MOS管的使用

常见封装以及对应引脚

PMOS管的阈值电压比NMOS管高，需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度慢；

导通电阻大，发热会比较严重

MOS管参数详解-CSDN博客

参数详解

1 .Vgs（th）导通电压

 导通条件：N沟道Vg>Vs,Vgs>Vgs（th）时导通，P沟道相反

1. Vgs 最大栅源电压
2. RDS（on）导通时漏源最大阻抗，这个值越小越好
3. ID 导通电流 漏源间所允许通过的最大电流
4. VDSS 漏源击穿电压 VGS为0是，MOS管最大承受漏源电压
5. Gfs（跨导）漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比
6. 充电信息
7. 

这些寄生电容会导致MOS管放电不及时，所以需要再GS级加上一个电阻（5K-10K）

Cgd:米勒电容，会增加MOS管的开关损耗，延长开通时间，降低速度

解决：加一个RG（不用太大）；在GS之间加电容，采用负压驱动

在不需要快速开关断的情况下这些可以适当增大，比如电源防反接

在MOS管的源级和漏极之间有一个寄生二极管一般看正向最大电流Is和正向电压Vsd（这是MOS管为导通的情况），不过因为MOS管的导通内阻小，所以D和S中的压降也小不会让寄生二极管导通

选型主要看：VGS，VDS，Rds（寄生电阻）这个越小越好，VGS(TH)这是导通电压

区分就是：NMOS管朝内，PMOS管朝外

自举电路：

PMOS管不需要，NMOS管需要