【漂移-扩散通量重建 FV 方案】用于半导体和气体放电模拟的电子传输的更准确的 Sharfetter-Gummel 算法附Matlab代码

最新推荐文章于 2025-04-26 23:01:23 发布

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文章标签：算法 matlab 数据结构

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🔥 内容介绍

在半导体器件和气体放电等离子体模拟中，准确地描述带电粒子（尤其是电子）的输运行为至关重要。电子在电场和浓度梯度驱动下的漂移-扩散运动是这些现象的核心。标准的有限体积 (Finite Volume, FV) 方法在离散化漂移-扩散方程时，由于中心差分对流项的处理，可能会在网格 Peclet 数较大时出现非物理振荡，导致数值不稳定性甚至无法收敛。为了克服这一挑战，Scharfetter-Gummel (SG) 算法应运而生，并在半导体器件模拟中取得了巨大成功。然而，对于某些复杂的模拟场景，如高电场、强非均匀网格或包含复杂边界条件的模拟，传统的 SG 算法可能仍然存在一定的局限性。本文将深入探讨一种基于漂移-扩散通量重建的 FV 方案，旨在为半导体和气体放电模拟中的电子传输提供一种更准确的 Sharfetter-Gummel 算法，并分析其原理、优势及潜在的应用前景。

Scharfetter-Gummel 算法：解决对流主导问题的先驱

Scharfetter-Gummel 算法是专门为解决漂移-扩散方程中对流主导问题而设计的。其核心思想不是直接离散电流密度中的密度梯度，而是假设在两个相邻网格点之间，电场是均匀的，并且电流密度是常数。基于这两个假设，可以推导出在稳态且无生成复合的情况下，两个相邻网格点之间的密度分布遵循指数律。利用这一指数律，可以在网格界面上精确地表示电流密度，避免了对密度梯度的直接中心差分。

漂移-扩散通量重建 FV 方案：进一步提升准确性

尽管传统的 SG 算法取得了巨大成功，但在更复杂的场景下，其假设（例如界面处电场均匀、电流密度常数）可能不再严格成立。这可能导致在某些区域，尤其是高电场梯度或强非均匀网格附近，出现数值误差。漂移-扩散通量重建 (Flux Reconstruction, FR) FV 方案旨在通过在单元内部或界面附近重建更准确的物理量（如电场、密度梯度或电流密度本身），从而改进传统的 SG 算法。

其基本思想是在每个控制体积内或其界面附近，利用相邻单元的信息，构造一个更高阶的多项式或其他函数来近似物理量的分布。然后，基于这个重建的分布，可以计算出更加准确的界面通量。将这种通量计算与 SG 算法相结合，可以保留 SG 算法的稳定性和对流主导情况下的准确性，同时在局部区域修正由于 SG 算法假设不严格导致的误差。

具体的通量重建方案可以有多种实现方式：

基于物理量的重建: 可以在单元内部重建电子密度、电场等物理量的高阶多项式近似。例如，利用单元中心值和相邻单元中心值，通过插值或最小二乘法构建一个局部高阶多项式。然后在界面上，利用这个高阶多项式来计算密度梯度或电场，进而计算电流密度。结合 SG 算法的指数律特性，可以在这个重建的场中应用 SG 形式。
基于电流密度的重建: 更直接的方法是在单元内部或界面附近重建电流密度本身的高阶近似。这可以通过求解一个局部问题或利用相邻单元的电流密度信息来实现。例如，可以利用相邻单元的电流密度值，通过某种插值或外推方法，得到界面处更精确的电流密度估计。然后，将这个估计的电流密度与 SG 算法的结构结合起来。
基于修正函数的重建: 可以构建一个修正函数，用于调整传统 SG 算法计算出的电流密度。这个修正函数可以根据局部电场梯度、网格非均匀性或其他影响 SG 算法精度的因素来确定。通过将 SG 电流密度与这个修正函数相结合，可以得到一个更准确的界面通量。

将通量重建思想应用于 SG 算法的关键在于，如何在保留 SG 算法对流项的指数律特性的同时，利用重建的物理量或通量来修正其扩散项或其他可能存在的误差源。一种可能的方法是，利用重建的物理量来计算界面处的有效扩散系数或有效迁移率，然后将其代入 SG 算法的形式中。另一种方法是，将 SG 算法视为一个基础通量，然后根据重建的信息添加一个修正通量项。

漂移-扩散通量重建 FV 方案的优势

与传统的 SG 算法相比，基于漂移-扩散通量重建的 FV 方案具有以下潜在优势：

提高准确性:
通过利用局部信息构建更高阶的近似，可以更准确地描述物理量的分布，从而计算出更精确的界面通量，减少数值误差。这对于具有复杂几何、强电场梯度或高非均匀网格的模拟尤其重要。
增强对复杂场景的适应性:
传统的 SG 算法对均匀电场和常数电流密度的假设在复杂场景下可能失效。通量重建方法通过局部修正，可以更好地适应这些非理想情况，提高算法的鲁棒性。
潜在的更高阶精度:
通过采用更高阶的重建策略，理论上有可能获得更高阶的数值精度。虽然实际中实现高阶精度可能面临挑战，但在某些情况下，通过局部修正可以有效地提升整体精度。
与其他技术的结合:
通量重建思想可以与其他数值技术相结合，例如自适应网格细化，进一步优化模拟的效率和精度。在关键区域进行局部通量重建，可以避免全局采用高阶方法带来的计算负担。

在气体放电模拟中的应用前景

尽管 SG 算法最初主要应用于半导体器件模拟，但漂移-扩散方程在气体放电等离子体模拟中也扮演着重要角色。气体放电中的电子输运受到电场和浓度梯度的共同影响，且通常伴随着复杂的电离、激发、复合等过程。在许多气体放电模拟中，电场可能存在剧烈的变化，网格也可能高度非均匀，这使得传统的数值方法面临挑战。

将基于漂移-扩散通量重建的 FV 方案应用于气体放电模拟，可以为准确描述电子输运提供新的可能性：

高电场区域的准确模拟:
在气体放电中，特别是在电极附近或放电通道内，电场可能非常强。通量重建可以更准确地处理这些高电场区域的电子漂移，提高模拟结果的可信度。
非均匀网格的适应性:
气体放电模拟通常需要在放电核心区采用细网格，而在外部采用粗网格。通量重建方法可以更好地处理这种网格的非均匀性，避免在网格过渡区域产生较大的数值误差。
复杂边界条件的处理:
气体放电通常涉及复杂的边界条件，例如电子在电极表面的发射和吸收。准确地计算边界处的电子通量对于模拟的准确性至关重要。通量重建可以帮助更精确地处理这些边界处的通量。
与化学反应的耦合:
气体放电模拟中，电子输运与多种化学反应（如电离、附着、复合等）紧密耦合。准确的电子密度和电流密度分布是计算这些反应速率的基础。通量重建方案可以为这些反应提供更可靠的输入。

挑战与展望

尽管漂移-扩散通量重建 FV 方案具有显著的潜力，但在实际应用中仍存在一些挑战：

重建方法的选择和实现:
如何选择合适的重建函数形式、重建区域以及如何有效地计算重建系数是关键问题。不同的重建方法对计算成本和精度有不同的影响。
多维问题的复杂性:
将一维的通量重建思想推广到二维或三维会增加复杂性，需要考虑单元的形状、相邻单元的关系以及多维物理量的重建。
计算成本的增加:
与简单的传统 SG 算法相比，通量重建通常会增加计算量，因为需要进行额外的重建计算。需要在精度提升和计算效率之间进行权衡。
与其他物理过程的耦合:
在气体放电等模拟中，电子输运与其他物理过程（如离子输运、中性粒子输运、电场计算、能量方程等）相互耦合。如何将通量重建方案与其他耦合方程的求解器有效地集成是一个重要的研究方向。

尽管存在这些挑战，基于漂移-扩散通量重建的 FV 方案代表了改进 Sharfetter-Gummel 算法的一个重要方向。未来的研究可以聚焦于开发更高效、鲁棒和易于实现的重建方法，将其推广到多维复杂几何，并与其他物理过程的求解器进行有效的耦合。

结论

在半导体器件和气体放电模拟中，准确模拟电子的漂移-扩散输运至关重要。传统的有限体积方法在处理对流主导问题时面临挑战，而 Sharfetter-Gummel 算法通过利用指数律特性有效地解决了这一问题。然而，在更复杂的模拟场景下，传统的 SG 算法可能存在局限性。

本文提出的基于漂移-扩散通量重建的 FV 方案，通过在单元内部或界面附近重建物理量或电流密度，旨在为半导体和气体放电模拟中的电子传输提供一种更准确的 Sharfetter-Gummel 算法。这种方案的优势在于提高准确性、增强对复杂场景的适应性、潜在的更高阶精度以及与其他技术的结合。尤其是在气体放电模拟中，该方案在高电场区域、非均匀网格和复杂边界条件下的应用前景广阔。

虽然实现通量重建方案仍面临一些挑战，但其为提高漂移-扩散方程数值求解的准确性和鲁棒性提供了有力的工具。随着计算能力的不断提升和数值方法的不断发展，基于漂移-扩散通量重建的 Sharfetter-Gummel 算法有望在半导体器件设计、等离子体物理研究以及相关工程应用中发挥越来越重要的作用。未来的研究将继续探索更优化的重建策略，以克服现有挑战，充分释放该方法的潜力。