本文介绍了MOSFET的管脚识别，包括G（控制极）、S（源极）和D（漏极）。对于N沟道和P沟道MOSFET，通过箭头方向判断类型，并解释了电流方向与控制极的关系。导通条件取决于栅极电平，高电平使N沟道导通，低电平使P沟道导通。同时，电流从D到S对于N沟道，从S到D对于P沟道。
贴片封装的Mos见上图所示。G为控制极 S为源极 D为漏极
控制极比较好判断，然后有两根线的是源极 一根线的是漏极
如果箭头指向控制极 为N型 反之为P型
N倒沟:然后看寄生二极管的方向，电流从D流向S。（记忆方法：如果电流从S流向D的话 G就没法控制了，自然导通，所以肯定是动D->S）
P倒沟： 电流从S->D
导通条件：
无论是P沟道还是N沟道，看电路图的箭头是指向哪里：如果箭头指向栅极，那给栅极高电平，其他的两极按照沟道的不同来接（P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反）就是导通，低电平就是截止；同理箭头从栅极指向其他，这是低电平导通，高电平截止。
以上资料都是从网上看的，自己整理一下 做笔记，方便自己查找
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