都为零，本征半导体成为绝缘体。当温度升高时，载流子的浓度按指数曲线增加，导电性增强。

分析公式的含义

公式 (1.1.1) 表明本征载流子浓度与温度的平方成正比。这意味着温度的轻微变化可以引起载流子浓度的显著变化，进而影响半导体的电导率。因此，半导体的导电性能极其依赖于其操作环境的温度，这种特性使得半导体材料特别适用于温敏或光敏器件的制造，同时也解释了半导体器件在高温环境下性能可能的不稳定性。

1.1.2 杂质半导体

通过在本征半导体中掺入少量的适当杂质，可以得到杂质半导体，这是现代电子技术中极为关键的一步。根据所添加杂质的类型，可以形成N型或P型半导体，从而改变半导体的电导性能。

一、N型半导体

在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），这些元素的原子会取代硅原子在晶格中的位置，形成N型半导体。五价元素的杂质原子由于其最外层有五个价电子，可以与周围的硅原子形成四个共价键，多出的一个电子则成为自由电子。这些自由电子在常温下通过热激发可以轻易获得能量，从而增加材料的导电性。杂质原子由于损失了一个电子，变成不可移动的正离子。在N型半导体中，由于自由电子的浓度大于空穴的浓度，自由电子成为主导的电流载体，被称为多数载流子，而空穴则成为少数载流子。

图1.1.3 - N型半导体结构示意图

此图描绘了N型半导体中五价元素杂质原子与硅原子形成的共价键，以及由此产生的自由电子。

二、P型半导体

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），其原子同样取代硅原子在晶格中的位置，形成P型半导体。三价元素的杂质原子因为只有三个价电子，当与硅原子形成共价键时会在晶格结构中留下一个电中性的“空位”。这个空位很容易被周围硅原子的电子填补，形成空穴。这些空穴在电场作用下移动，形成电流。在P型半导体中，空穴的浓度高于自由电子的浓度，因此空穴是主导的电流载体，称为多数载流子，而自由电子成为少数载流子。

图1.1.4 - P型半导体结构示意图

此图展示了P型半导体中三价元素杂质原子与硅原子的共价键，以及由此产生的空穴。

控制和影响

通过控制杂质的浓度，可以有效地控制半导体的导电性能。多子的浓度越高，导电性能也越强。然而，多子的浓度基本固定，受温度影响较小，而少子由于是本征激发形成的，其浓度虽然低，但对温度非常敏感，这种敏感性影响了半导体器件的性能，尤其在温度变化大的环境中。这种属性使得杂质半导体在设计时必须考虑操作环境的温度范围，以确保器件的稳定性和效率。

第1章常用半导体器件

1.1.3 PN结

PN结的特性和应用是半导体技术的核心部分。这些结构是通过在同一硅片上制造不同类型的掺杂区域（P型和N型）而形成的，它们在电子设备中起着至关重要的角色，特别是在实现单向导电性方面。

一、PN结的形成

PN结的形成基于扩散和漂移两种基本物理过程。当P型和N型半导体相接时，由于两侧载流子浓度的显著差异，发生了载流子的扩散运动：P区的空穴向N区扩散，N区的自由电子向P区扩散。这种扩散导致了交界面附近载流子浓度的下降，并在P区形成负离子区，N区形成正离子区，这些离子是固定不动的，共同形成了所谓的空间电荷区。这个区域内部的电场阻止进一步的载流子扩散，最终达到一种动态平衡状态，如图1.1.5所示。