STM32F108上电第一步——复位和时钟设置（ RCC）（标准库）

void RCC_Configuration(void){ //RCC时钟的设置  
	ErrorStatus HSEStartUpStatus;   //定义一个枚举变量
	RCC_DeInit();    /* RCC system reset(for debug purpose) RCC寄存器恢复初始化值*/   
	RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON); /* Enable HSE 使能外部高速晶振*/   
	HSEStartUpStatus = RCC_WaitForHSEStartUp(); /*等待外部高速晶振使能完成；返回值是一个枚举值；SUCCESS： HSE 晶振稳定且就绪   ERROR： HSE 晶振未就绪*/   
	if(HSEStartUpStatus == SUCCESS){//进行判断；是否起振成功   
		/*设置PLL时钟源及倍频系数*/   
		RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSE_Div1, RCC_PLLMul_9); //RCC_PLLMul_x（枚举2~16）是倍频值。当HSE=8MHZ,RCC_PLLMul_9时PLLCLK=72MHZ   
		/*设置AHB时钟（HCLK）*/   
		RCC_HCLKConfig(RCC_SYSCLK_Div1); //RCC_SYSCLK_Div1——AHB时钟 = 系统时钟(SYSCLK) = 72MHZ（外部晶振8HMZ）   
		/*注意此处的设置，如果使用SYSTICK做延时程序，此时SYSTICK(Cortex System timer)=HCLK/8=9MHZ*/   
		RCC_PCLK1Config(RCC_HCLK_Div2); //设置低速AHB时钟（PCLK1）,RCC_HCLK_Div2——APB1时钟 = HCLK/2 = 36MHZ（外部晶振8HMZ）   
		RCC_PCLK2Config(RCC_HCLK_Div1); //设置高速AHB时钟（PCLK2）,RCC_HCLK_Div1——APB2时钟 = HCLK = 72MHZ（外部晶振8HMZ）   
		/*注：AHB主要负责外部存储器时钟。APB2负责AD，I/O，高级TIM，串口1。APB1负责DA，USB，SPI，I2C，CAN，串口2，3，4，5，普通TIM */  
		FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2); //设置FLASH存储器延时时钟周期数   
		/*FLASH时序延迟几个周期，等待总线同步操作。   
		推荐按照单片机系统运行频率：
		0—24MHz时，取Latency_0；   
		24—48MHz时，取Latency_1；   
		48~72MHz时，取Latency_2*/   
		FLASH_PrefetchBufferCmd(FLASH_PrefetchBuffer_Enable); //选择FLASH预取指缓存的模式，预取指缓存使能   
		RCC_PLLCmd(ENABLE);	//使能PLL
		while(RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY) == RESET); //等待PLL输出稳定   
		RCC_SYSCLKConfig(RCC_SYSCLKSource_PLLCLK); //选择SYSCLK时钟源为PLL
		while(RCC_GetSYSCLKSource() != 0x08); //等待PLL成为SYSCLK时钟源   
	}  
```## 标题