场效应管内部工作原理

我们以增强型nmos为例，其他mos管作为拓展理解：

1.各个部分介绍

 

如图，增强型nmos引出三个极，源极（Source），栅极（Gate），漏极（Drain），可以将它们类比于三极管的发射极，基极，集电极。图中的B是把衬底引出来了，实际的元件中，会把源极和衬底连接起来，如果没有连接，那么源极和漏极可以通用，二者差别并不是很大。

注意：源极和漏极都与N型半导体直接相连，而栅极半导体与P型半导体之间通过二氧化硅连接。这也是其全称为绝缘栅型场效应管的原因。同理，耗尽型nmos和pmos也一样，也用了二氧化硅隔开。

2.截止区，可变电阻区，恒流区

与三极管相同，mos管也分为了三个区：截至区，可变电阻区，恒流区。接下来说明当处于这三个区的时候的内部发生的变化：

首先，我们给整个增强型nmos加入两个电源：

我们来先使 uDS 等于0，使 uGS 电压逐渐上升，上升的电压排斥P型衬底靠近SiO2的空穴，空穴与自由电子混杂，形成耗尽型，如左上图 。

随着外加 uGS 的继续上升，耗尽层继续加厚，同时，衬底的自由电子开始“大量”聚集，形成了自由电子的通道。这个通道叫做反型层，也是其被称为N沟道增强型MOS管的“N沟道”，如上右图。

如果此时加入 uDS ，那么源极和漏极将产生电流，但此时沟道变化：

产生变化的原因为：两端N型半导体的电压不同，存在电压差，会使中间的沟道宽窄不同。（简单理解：随着d电压升高，g和d电压越来越接近，当 uGD 等于 uGS(th) 的时候，达到预夹断（pmos也能按照此推断））

从上图a到b的变化，就是其可变电阻区。从b到c，就是进入了恒流区（此时沟道出现预夹断， uDS = uGS - UGS（th））。在图b基础上增大 uDS ，会使中间的沟道继续变窄 ，向图c靠拢，虽然 uDS在增大，但变窄的沟道相当于增大了电阻， 从外界来看，就是进入了恒流区。

注意：反型层的宽度决定了电阻的大小。

3.对元件示意图的理解

                          

 还借用上图，我们来看元件示意图与实际名称的关系，增强型nmos全称为：绝缘栅型N沟道增强型MOS管。

绝缘栅我们前面提到：栅极通过二氧化硅和衬底连接，示意图上就把g极与其余部分隔开了。

N沟道：要使源极和漏极导通，就需要自由电子形成的沟道，即N沟道，在图中显示出来就是由衬底指向了这样的沟道。即箭头方向，从三极管到MOS管，从始至终都是从P型半导体指向了N型半导体，换句话说，是PN结导通时的电流方向。而我们知道，mos管属于电压控制电流元件，所以我们需要在g和s之间加正向电压。

增强型：为什么叫增强型，是因为需要给栅极和源极之间加一定的正向电压，增强栅极处的载流子（自由电子）。

MOS管：即场效应管，英文为：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

依此，就可以类推耗尽型（耗尽型在不加电压时就可到导通，所以需要加一定的反向电压来使多子流出通道，因而消耗了载流子）（结型主要是利用了PN结的性质）

4.对于N沟道的结型场效应管和耗尽型场效应管

以上分析了增强型，对于结型和耗尽型就很简单了，直接看图：

结型N沟道场效应管：（由于N区为低掺杂，所以击穿为雪崩击穿）

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 耗尽型N沟道场效应管：（注意：在制造这个MOS时，在二氧化硅绝缘层中掺入了大量正离子，所以在不外加电压时，漏极和源极也可以导通）

5.补充：增强型nmos出现预夹断为什么在漏极和源极还会有电流存在

在进入预夹断时，漏源电压继续增大，沟道的夹断点向源极方向运动，那么在沟道和漏极之间会隔着一段耗尽区，当沟道中的电子到达沟道端的耗尽区边界时，会立即被耗尽区内的强电场扫入漏区，所以会有电流存在。（类似于给二极管加反向电压的过程，都是内部电场的作用）