【模电】场效应管（FET）的工作原理（以MOSFET为例）

场效应管介绍

        FET全称为Filed Effect Transistor，场效应管。是一种靠电场效应控制其电流大小的半导体器件，基本无电流。

        分类：

        1、MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）

        2、JFET（结型场效应管）

        特点：

        1、由于基本无电流，所以消耗的功率特别小

        2、只有多子（电子或空穴）参与导电，所以称FET为单极型器件

        3、体积小、重量轻、耗电省、寿命长

        4、输入阻抗高、噪声低、抗辐射能力强、制造工艺简单

        5、MOSFET由于制造工艺的成熟，体积非常小，在超大规模集成（VLSI）电路中由广泛运用

N沟道增强型MOS管

结构

        N沟道增强型MOS管结构图为：

        上图中，衬底为P型半导体，掺杂浓度低但大；衬底中掺入两部分高浓度的N，然后再在表面覆盖一层二氧化硅（绝缘），从二氧化硅表面引出栅极（gate），从两个N区域引出两个电极为源极（source）和漏极（drain）。

        其中，栅极与源极、栅极和漏极之间无电接触（有绝缘层），栅极一般作为控制极。

        上图为剖面图和电路符号，其中P和N之间会形成PN结，电路符号的箭头由P指向N，与BJT一致，垂直短画线代表沟道，表面源极和漏极之间无导电沟道。

        从结构图中我们可以看出，如果没有外部因素的影响，源极和漏极之间是很难连接起来进行导电的，所以如果想要源极和漏极连接，需要从内部“挖”一条“沟道”。

工作原理

        1、首先在栅极和源极之间加上正向电