一文读懂闪存：原理、结构、类型与应用

最新推荐文章于 2025-03-19 17:17:30 发布

东锋17

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分类专栏：硬气说文章标签：闪存 Flash

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读懂闪存：原理、结构、类型与应用

在数字化浪潮中，数据存储的重要性不言而喻。闪存（Flash）作为一种关键的非易失性存储技术，早已融入我们生活的方方面面，从日常使用的手机、U 盘，到企业级的数据中心，都有它的身影。今天，就让我们深入探索闪存的世界，了解它的工作原理、基本结构、种类以及广泛应用。

闪存（Flash Memory）是一种神奇的存储设备，即使在断电的情况下，它也能稳稳地保存数据，属于非易失性存储器的范畴。这一点和传统硬盘（HDD）以及动态随机存取存储器（DRAM）有着本质区别。传统硬盘依靠机械运动部件读写数据，而 DRAM 断电后数据就会消失不见。

闪存能在众多存储技术中脱颖而出，得益于它诸多显著的优点：

生活中，闪存产品随处可见，像常用的 USB 闪存盘、SD 卡，还有让电脑性能大幅提升的固态硬盘（SSD）等，都是闪存技术的典型应用。

闪存的工作依赖于半导体 MOS（Metal Oxide Semiconductor）技术，每个存储单元就像是一个小小的数据仓库，由一个带有浮栅的 MOS 管组成。

存储单元主要包含以下几个关键部分：

闪存主要有写入、擦除和读取这三种操作：

写入操作：写入数据时，就是给浮栅注入或抽出电荷。比如要写入 “0”，就在控制栅上加较大的正电压，电流顺着隧道氧化层进入浮栅，让它存储电荷；写入 “1” 则相反，施加负电压把电荷抽出来，浮栅没了电荷就代表 “1”。
擦除操作：擦除数据其实就是把浮栅里的电荷全部抽走，恢复到 “1” 的初始状态，一般通过施加负电压就能实现。
读取操作：读取时，先在控制栅上加正电压，然后检测源极和漏极之间的电流。要是浮栅有电荷（存的是 “0”），电流就比较小；要是没电荷（存的是 “1”），电流就大，根据电流大小就能判断存储单元存的数据。

根据结构差异，闪存主要分为 NAND 闪存和 NOR 闪存，它们在很多方面都有着明显的不同。

NAND 闪存的存储单元像是手拉手串联在一起，形成一条长长的 “数据链”。这种结构让它拥有超高的存储密度，能在更小的芯片空间里存储更多数据，成本也比较低，所以在 USB 闪存盘、固态硬盘（SSD）、数码相机存储卡这些大容量存储设备中广泛应用。

不过，NAND 闪存也有个小缺点，它没办法随机读取数据。读取时，只能从 “链条” 前端开始，一个一个按顺序找，直到找到目标数据，所以在需要频繁随机访问数据的场景下，它的性能就不太理想，更适合顺序读取较多的情况。

NOR 闪存的存储单元采用并联排列的方式，每个单元都直接和位线相连，这就好比每个房间都有独立的门，随时可以进出。因此，NOR 闪存可以直接对每个单元进行随机访问，读取速度特别快，在需要频繁访问数据的场景，比如固件存储、嵌入式系统中，表现十分出色。

但由于每个存储单元都要单独布线，NOR 闪存的集成度不高，存储密度比不上 NAND 闪存，成本也就相对较高，更适合存储少量数据的应用。

为了让大家更直观地了解二者的差异，下面通过表格进行对比：

闪存的基本存储单元 —— 带浮栅的 MOS 管，就像一个智能开关。控制栅极如同开关的把手，通过调整它上面的电压，就能控制电流的通断，进而实现数据的存储和读取。浮栅负责存储电荷，控制栅控制电荷的进出，而隧道氧化层则在电压的作用下，帮助电子实现 “穿越”，改变浮栅的电荷状态。

这部分内容和前文介绍的基本工作原理中的操作一致，写入是改变浮栅电荷状态，擦除是清空浮栅电荷，读取则是通过检测电流判断浮栅电荷情况来确定存储的数据。

闪存的应用范围极其广泛，几乎覆盖了所有需要数据存储的领域。

消费类产品：我们日常使用的 USB 闪存盘、SD 卡，手机里存储照片、视频、应用程序的内部存储，以及数码相机的存储卡，都离不开闪存，为我们的生活带来了极大的便利。
固态硬盘（SSD）：与传统硬盘相比，SSD 凭借闪存技术实现了更快的读写速度，大大提升了个人电脑、服务器和数据中心的性能，成为现代存储设备的主流选择。
嵌入式系统：在汽车电子、智能设备、路由器等嵌入式系统中，闪存用于存储固件和操作系统，保障设备稳定运行和功能实现。
工业应用：在工业控制系统里，闪存负责存储配置文件和日志数据，为工业生产的稳定运行和故障排查提供支持。