本科毕业设计(论文)
题目名称： 大功率直流稳压电源的设计
学 院： 电气信息工程学院
专业年级： 自动化04 级
学生姓名： 李晓君
班级学号： 04-02-15
指导教师： 张锡鹤
二○○八年六月十日
北华大学毕业设计（论文）
毕业设计题目： 大功率直流稳压电源的设计
作者：____________________________
指 导 教 师： 张锡鹤 单位： 北华大学
协助指导教师： 单位：
单位：
完 成 日 期：2008年 06月 10日
摘 要
本文针对目前国内用于电源是晶闸管静态逆变器。其逆变频率限制在8KHz以下，实际产品一般仅为1KHz左右。晶闸管静态逆变器的频率范围窄，如感应器改变时，不能进行频率调节。本文通过应用IGBT逆变器以设计大功率的直流稳压电源。
本文首先介绍了所设计的大功率直流稳压电源的组成结构和控制原理，并就电源主电路、控制电路、保护电路以及控制系统软件的设计做了详细地分析。
主电路系统由输入滤波整流电路、逆变电路、高频变压器、输出整流滤波电路组成。逆变电路采用输出功率较大的IGBT全桥式逆变结构，绝缘栅双极晶体管（IGBT）具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大等优点。根据大功率直流稳压电源的外特性的要求，设计中使用电压、电流双闭环反馈系统来控制电源外特性，得到的电源特性既有较好的功率特性，又有外拖特性，故系统有很好的外特性。
文中详细讨论了上述电路的设计要点及参数确定，以16位单片机80C196KC为控制核心，组成大功率直流稳压电源的控制系统。单片机通过采样电路中的电压、电流值，与给定值比较后可自动调节，同时还可显示电路中的电压、电流值，具有监控功能。所以此系统不仅具有较高的可靠性，还具有良好的工艺性能。由于使用了高频器件，整个系统具有小型化、轻量化、高效率等优点，符合现代大功率直流稳压电源的发展潮流。故本系统具有较好的发展前景。
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Abstract
This article in view of present domestic uses in the power source is the thyristor static state invertor. Its inversion frequency restriction below 8KHz, the actual product is only about generally 1KHz. The thyristor static state invertor's frequency range is narrow, if time sensor change, cannot carry on the frequency control. Developed adapted using the IGBT invertor in the high efficiency cocurrent voltage-stabilized source's development work.
This article first introduced designs the high efficiency cocurrent voltage-stabilized source's composition structure and the control principle, and on the power source main circuit, the control circuit, the protection circuit as well as the control system software's design did have analyzed in detail.
The contravariant welding machine main circuit system by the input filter leveling circuit, the contravariant electric circuit, the high-frequency transformer, the output rectification filter circuit is composed. The contravariant electric circuit uses the output big IGBT entire bridge-type inversion structure, insulates the grid bipolar transistor (IGBT) to have the input impedance to be high, the working speed quick, passes condition the voltage to be low, the breakdown voltage is high, withstanding electric current big and so on merits. According to the high efficiency cocurrent voltage-stabilized source's external characteristic request, in the design uses the voltage, the electric current double closed loop feedback system control supply external characteristic, obtains the power source characteristic both has the good power characteristic, and outside has tows the characteristic, therefore the system has the very good external characteristic.
The design key points and parameters are discussed in detail. high performance 16-bit micro-processor 80C196KC is adopted for control kernel. The single chip can self-regulate after comparing the given value with the voltage and current value of sampling circuit, and at the same time show the voltage and current value of circuit. Because has used the high frequency component, the overall system has merits and so on miniaturization, lightweight, high efficiency, is in keeping with the modern high efficiency cocurrent voltage-stabilized source's development tidal current. Therefore this system has the good prospects.
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目 录
引 言
自70年代末以来，国外迅速发展功率场效应晶闸管（Power MOSFET）,绝缘门级双级性晶闸管（IGBT）和MOS栅控晶闸管（MCT）等新型功率开关器件，由于这些新型器件具有开关频率高，器件自身的功率损耗小，因而转换效率高，电路结构简单等优点，在加热电源领域中，正在得到广泛的应用。其中IGBT器件，其输出管压降低，一般在3V以下，器件本身的功耗小，具有晶闸管的优点，适合于大电流工作，其控制端采用了场效应管的技术，驱动非常小，适应于高速开关，且没有二次击穿的问题，工作比较安全，因此属于目前国际上有限发展的大功率开关器件。国外器件制造厂商推出了一系列大功率IGBT模块，其最大单管电流已达到1000A以上，耐压可达到1200V（有的可达到1400V），开关时间在600ns以下。其实际工作频率可达到50KHz，功率较小时可达到100KHz，因此是极有前途的功率开关器件。
但是，上述这些新型功率开关器件也存在一些弱点，如电压与电流的过载能力弱，当工作参数超过其安全范围是，非常容易损坏。因此给电路结构的设计与制造提出了新的要求，并且需要快速而有效的保护措施
由于IGBT逆变器的逆变频率高，节能效果好，在各种电源中均有重要的应用。但到目前为止，我国在应用大功率IGBT模块制造大功率直流稳压电源还是比较少，大功率直流稳压电源主要应用与我国的军事和航天事业当中，如适用于大功率冲击负载和飞机、自行火炮、坦克、导弹等武器装备的起动电源。应用在我国的重型工业中。
许多电子设备都需要良好稳定的直流供电电源，而外部提供的能源大多为交流电网电源，通常是通过火力发电、水利发电、核子发电及风力发电获得的。直流电源设备担负着把交流电源转换为电子设备所需的各种类别直流电源的任务。转换后的直流电源要具有良好的稳定性，当电网或负载变化时，它能保持稳定的输出电压，并具有较低的纹波。我们通常称这种直流电源为直流稳压电源。
说到稳压问题可以追溯到上一个世纪爱迪生发明电灯时，就曾考虑过稳压电源。到二十世纪初，就有了铁磁稳压电源。电子管问世不久，就有人设计了电子管直流稳压电源。到四十年代后期，电子器件与磁饱和元件相结合，构成了电子控制的磁饱和交流稳压电源，至今还在应用。五十年代，随着半导体工业的飞跃发展，晶体管的诞生使晶体管串联调整稳压电源，成了稳压电源的核心，这种局面一直维持到六十年代中期。随着电子设备的进步，电子设备开始从分立元件进入集成电路时代，体积日益减小，装机密度不断提高，规模容量逐渐增大。这种晶体管串联型常规电源难以满足形势发展的趋势日益显露。六十年代后期，科技工作者对稳压电源技术做了一次新的总结，使开关电源，可控硅电源得到了快速发展。与此同时，将稳压电源的大部分元器件都集成在一块硅基片上的集成稳压电源也不断发展。
电源是电子设备的重要部分，其质量好坏直接影响着电子设备的可靠性，而且电子设备的故障60%来自电源。因此电源越来越受到人们的重视。电子电路及电子设备对电源最基本的要求就是电源的输出电压或输出电流要稳定。稳压电源的输出电压不是绝对不变的，只是变化很小。从稳压电路的原理分析，最主要的引起输出电压变化的因素有两个：一是输入电压的变化引起的输出电压的变化；另一个是输出电流的变化(由于负载变化)引起输出电压的变化。输出电压的变化很微小，但正是这个微小的变化经放大后才能反馈去抵消原有的大部分变化。
一般来说，稳压电路的设计首先要考虑输入电压和负载这两个因素。或者说，首先要“抵制”的是这两个因素引起的输出电压变化;也就是稳压电源稳定电压的能力首先要看输入电压的变化和负载变化引起的输出电压的变化被限制到多小的程度。当人为地保持输入电压和负载不变时，输出电压仍有变化。引起这种变化的因素很多，其中最主要的是温度的变化，电路要工作起来，元器件上就有电流通过，就要消耗功率，引起温升。取样电阻和基准源温度的变化对输出电压的影响更大。
衡量一台稳压电源的好坏，一方面要从功能角度来看，即容量大小(输出电压和输出电流)、调节范围大小、效率高低等，人们称其为使用指标或性能指标;另一方面要从外观、形状、体积、重量等直观形象来看，这些称为电气指标;更重要的是要看它的质量高低，即输出电压的稳定度等，一般称为质量指标。下面重点介绍质量指标。
(1)、描述输入交流电压变化对输出电压影响的技术指标
1.稳压系数
稳压系数有绝对稳压系数和相对稳压系数两种。绝对稳压系数表示负载不变而输入交流电压变化时，稳压电源输出直流电压变化量△U0与输入交流电压变化量△Ui之比，即
(1.1)
它表示输入交流电压变化△U，引起输出电压变化△U0越小输出电压就越稳定。这种表示方法在工程中常常用到。相对稳压系数表示负载不变时，稳压电源输出直流电压U0的相对变化量△U0/ U0与输入交流电压U，的相对变化量△Ui/ U0之比，即
(1.2)
2.电压调整率
电压调整率表示负载电流为额定值时输入交流电压在额定值上下变化
10%时，稳压电源输出电压的相对变化量(百分数)，即
(1.3)
一般直流稳压电源的电压调整率为1%，0.1%，0.01%等。有的也可以用绝对值表示。
(2)、描述负载变化对输出电压影响的技术指标
1.负载调整率(也称电流调整率)
在交流电源额定电压的条件下，负载电流从零变化到最大时，输出电压的最大相对变化量，用百分数表示。
(1.4)
输出电阻(也称内阻)
在额定输出电压的条件下，负载电流变化
引起输出电压变化△U0，则输出电阻为
(1.5)
(3)、纹波电压(现称周期和随机漂移，用PARD表示)
1.最大纹波电压
在额定输出电压和额定输出电流条件下，输出纹波(包括噪声)电压的绝对值大小，通常以峰值或有效值表示。
2.纹波系数
在额定输出电压和额定电流条件下，输出纹波电压的有效值Urms与输出直流电压U0之比，即
(1.6)
(4)、温度漂移和温度系数
环境温度的变化会影响元器件参数的变化，从而引起稳压电源输出电压的变化，称为温度漂移。常用温度系数表示温度漂移的大小，温度每变化1
C所引起输出电压值的变化
称为绝对温度系数，单位是V/
C或mV/
C。温度每变化1
C所引起的输出电压相对变化△U0r/ U0T称为相对温度系数，单位是%/
C。
(5)、漂移
稳压电源在输入电压、负载电流和环境温度保持一定的情况下，经过一定的工作时间后元器件参数的不稳定也会造成输出电压的变化，慢变化叫做漂移，快变化叫噪声。在一般使用中只考虑漂移就可以了。
表示漂移的方法有两种，一种是用指定时间内输出电压值的变化△U0来表示;另一种是用指定时间内输出电压的相对变化△Uot/Uo、来表示。考察漂移时间可以定为1分钟、10分钟、1小时、8小时或更长。
现代应用的稳压电源的种类比较多，分类方式也很多。
按稳定对象分有交流稳压电源和直流稳压电源。是交流还是直流要看稳压电源的输出电压是交流还是直流。
按稳定方式分，有参数稳压电源和反馈调整稳压电源。参数稳压电源电路简单，利用元件的非线性实现稳压，结构也简单。比如，用一只电阻和一只可控硅稳压管就能构成参数稳压电源。反馈调整型稳压电源是一个负反馈闭环自动调整系统，它根据稳压电源的输出电压的变化量，经过取样、比较放大、再反馈给控制调整元件，使输出电压得到补偿而趋于原值，从而达到稳定。此电路较复杂，但稳定度高。
按稳压电源的调整元件与负载的联接方式来分类，可以分为并联稳压电源和串联稳压电源两种。调整元件与负载并联的叫并联稳压电源或分流稳压电源，它通过改变调整管元件流过的电流的多少来适应输入电网电压的变化及负载电流的变化，以保持输出电压的稳定。这种稳压电源效率较低，只有某些专用场合才适用。调整元件与负载串联的稳压电源叫做串联稳压电源。在这种稳压电源中，调整元件串联在输入端和输出端之间，输出电压就依靠调整元件改变自身的等效电阻来维持恒定。
按调整元件分，有辉光放电管稳压电源，稳压管稳压电源，电子管稳压电源，晶体管稳压电源，可控硅稳压电源等。按调整元件的工作状态分，有线性稳压电源和开关稳压电源。所谓线性稳压，就是其调整管工作在线性放大区。这种稳压电源的主要优点是调压范围宽、稳定度高，但变换效率低;开关稳压电源的调整管工作在开关状态，主要的优越性就是变换效率高，可达70%一95%。
根据需要，还可以有其他分类方法，例如集成电极输出型、发射极输出型;高压、低压;通用、专用等。
本课题主要是进行用单片机来控制直流稳压电源的研制工作。要求电源具有高可靠性。所以本文的主要工作有：
在逆变电源的基础上建立以80C196KC单片机为控制核心的微机控制系统，设计单片机控制系统硬件，在满足控制系统要求的条件下，力求软硬件的最佳组合。
所研制的单片机控制稳压电源的技术指标如下：
输入电压： 380V三相交流50HZ；
输出电压 24V
输出电流 800A；
图2.1 电压电流外特性
逆变电路拓扑有推挽型、全桥、半桥等，如表2.1所示。
表2.1逆变电路的比较
| 电路 参数 | 推挽式 | 全桥式 | 半桥式 |
| 功率开关管集射极间施加电压 | 稳态为2E,漏感引起的尖峰V
>2E | 稳态为E,二级管相位 V
<E | 同全桥 |
| 输出相同功率时集电极电流 | Ic | Ic | 2Ic |
| 功率开关管数量 | 2 | 4 | 2 |
| 输出滤波电容数量 | 1 | 1 | 2 |
| 宜获得的输出数量 | 大 | 大 | 中等 |
由上表可以看出，要获得大容量的输出，宜选用推挽式或全桥式拓扑结构，但是推挽式电路中由于漏感引起的尖峰电压
是全桥式的2倍，这给电路设计与调试带来了困难，并对开关管的耐压提出了更高的要求，因而本系统采用已被广泛应用的全桥式电路拓扑结构。
选择逆变频率时应考虑：
1、能有效地减少变压器的体积和重量；
2、所采用的开关元器件的频率特性；
3、经济性。
按照正弦波分析，变压器有以下的基本公式：
(2.1)
(2.2)
式中，S为铁心截面积；B为磁感应强度的最大值。显然，当B一定时，提高逆变频率不仅可降低变压器的体积和重量，而且使控制精度提高。因此，通常认为最佳逆变频率是在考虑到电路固有频率(电路的L、R、C决定电流衰减速度)的基础上，选用功率开关器件所能接受的最高频率(常以次级整流管的开关特性为参考基准)。但是经过实际调试发现，随着逆变工作频率提高，管子的功耗也增大，相应的散热器体积总量增大，不利于电源整机体积的缩小，而且还会导致变压器漏抗恶化，从而影响电源的正常工作。
综合以上因数，结合参考国内外的研究水平和使用情况，本研究中的电源逆变工作频率选为20kHz。
逆变器中最重要的一个器件就是功率开关元件，而功率开关元件正朝着高压大容量、集成化、全控化、高频化及多功能化方向发展。从可控性来分，可以大致分为半控型和全控型器件。
全控型器件的开通和关断是由栅极控制，具有导通电阻小、正向压降低、开关速度快、开关损耗低、di/dt及dv/dt耐量大的优点。
在逆变电源中，对功率半导体器件(尤其是开关管)有如下基本要求：
1、耐电压值高；
2、开关速度快，开关损耗低；
3、动态特性di/dt及dv/dt耐量要高；
4、耐冲击电流大，可靠工作范围大；
5、热稳定性好。
基于以上考虑，全控型器件是应优先考虑选用的器件。表2.2给出了达林顿GTR、功率MOSFET和IGBT三种全控型器件的特性比较。GTR开关速度较低，对di/dt有影响，而且是电流驱动方式，驱动功率较大，还存在二次击穿问题；功率MOSFET有较好的高速控制性能，然而容量小，难以实现大电流，主要应用于小型和轻型设备中；IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件，它兼有MOSFET易驱动和功率晶体管电压、电流容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十千赫兹频率范围内，在较高频率的大中功率应用中占据了主导地位。本文选用IGBT作为电路主控开关功率器件。
表2.2 GTR 、MOSFET和IGBT
| 器件名称 | 达林顿GTR | 功率MOSFET | IGBT |
| 开关速度 | 10 | 0.3 | 1~2 |
| 安全工作区 | 小 | 大 | 大 |
| 额定电流密度（A/
) | 20~30 | 5~10 | 50~100 |
| 驱动功率 | 大 | 小 | 小 |
| 驱动方式 | 电流 | 电压 | 电压 |
| 高压化 | 易 | 难 | 易 |
| 大电流化 | 易 | 难 | 易 |
| 高速化 | 难 | 极易 | 易 |
| 饱和压降 | 极低 | 高 | 低 |
| 并联使用 | 较易 | 易 | 易 |
对于次级整流元件，肖特基势垒二极管其正向压降很小，反向恢复时间也极短，应是首选元件，这样可以降低功耗提高电源效率。
逆变技术的输出控制方式常用“时间比率控制”方式，通过改变导通时间ton和工作周期比例亦即脉冲的占空比来实现。控制方式有三种：
(1)脉冲宽度调制型(PWM )：开关周期恒定，调节导通脉冲的宽度；
(2)脉冲频率调制型(PFM)：导通脉冲宽度恒定，调节开关工作频率；
(3)混合调制型：把PWM和PFM结合在一起。
控制系统采用单片机为核心的控制系统，最方便的是PWM控制方式
图2.2 单片机控制的逆变电源的总体框图
单片机控制的逆变电源的总体框图如图2.2所示，整套装置主要由电源主电路、PWM控制电路、驱动电路和单片机控制电路四部分组成。
下面简要介绍一下这几部分的电路功能：
1)主电路及驱动电路的功能
主电路用来实现输入功率到输出功率的能量转换，驱动电路用来将脉宽调制电路输出的控制脉冲转换成符合开关功率器件要求的电平和阻抗形式，同时实现主电路和控制电路之间的电气隔离，其对功率开关元件的开关时间、损耗等有着直接的影响。另外，还需要在开关器件的工作点超出安全工作区时提供保护信号。
2)基本控制电路的功能
基本控制电路的任务是根据单片机输出的电流给定值与实际电流反馈值的差值，通过调节输出脉冲的占空比来实现稳定的输出。
3)单片机控制电路的功能
为实现直流稳压电源，单片机系统控制电路用来输出其所需的电压、电流。以实现设计所要求的电源的电流和电压的稳定性
图2.3 电源主电路
由图可见，电源主电路遵循一般逆变的AC-DC-AC-DC形式，三相工频交流网路电压经过整流模块整流和滤波，得到大约540V的直流电压。该直流电压施加到由功率开关管IGBT和中频变压器组成的逆变器上。功率开关管VT1、VT2、VT3、VT4组成桥的四臂，中频变压器TI连接在它们中间，相对桥臂上的一对功率开关管VTI、VT3和VT2、VT4由栅极驱动电路以脉冲方式激励而交替地通断，将直流电压变换成20kHz的中频交变电压，中频变压器同时将大约540V电压降为24V左右的电压，然后经输出整流器整流滤波，输出直流电压。
在全桥电路中，变压器的电压为
，如果我们假定逆变器的效率为85%，占空比为0.8，则IGBT管的工作电流为：
(2.3)
驱动电路的作用主要是对驱动信号进行功率放大，并保证一定的脉冲前沿、后沿陡度，使其有足够的能力使IGBT饱和导通。同时，驱动电路还起到控制电路与主电路的电气隔离作用和故障信号的采集作用。
根据IGBT静特性和动特性，对IGBT的驱动电路提出下列要求和条件：
(1)由于是容性输入阻抗，因此IGBT对门极电荷集聚很敏感，驱动电路必须可靠，要保证有一条低阻值的放电回路。
(2)用低内阻的驱动源对门极电容充放电，以保证门极控制电压U
有足够陡降的前后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。另外，IGBT开通后，门极驱动源应提供足够的功率使IGBT不致退出饱和而损坏。
(3)门极电路的正偏电压为+12V～+15V，负偏电压应为-2V～-10V。
(4)IGBT多用于高压场合，故驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离。
(5)门极驱动电路应尽可能简单、实用，具有对IGBT的自保护功能，并有较强的抗干扰能力。
(6)若为大电感负载，IGBT的关断时间不宜过短，以限制尖峰电压，保护IGBT安全。
大多数IGBT生产厂家为了解决IGBT的可靠性问题，都生产与其相配套的混合集成电路。根据IGBT管的型号，选用HL402（400A/600V及300A/1200V）快速型IGBT专用模块来驱动IGBT管。
3．IGBT的保护
将IGBT用于逆变器时，应采取保护措施以防损坏器件。常用保护措施有：
1）通过检出的过电流信号切断门极控制信号，实现过电流保护。
2）利用缓冲电路抑制并限制过量的du/dt。
3）利用温度传感器检测IGBT的壳温，当超过允许温度时主电路跳闸，实现过热保护。
HL402是17脚单列直插式结构，内置有静电屏蔽层的高速光耦合器实现信号隔离，抗干扰能力强，响应速度快，隔离电压高。它具有对IGBT进行降栅压、软关断双重保护功能，在软关断及降栅压的同时能输出报警信号，实现封锁脉冲或分断主回路的保护。它输出驱动电压幅值高，正向驱动电压可达15～17V，负向偏置电压可达10～12V，因而可用来直接驱动容量为400A/600V及300A/1200V以下的IGBT。
HL402结构图如图2.4所示。图2.4中，VL1为带静电屏蔽的光耦合器，它用来实现与输入信号的隔离。由于它具有静电屏蔽，因而显著提高了HL402抗共模干扰的能力。图2.4中U1为脉冲放大器，S1、S2实现驱动脉冲功率放大，U2为降栅压比较器，正常情况下由于脚9输入的IGBT集电极电压VCE不高于U2的基准电压VREF，U2不翻转，S3不导通，故从脚17和脚16输入的驱动脉冲信号经S2整形后不被封锁。该驱动脉冲经S2、S2放大后提供给IGBT使其导通或关断，一旦IGBT退饱和，则脚9输入集电极电压给IGBT使其导通或关断，并且脚9输入的集电极电压采样信号VCE高于U2的基准电压VREF，比较器U2翻转输出高电平，使S3导通，由稳压管DZ2将驱动器输出的栅极电压VGE降低到10V。此时，软关断定时器U3在降栅压比较器U2翻转达到设定的时间后，输出正电压使S4导通，将栅极电压软关断降到IGBT的栅射极门限电压，给IGBT提供一个负的驱动电压，保证IGBT可靠关断。
图2.4 HL402 驱动结构图
本设计的输出电压是直流低电压，具有一定的输出功率。输出电路上对高频变压器次级的高频方波电压进行整流滤波。为了获得高质量的直流输出电压，需要一些特殊的元器件，如肖特基势垒整流二极管以及存储能的电感，以产生低噪音的输出电压。
1．输出整流和滤波电路
全桥式逆变电器的输出电路如图2.5所示，由于二极管D7、D8都给输出端提供半周期的电流，所以它们分担着相等的负荷电流，它们不需要续流二极管，因为当一个二极管截止时，另一个二极管就导通起到了续流的作用。但是，对二极管的反向截止电压参数的要求就高了，它的最小值应是：2.4Vo·Vimax / Vimin
2．功率整流器的特点
全桥式逆变器的输出电路如图2.5所示：
图2.5 全桥式逆变器的输出电路
输出电路中的整流二极管必须具有正向降低、快速恢复的特点，还应有具有足够的输出功率。普通的PN结二极管不适于作为开关使用，因为它们恢复得慢，并且效率低。在电源中，可以使用三种类型的整流二极管：
1) 高效快速恢复二极管
2) 高效超快恢复二极管
3) 肖特基势垒整流二极管
肖特基势垒整流二极管即使在大的正向电流作用下，其正向压降也很低，仅有0.4V左右。由于它具有这一优点，使得肖特基势垒整流二极管特别适用于5V左右的低电压输出电路中。因为在一般情况下，低电压输出所驱动的负载电流都很大。而且随着结温的增加，其正向压降更低。
肖特基势垒整流二极管的反向恢复时间是可以忽略不计的，因为此器件是多数载流子半导体器件，在器件的开关过程中，没有消除少数载流存储电荷的问题。
肖特基势垒整流二极管存在着两个主要缺点：
1)其反向截止电压的承受能力较低，目前的产品大约是100V。
2)它们有较大的反向漏电流，使得该器件比其它类型的整流器件更容易受热。当然，这些缺点也可以通过增加瞬时过压保护电路及适应控制结温来克服。
1．IGBT驱动器用电源
每块IGBT驱动器模块(HL402)均需要一个单独电源的直流稳压电源供电。有驱动器模块的内部电路结构得知，需要稳压电源提供25V直流电源，最大输出电流不大于50mA即可。
1)选稳压管
因为要求输出直流电压25V，即
＝25V，所以稳压管VD5的稳压值
＝25V。设电源输出电流
＝50mA时，流过稳压管VD5的电流
＝5mA。当负载开路时，流过VD5的电流
增加到
。
(2.4)
2)选定直流输入电压
通常选
(2.5)
在此我们取
＝60V。
3)求限流电阻
假定
变化±10%，则
＝1.1
＝1.1×60＝66V (2.6)
＝0.9
＝0.9×60＝54V (2.7)
限流电阻的值范围为：
(2.8)
0.8K<R1<6.8K
取
＝1000
。
1.5
55
10-3
1000=82.5V (2.9)
取
＝84V。
4)选择整流二极管
流过二极管的电流：
带负载时，整流电压
≈1.2
（2.10）
则变压器副边的最大反向有效值
为：
(2.11)
二极管承受的最大反向电压为：
(2.12)
因此，可选用最大整流电流为50mA，最大反向工作电压为100V三相桥式整流块即可。
5)选择滤波电容C
一般要求
。
式中
为整流电源的总负载，即
T为直流电源周期，T＝0.02s
(2.13)
μF (2.14)
取
＝100μF，耐压为63V的电解电容器。
2．运算放大器用稳压电源的设计
该电源主要给运算放大器，电流、电压转换器以及过电流继电器供电。输出直流电压为±15V，正电源输出电流为1A，负电源输出电流为500mA。
运算放大器稳压电源电路如图2.6所示。
图2.6 运算放大器稳压电源
电源采用7815、7915稳压块稳压，最大输出电流可达1.5A。
负载电阻
(2.15)
同理
实取
＝
＝1667μF，
=
=3333μF 耐压63V。整流器选用3A/100V整流模块。
3．单片机用 +5V稳压电源的设计
单片机用+5V稳压电源，要求能够输出200mA电流。
单片机稳压电源电路如图2.7所示：
图2.7 单片机稳压电源电路
负载电阻为：
(2.16)
＋
＝0.05/25＝0.002F＝2000μF (2.17)
实取
＝
＝3300μF，耐压25V。
通常
＝5+(3～4) ＝8～9V
取
＝9V。
变压器二次侧电压有效值为：
(2.18)
逆变器的闭环特性
(1)电流单闭环系统的外特性
稳压电源必须具有陡降外特性，因此逆变器必须引入电流负反馈，构成电流闭环系统。系统结构图如图 2.8 所示：
图2.8 电流闭环系统结构图
闭环系统的外特性如图2.9所示：
图2.9 闭环系统外特性
由此可得逆变器外特性方程为：
(2.19)
式中：
——电流反馈系数
——电流反馈环节误差放大倍数
——电流闭环后，逆变器的等效内阻
—— 电流给定量 （电压信号）
—— 电流反馈量（电压信号）
线1为开环特性，线2为闭环后获得的陡降特性。线1与线2相交于P点。P点的横坐标为
，
即为电流给定
所设定的电流。线2的斜第由
的大小决定，当
恒定时，改变
，可改变线2与纵轴的交点（0,
），使线2平行移动。线2与线1的交点P也在线1上移动，即
也在相应的范围内变化
。
(2)电流单闭环系统各参数计算
1)电流反馈系数
的计算
设电源所能产生的最大短路电流为：
(2.20)
转换成相应的最大反馈电压
。由于受单片机 A/D转换器的限制，
允许的最大值
=5V。
因此，电流反馈系数
为：
(2.21)
2)电流反馈环节误差放大倍数
的计算
已知逆变器的最小电流
此时输出电压为：
(2.22)
逆变器的陡降特性与开环特性的交点P的坐标为P (10，19.125) 陡降与横轴的交点Q的坐标为 Q (12000，0),由此可得陡降特性的斜率绝对值
为：
(2.23)
电流负反馈误差放大系数
为：
(2.24)
3)电流给定
取值范围的计算
逆变器的外特性方程为：
(2.25)
当
=0V，
=5A时，
(2.26)
(2.27)
则当
=0V，
=800A时,
(2.28)
(2.29)
(3)电流、电压双闭环系统的外特性—外拖特性
闭环系统外特性如图2.10所示：
图2.10 闭环系统外特性
可得逆变器特性方程式为：
(2.30)
式中：
— 电压反馈系数
— 电压反馈环节误差放大倍数
— 外拖拐点电压给定
线段MN为外拖特性，M点为外拖拐点。
(4)电压电流双闭环系统参数的计算
1)电压反馈系数
的计算
设电网电压波动＋10%，再留10%的安全裕量，在A/D转换器所允许最大输入电压为5V的情况下，最大反馈电压为：
(2.31)
A/D最大转换电压为
=5V ，则电压反馈系数
为：
(2.32)
2)电压反馈环节误差放大倍数
的计算
当给定电流
=
=800A时允许的最大短路电流为：
(2.33)
由陡降特性转入外拖特性的拐点是电压
=15V时,相的输出电流
为：
(2.34)
则M点坐标为M(516.17A，15V)，N点坐标为N(802A，0V)
因为外拖特性通过M、N点, 则有：
(2.35)
整理后得：
与双闭环特性方程比较后，不难得到如下关系：
(2.36)
式中：
(2.37)
3)给定电压
取值范围的计算
根据前述关系式，不难求得
最大值为：
当
=0V，
＝
＝0.167V，
＝5A时
＝2 ，
＝10A此时
为：
(2.38)
(2.39)
此时M点坐标M(
,
)是陡降特性方程，外拖特性方程的解，即
(2.40)
(2.41)
解以上二式得：
＝6.9452A，
＝1.4983V
外拖特性拐点给定电压
上限为0.8924V/402A，下限可取 0V/7A。
一、参数设置
Pnom=150KW；nnom=1000r/min；Inom=800A；Ra=0.05；
主回路：RΣ =0.08Ω；LΣ=2mH；全控桥式整流m=6；
GD2=125Kgm2
固有参数：
=
V/（r/min-1） (2.42)
Kgm/A (2.43)
(2.44)
(2.45)
(2.46)
预置参数：
取ACR限幅值
，则
(2.47)
(2.48)
(2.49)
电流调节器参数
Toi=Tfi=0.002s；
；TΣ=TS+Tfi=0.0037s
电流闭环传递函数为
(2.50)
MATLAB状态下仿真
图2.11 电流闭环仿真结构图
图2.12 电流闭环仿真结果
3 主电路的参数计算
3.1 输入电路参数计算
1．整流器的选择：
输入整流采用三相桥式整流器，其整流电压
为：
(3.1)
整流二极管的额定电流
为：
=(1.5～2)×0.367×
×1=9.7～13A (3.2)
实取10A，选取额定电流为10A，耐压1200V的整流模块。
2．滤波电容的计算
三相交流电经过整流器后输出波形如图3.1所示：
图3.1 电源经整流滤波后的波形
假设t0到t1与t1到t2的时间之和远小于t2到t3的时间，那么，可以近似认为电容器C7在t2到t3时间内提供的功率就是电源的输入功率。
设电容器C7在t2时电压为U2，在t3时刻电压为U3，电源输入功率近似为：
(3.3)
为电容器的电压从
放电到
所需的时间。
根据整流器的参数可近似认为：
(3.4)
(3.5)
电路的输出功率
为：
(3.6)
输出电路的功率按80%计，则整流器的输入功率为：
(3.7)
由此可得：
(3.8)
C7耐压值为：
，实取1200V。
3．输入瞬间电压保护器件的选择
压敏电阻的作用是削掉电网峰值电压。RY1 额定电压：
(3.9)
取750V。
由于RY1、RY2、RY3 分别为输入电路线间瞬时过电压保护 ，所以它们的额定电压取相同的值，即都取750V。RY4的额定电压应为：
(3.10)
取500V。
RY5是作为整流后的电压保护压敏电阻，故其额定电压应为：
(3.11)
实取1000V。
3.2 逆变电路参数计算
1.放电电容的选择
电源经过整流、滤波后的平均电压
约为526V，电网波动系数取±10%，计算电容时按下降情况考虑，即：
(3.12)
电源在IGBT管未导通前给电容C12和C13充电，因为均压电阻R/T 的阻值相同，所以两电容两端的电压相等且为
/ 2，即：
(3.13)
设IGBT的管压降为2V，PWM输出
=2V，信号占空比为40%(
=0.4)，开关管频率 f=20kHZ，则：
(3.14)
与C7计算相同。
(3.15)
实取C12=C13=30mF。
电容耐压：
(1.5～2)
=805.98～1074.64V (3.16)
取1000V 即可。
最好用两组容量为0.68mF，耐压1000V的聚丙烯电容并联使用，或用两只4.7mF，耐压1000V的高频电解电容器。
2.IGBT管的选择
1)集－射极间的击穿电压
采用380V交流电供电，电网电压向上波动10%，并考虑由变压器漏感起的尖峰电压等因素。
(3.17)
取1200V。
2)集电极电流
全桥式逆变电路中，IGBT的集电极电流为：
(3.18)
取
＝200A。
3)IGBT的关断时间
选用
＝1200V，
＝145A的全桥模块，可取型号SKM145GAR128D的管子。
=210ns
=430ns
逆变器频率f=20KHZ，T=1/f =50ms，
=0.4T=20ms。
最小控制死区时间：
，故可使用。
4)功率损耗
开通瞬间损耗：
(3.19)
准饱和管压降为
=3V，
=20ms，准饱和导通时损耗：
(3.20)
关断时损耗：
(3.21)
(3.23)
3.变压器T1的选择
变压器原边工作电压
为：
(3.24)
副边电压
为：
(3.25)
所以T1的变比
为：
(3.26)
实取
＝5变压器即可。
3.3 输出电路计算
1.输出滤波电抗器
电抗器的频率
为
，为使电抗器电流连续以维持滤波效果，必须保证
，即保证
，即：
(3.27)
当
=5A时，
(3.28)
(3.29)
只要保证
的电抗值大于36.31mH即可满足要求。
2．滤波电容的计算
—允许的电压脉冲值
(3.30)
(3.31)
实取
＝15μF。
耐压值为
, 实取50V。
耐压值为50V，容量为15μF的聚丙烯电容器。
3．肖特基二极管
肖特基二极管作为输出整流二极管必须提供的最小峰值正向电流
为：
(3.32)
最大正向电流的额定值：
(3.33)
3.4 纹波的抑制
1、开关电源纹波产生的原因
开关电源的工作机理在于把电网电压全波整流变为直流电,经高频开关逆变成交流电,由开关变压器降压,经高频二极管整流滤波后以直流电输出。开关电源纹波产生来源的途径有以下几个：
(1)低频纹波
低频纹波是由于滤波电路中的电解电容容量不是足够大所造成的,由于开关电源体积的限制,电解电容的容量不可能无限制地增加,所以导致低频纹波的存在,该纹波频率随整流电路方式的不同而不同。
(2)高频纹波
由于开关电源逆变桥中的开关管工作在开关状态,为了减小高频开关变压器的体积和重量,要求主开关管的开关频率越来越高,在每次主开关管的开关过程中都要产生相应的尖峰电压过冲,因此引起共模纹波,使开关电源输出电压中包含两倍于主开关管工作频率的共模纹波。
(3)闭环调节器引起的纹波
一般开关电源要求对输出电压进行闭环控制,因此,输出端的纹波会通过反馈网络进入调节器回路,导致调节器的自激振荡,引起附加纹波,此纹波电压一般没有固定的工作频率,另外,调节器参数设计得不适当也会引起纹波。
2、纹波抑制措施
(1)低频纹波的抑制
低频纹波抑制有如下几种常用的方法：
①采用有源滤波器来降低低频纹波含量,该方法利用晶体管发射极电流是基极电流的1+β倍之原理,可使在基极所接的很小容量的电容在发射极等效为一很大容量的电容。
②在输出端加低频滤波器,该方案是在高频开关整流电压与输出之间串入某一形式的滤波器同时滤去高频开关逆变造成的因PWM调节引起的差模纹波和整流后的低频纹波。
(2)高频纹波的抑制
高频纹波抑制的目的是给高频纹波电压提供通路,常用的方法有以下几种:
①高频逆变侧与直流侧地之间增加高频耦合电容C
③在高频开关变压器的初级增加尖峰电压抑制网络,在开关变压器中增加屏蔽层,并将屏蔽层接地,有利于降低高频纹波电压。
④合理布线。
⑤降低逆变桥中开关元件与高频整流管的开关应力,共模纹波是由于开关元件通断时电路中寄生电感L的存在引起的Ldi/dt造成的,所以在开关元件上并联限制开关应力的过压吸收网络可以减小输出纹波。
(3)闭环调节器参数不适当引起的纹波抑制
在开关直流电源中,往往因调节器参数选择不适当会引起输出纹波的增大,这部分纹波可通过以下方法进行抑制。
①在调节器输出增加对地的补偿网络,调节器的补偿可抑制调节器自激引起的纹波增大。
②合理选择反馈电压值,反馈电压过大会引起调节器振荡,使输出纹波增加,反馈电压太小将使输出纹波电压不能得到很好及时的抑制。
③合理选择闭环调节器的开环放大倍数和闭环调节器的参数,开环放大倍数过大有时会引起调节器的振荡或自激,使输出纹波含量增加,过小的开环放大倍数将使输出电压稳定性变差及纹波含量增加,所以调节器的开环放大倍数及闭环调节器的参数要合理选取,调试中要根据负载状况进行调节。
④在反馈通道中不增加纯滞后滤波环节,使延时滞后降到最小,以增加闭环调节的快速性和及时性,对抑制输出电压纹波是有益的。
3、本文采取的措施
在抑制低频纹波采取下图所示的低频滤波器，该方法是在高频开关整流电压与输出之间串入某一形式的滤波器同时滤去高频开关逆变造成的因PWM调节引起的差模纹波和整流后的低频纹波。图中L与C1或L与C2的取值要合理选用。一般L与C1或L与C2的取值应按
。式中的
为开关电源逆变器的逆变频率。
图3.2 低频滤波器电路图
在抑制高频纹波本文采取的是合理布线的方法。
4 辅助电路
4.1 电压驱动型脉宽调制器
TL494的特点与功能
TL494是电压驱动型脉宽调制器，可显示器、计算机等系统，TL494的管脚如图4.1所示：
图4.1 TL494管脚图
作为开关电源电路，TL494的输出三极管可接成共发射极及射极跟随器两种方式，因而可以选择双端推挽输出或单端输出方式，在推挽输出方式时，它的两路驱动脉冲相差180度，而在单端方式时，其两路驱动脉冲为同频同相。
2脚分别为误差比较放大器的同相输入端和反相输入端。
3脚为控制比较放大器和误差比较放大器的公共输出端，输出时表现为输出控制特性，也就是就在两个放大器中，输出幅度大者起作用。当3脚的电平变高时，TL494送出的驱动脉冲宽度变窄，当3脚电平低时，驱动脉冲宽度变宽。
4脚为死区电平控制端，从4脚加入死区控制电压可对驱动脉冲的最大宽度进行控制，使其不超过180度，这样可以保护开关电源电路中的三极管。
5、6脚分别用于外接振荡电阻和电容。
7脚为接地端。
8、9脚和11、脚分别为TL494内末级两个输出三极管的集电极和发射极。
12脚为电源供电端。
13脚为功能控制端。
14脚为内部5V基准电压输出端。
15、16脚分别为控制比较放大器的反相输入端和同相输入端。
4.2 电流检测电路
1．电路设计
电流检测是实现电流负反馈控制的基础，检测电路如4.2图所示,逆变器输入电流If流经传感器TA时，在电阻R1两端产生相应的电压，经跟随器IC1输出，再经组成滤波器滤波后，进入单片机系统A/D转换口，由A/D转换器转换成数字量。
2．参数计算
1)电流转换器的计算：
电流转换器一次测电流额定值为1000A式，选用LEM块，现选用LA1000-7型号的LEM作为检测元件，其检测范围为0～800A。匝数比为1:10000，内阻
=50
，LEM块内功率输出管饱和压降
=0.5V，电源电压为15V。
由于
，在额定一次电流下，流过测量电阻
的电流
为：
(4.1)
实取70
。
(4.2)
对应的一次电流值为：
(4.3)
转换后的电压最大值为：
(4.4)
2)滤波器参数的计算
电流检测电路如图4.2所示：
图4.2 电流检测电路图
由于最大电流时的反检测电压小于单片机A/D转换器允许的最大输入电压5V，因此滤波器的放大倍数
为：
(4.5)
取
、
、
、
均为20kW，
＝300W，
＝30W，则：
(4.6)
(4.7)
电容C可在调试时根据情况确定。运算放大器选用LM324普通运算放大器即可。
3)输出调整及保护
为了输入到单片机A/D转换器的电压在5V以下，故增设一只稳压管起保护作用，防止由于运算放大器损坏时，输出正负高电压而导致A/D转换器，甚至单片机系统损坏，稳压管VDW1的稳压值选定为5V。
电位器RP1为10K，用来调整输入A/D转换器电压的大小，即改变电流反馈系数。
4.3 电压检测电路
1．电压检测电路
电压检测元件采用HV100转换模块，匝数比为10000：2000，电压转换系数为1，当逆变器空载时，输入HV100的电压
为：
(4.8)
取80V。
电压检测电路如4-3图所示：
图4.3 电压检测电路图
取运算放大器IC1D的输入电阻
，输入电流为10mA。
4.4 脉冲调制工作点的选择
脉冲调制器的主要功能是将比较放大器输出的直流信号转变为宽度可变的脉冲。要求脉冲宽度能均匀的由窄到宽或由宽到窄的调节，其调节范围的大小取决于工作点的选择，而选择工作点必须先要求知道输入电压的变化范围。
脉宽调制器工作点的选择，主要考虑最低直流电压输入时的脉冲宽度，即运用的最大脉冲宽度。将工作点选在半个周期100%处，这是理想状态。实际上是不可能的，因为受到与工作频率有关的电路延迟（主要来自功率晶体管上升、下降和存储时间等）。如果不考虑这个延迟时间，对于推挽和桥式电路来说，就可能出现两个功率晶体管同时导通而损坏晶体管的危险。因此，工作点不能选在100%处。
在一个变换器中，工作频率为20kHz时，半周期的100%处的脉宽等于25μs。如果考虑到电路延迟5μs，则最大脉宽只能是20μs，我们把它作为输入电网电压最低，输出电流最大时的工作点。那么，当满载输入电压最高时，其工作点可求出：
由此可知，当满载并且输入电压最高时脉宽工作点为半个周期的60%。
5 单片机控制系统的设计
单片机控制电路由以下几部分组成：80C196KC最小系统、D/A转换电路、数码显示及键盘输入电路、I/O接口电路。下面简要介绍一下这几部分的功能：
1)80C196KC最小系统：它是单片机控制系统的核心部分，通过程序的运行使它与外围芯片交换信息，来实现所需的控制功能。
2)I/O接口电路实现单片机的输入输出控制，并使单片机数字电路和其控制对象隔离开来，增强单片机的抗干扰能力。
5.1 单片机最小系统设计
图5.1为单片机80C196KC内部结构框图。本系统由CPU、锁存器、译码器、EEPROM组成，采用8M晶振，为与外围的常用接口芯片配合，采用8位总线方式，为减小功耗并考虑接线的方便，外围接口芯片均采用高速CMOS芯片。
图5.1 单片机80C196KC内部结构框图
虽然单片机本身具有丰富的软、硬件资源，但也只能满足较为简单的实时系统的要求，对于较复杂的系统需要在其外围配置一些接口芯片，而CPU同这些芯片交往必须知道它们的地址，即必须采取有效的方法合理分配单片机地址资源，将每个I/O设备映像于单片机地址空间。
寻址I/O接口设备常用两种方法，线选法和译码法。这里采用了译码法寻址I/O空间，即用3-8译码器74LS138产生片选信号。
80C196KC单片机整个存储空间中，片内、片外存储空间一共可达64K字节，由于80C196KC程序运行首地址为2080H，应以2000H开始安排程序存储空间，扩展的存储空间的顺序一般为EPROM—EEPROM —RAM—I/O芯片。单片机地址资源进进行分配后，运行CPU则根据分配的地址查找单片机外围I/O设备，以进行输入/输出操作，即CPU对I/O空间的寻址。
为保证程序存储区在2000H以上范围，在A15=A14=0情况下，应将80C196KC高端地址A13置为高电平。
上述译码方法实质是将EEPROM存储单元首地址浮高以满足单片机复位后PC指针的要求。显然不取Y0作为片选是因为程序运行首地址为2080H。当A13=1，A15=A14=0时，138输出Y1为低电平有效，选中2864；当A14=1，A15=A13=0时，Y2有效，选中DAC0832：当A15=0，A14=A13=1时，Y3有效，选中8279。
80C 196KC片内无程序存储器，为此系统扩展了芯片2764，它能够在断电时保持数据不丢失，又能实时地更新内容。由于80C196KC片内有256个8位寄存器，除25个特殊功能寄存器外都可用作累加器，采用垂直窗口技术，可扩展为512个寄存器，因此无需扩充片外RAM，即可完成用于控制过程的绝大部分运算。
5.2 数模转换电路
在连续量控制场合，单片机输出的数字量必须经D/A转换后，才能驱动执行元件，从而实现单片机对系统的有效控制。为了实现电源恒流外特性，需要单片机输出连续的模拟信号作为电流闭环调节中的电流给定量。而且面板上的电流表显示也需单片机输出的模拟信号加以控制。
将单片机输出的数字量转换为模拟量的方法有多种，80C196KC本身提供的PWM输出和高速输出口(HSO)都可用作D/A转换用，其实现D/A输出的外部接口电路一般原理见图5.2所示，从图可知，为保持模拟量的平衡，都必须通过阻容滤波，但即使滤波后也有细小的纹波存在，而直接采用D/A转换芯片来产生电流给定所需的模拟量，输出精度高，响应时间也相对快一些。
D/A转换器按字长分有8位、12位、14位、16位等不同字长的D/A。其中14位、16位D/A用得较少，一是价格高，二是12位以下己基本满足一般工业系统的要求。本焊机系统对电流调节所需的分辨率要求不是很高，因此选用8位DAC0832即可满足要求。它内部是T型电阻网络构成的D/A转换器，并带有数据锁存器，数字量为并行输入，转换速度很快，输出形式为电流源输出，电流建立时间小于l us。
6 软件设计
1、主程序设计
图6.1 主程序流程图
2、LED显示及A/D转换子程序设计
要实现电源外特性控制，只要反馈电压、电流进行离散PI算法，调节TL494的控制电压，对逆变器进行脉宽调制，最后输出的就是需要的电源外特性。脉冲特性的输出其实就是在两种恒流外特性的切换。如果想获得恒压或恒流特性，控制思路与控制脉冲特性的类似，只是被控量和反馈量不同而已。
图6.2 LED显示子程序流程图 图6.3 A/D转换子程序框图
3、故障处理子程序
故障处理子程序流程图见图6.5。故障保护原理见“保护电路设计”一节。软件部分的作用是非屏蔽中断出现上升沿时，单片机立即中断，进入中断程序，进行故障处理，显示故障标志，并点亮故障灯。
图6.4 故障处理流程图
软件抗干扰措施
尽管我们采取了硬件抗干扰措施，但是由于干扰信号产生的原因很复杂，且具有很大的随机性，仍有一些干扰会侵入系统。为了系统更稳定的工作，采取了软件抗干扰措施。
1．监视定时器(WDT)
印刷电路板上窜入的噪声或毛刺会造成软件故障，甚至使单片机“死机”，死机时系统就会一直停止在某一状态，无法继续正常运行，必须重新复位才能恢复。
监视定时器，俗称“看门狗”，具有监视单片机运行的功能，一旦发现“死机”就会在很短的时间内(微秒级)发出复位信号，恢复程序正常运行。可见，使用看门狗可以使单片机摆脱因干扰而引起的瘫痪状态，使系统能够从瞬时故障中自动恢复，大大提高系统的抗干扰能力。看门狗可由硬件实现，也可由软件实现。
2．数字滤波
这种措施是利用单片机执行一定的程序计算方法，减少噪声在有用信号中的比例，其实质是程序滤波。
结 论
本文是围绕直流稳压电源展开的，文中采用单片机进行控制实现逆变电源的外特性，并对电源输出参数进行实时监测。
1．本文所研制的直流稳压电源采用IGBT式全桥逆变结构，额定电压24V，额定电流800A。经试验表明，所设计的主电路结构合理，参数与性能稳定，能够获得预定的输出容量。
2．整个控制系统采用以高性能的单片机80C196KC为核心，配以集成度高的专用芯片进行控制，并在整个控制电路的各个环节采取了多种抗干扰与保护措施。
3．电源控制系统中采用PWM控制技术，实现了对电源输出特性的精确控制，本电源能输出恒流、恒压输出特性，输出特性的参数可调。
4．文中选用了MAX7219的显示器，能很好的完成显示任务。
5．在单片机控制系统中，从硬件和软件两个方面采取了多种抗干扰措施。
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稳压电路图
驱动电路图
LED动态显示电路图
电源的整流、逆变及保护
致 谢
本文是在张锡鹤老师的悉心指导下完成的。论文中凝聚了张老师无数的心血，张老师务实的科学态度，严谨的治学作风，丰富的科学知识，活泼的学术思想以及正直的人格魅力给我树立了极好的榜样，使我受益匪浅。尤其是张老师身体力行、言传身教、以及对学生认真负责的态度更让我由衷地钦佩。在此，我要说一声：张老师，您辛苦了！谢谢您，张老师！
张老师自始至终给予了我很大的帮助，提供了很多参考资料、设计思想和许多非常实用的意见；在我灰心时鼓励我奋勇向前，松懈时启发我积极进取。张老师所作的一切，使我非常感动！
在此，谨向张老师致以最崇高的敬意和诚挚的感谢!
在论文写作过程中，许多同学在课题设计中给予了帮助。在此，对他们表示感谢！
最后，在这篇论文即将完成之际，向参加论文评审和答辩的老师以及对本论文的修改提出意见和建议的人表示感谢!
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