Silvaco Atlas从头开始（四）——定义材料参数和模型-CSDN博客

本文链接：https://blog.csdn.net/qsz1425AWD2121/article/details/146343784

定义材料参数和模型

文章目录

定义材料参数和模型

在定义网格、几何结构和掺杂分布后，可通过以下操作修改电极特性、调整默认材料参数，并选择器件仿真时使用的物理模型：

使用语句：分别通过 CONTACT（接触）、MATERIAL（材料）、MODELS（模型）语句实现对应功能。
其他功能：通过 IMPACT 语句启用碰撞电离模型，通过 INTERFACE 语句设置界面属性。
参数扩展：许多参数可通过 Silvaco C 解释器（SCI）定义，支持为部分模型定制方程。

1. 指定接触特性：

1.1 栅极或肖特基接触的功函数

默认与肖特基接触：默认情况下，与半导体材料接触的电极被视为欧姆接触；若定义功函数，则视为肖特基接触。
语句用法：
- CONTACT 语句用于指定一个或多个电极的金属功函数。
- NAME 参数：标识需修改属性的电极。
- WORKFUNCTION 参数：设置电极功函数。
- 示例：
  - CONTACT NAME=gate WORKFUNCTION=4.8：将名为 gate 的电极功函数设为 4.8eV。
  - 也可直接通过材料名称设置常用接触材料的功函数，如 ALUMINUM（铝）、N.POLYSILICON（N 型多晶硅）等。例如 CONTACT NAME=gate N.POLYSILICON，用于设置 N 型多晶硅栅极接触的功函数。
  - 注意：当铝（Aluminum）与重掺杂硅接触时，通常形成欧姆接触（ohmic contact）。此时，无需指定功函数（workfunction）。以MOS器件为例，错误写法是 CONTACT NAME=drain ALUMINUM，因为欧姆接触场景下不需要额外指定功函数等参数。
CONTACT 语句可用于定义肖特基接触的势垒降低（barrier lowering）和偶极子降低（dipole lowering）。
- 势垒降低：通过 BARRIER 参数启用。
- 偶极子降低：通过 ALPHA 参数设置偶极子降低系数。
- 示例：CONTACT NAME=anode WORKFUNCTION=4.9 BARRIER ALPHA=1.0e-7
- 该语句将名为 anode 的肖特基接触的功函数设为 4.9eV，启用势垒降低，并将偶极子降低系数设为 1 nm（1.0e-7cm）。
注意：当接触处定义肖特基势垒时，建议在半导体中接触下方设置精细的 y 方向网格（fine y mesh）。以确保准确模拟肖特基耗尽区（Schottky depletion region）的特性，提升仿真精度。

1.2 设置当前边界条件

功能：CONTACT 语句用于将电极的控制方式从电压控制改为电流控制。电流控制电极适用于模拟电流对电压高度敏感，或电流是电压多值函数的器件（如击穿后出现回跳现象的场景）。
示例：CONTACT NAME=drain CURRENT，该语句将漏极（drain）电极设置为电流控制模式。
求解要求：所有使用电流边界条件的模拟，均需采用 BLOCK 或 NEWTON 求解方法（具体可见后续关于“非线性迭代”的内容）。

1.3 定义外部电阻、电容或电感

集总元件定义：通过 CONTACT 语句中的 RESISTANCE（电阻）、CAPACITANCE（电容）、INDUCTANCE（电感）参数，可指定连接到电极的集总电阻、电容、电感。
- 示例：CONTACT NAME=drain RESISTANCE=50.0 CAPACITANCE=20e-12 INDUCTANCE=1e-6，表示为漏极电极指定一个 50 欧姆电阻、20 皮法电容与 1 微亨电感的并联结构。
- 2D模拟缩放：在 2D 模拟中，这些无源元件值会按第三维宽度缩放。例如，假设 Atlas 2D 模拟宽度为 1μm，电阻会变为 50 Ω·μm。
分布接触电阻定义：通过 CON.RESIST 参数可指定电极的分布接触电阻。
- 示例：CONTACT NAME=source CON.RESISTANCE=0.01，表示源极（source）接触的分布电阻为 0.01 Ω·cm²。
求解注意事项：包含外部电阻、电容或电感的模拟，必须使用 BLOCK 或 NEWTON 求解方法。

1.4 浮动接触（Floating Contacts）

浮动电极的定义场景

使用 FLOATING 参数的情况：
CONTACT 语句可定义浮动电极，适用于两种场景：
- 第一种是浮栅（如 EEPROM 等可编程器件）；
- 第二种是直接接触半导体材料的浮动结构（如功率器件中的浮动场板）。
  示例：CONTACT NAME=fgate FLOATING，表示名为 fgate 的电极设置为浮动，应用电荷边界条件。

直接接触半导体时的处理方式

不可用 FLOATING 参数：当接触直接作用于半导体时，不能使用 FLOATING 参数。此时需通过电流边界条件模拟浮动电极，例如：
CONTACT NAME=drain CURRENT，为名为 drain 的电极设置电流边界条件。后续执行 SOLVE 语句时，该电流边界条件默认归零，实现接触浮动。
大电阻模拟方法：也可通过给接触附加大电阻实现浮动，例如：
CONTACT NAME=drain RESIST=1e20。需注意：必须使用极大电阻值（如 1e20Ω）确保接触电流极小。举例：若容差为（1e-5V），电阻为（1e12Ω），则电流约为（1e-17A），适用于击穿仿真等场景。

1.5 电极短接

短接原理与场景

目的：通过短接使两个或多个电极上的电压相等，常用于双基极双极晶体管等器件技术。
实现方式：根据结构定义方式不同，有多种方法。若结构通过 Atlas 语法定义，可设置多个具有相同 ID（如 ELECTRODE 语句中的 ID）的电极，这些电极会被视为电压相等；若通过 Athena 的 ATHENA ELECTRODE 语句定义两个独立金属区域，也可通过特定语法短接。

CONTACT 语句用法

基础语法：
```
CONTACT NAME=base1 COMMON=base  
SOLVE VBASE=0.1  
```
此例中，base1 电极会与 base 电极短接，base 上施加的 0.1V 电压会同时作用于 base1。Atlas 会计算并存储两个电极的独立电流，必要时可通过 SHORT 语句合并电流。
参数规则：
- COMMON 参数指定的电极名称需与 ELECTRODE 语句中定义的名称完全匹配。
- NAME 参数指定的电极不应直接施加偏压，偏压需加在 COMMON 指定的电极上。

电压偏移与比例设置

可通过 FACTOR 参数设置关联电极的电压偏移。例如：
```
CONTACT name=base1 COMMON=base FACTOR=0.5  
```
表示 base1 的偏压 = base 偏压 + 0.5V。若同时使用 MULT 参数，FACTOR 会被解读为倍数关系（而非偏移）。

电流边界条件

对需施加附加电流的短接电极，需先通过 CONTACT 语句连接，再直接在 SOLVE 语句中指定电流值，以突破关联电极间的电流边界限制。

自动短接机制

从 Athena 或 DevEdit 加载结构时，若两个定义的电极区域名称相同，Atlas 会自动短接它们，移除原有器件结构中的电流边界条件。

1.6 开路接触

三种开路接触方法：
- 方法一：直接从结构文件中删除指定电极。
- 方法二：在需设为开路的接触点添加极大的集总电阻（如 1e20Ω）。
- 方法三：将需开路的接触点边界条件从电压控制改为电流控制，并设定极小电流或零电流。
方法适用性与建议：
尽管三种方法均可行，但若在结构中形成“浮区”，可能影响数值收敛。因此，通常推荐使用第二种方法（添加大电阻），因其能更好地确保模拟过程的收敛性。

2. 指定材质属性

2.1 半导体、绝缘体或导体

所有材料分为三类：半导体（semiconductors）、绝缘体（insulators）和导体（conductors）。每类材料需指定不同的参数集：

半导体需定义电子亲和势、带隙、态密度、饱和速度等参数。
许多材料在器件模拟中有默认参数（可查）。

2.2 设置参数

通过 MATERIAL 语句 自定义材料基本参数，参数可应用于指定材料或区域：

示例1：
MATERIAL MATERIAL=Silicon EG300=1.12 MUN=1100
为器件中所有硅区域设置带隙（EG300）和低场电子迁移率（MUN）。
按区域定义参数：
若通过 REGION 或 NAME 参数指定区域，可按区域设置参数。例如：
MATERIAL REGION=2 TAUN0=2e-7 TAUP0=1e-5
为2号区域设置电子和空穴的肖克利-里德-霍尔（SRH）复合寿命。
若通过 REGION 语句定义了名称（如 base），可使用：
MATERIAL NAME=base NC300=3e19
为名为 base 的区域设置300K下导带态密度（NC300）。

2.3 异质结材料

异质结材料属性修改
异质结的材料属性可通过 MATERIAL 语句调整。除常规材料参数外，还能定义与组分相关的参数，例如：随组分变化的带参数、介电常数和饱和速度等。
带隙差分配与 ALIGN 参数
在异质结材料系统中，材料间的带隙差会分配到导带和价带。ALIGN 参数用于指定导带分配的带隙差比例，进而决定电子和空穴的势垒高度（覆盖电子亲和势的设定）。
- 示例：
  MATERIAL MATERIAL=InGaAs ALIGN=0.36
  MATERIAL MATERIAL=InP ALIGN=0.36
  表示 InGaAs 与 InP 材料间带隙差的 36% 分配给导带，64% 分配给价带。若带隙差为 0.6 eV，则导带势垒高度为0.216 eV（0.6×0.36=0.216eV），价带势垒高度为0.384 eV（0.6×0.64=0.384eV）。
异质结器件模型设置
异质结器件中，不同材料的输运模型可能不同。用户可通过 MODELS 语句指定这些模型及其系数，具体说明参考下面的“指定物理模型”。

3.指定接口属性

INTERFACE 语句的功能
INTERFACE 语句用于定义半导体与绝缘体界面的界面电荷密度和表面复合速度。例如：
INTERFACE QF=3e10
表示设定半导体与绝缘体所有界面的固定电荷为3×10¹⁰cm^-2。
限定特定区域的界面属性
多数情况下，需将界面属性限制在特定区域，可通过 INTERFACE 语句中的 X.MIN、X.MAX、Y.MIN、Y.MAX 参数实现。这些参数定义一个矩形区域，界面属性仅应用于此区域。例如：
INTERFACE QF=3e10 X.MIN=1.0 X.MAX=2 Y.MIN=0.0 Y.MAX=0.5
该语句将界面电荷限定在指定矩形区域内的半导体-绝缘体边界。
其他可定义的界面属性
除固定电荷外，还可通过 INTERFACE 语句定义表面复合速度和热电子发射等属性。

4.指定物理模型

物理模型通过 MODELS 和 IMPACT 语句指定。这些模型的参数可分为五类：迁移率、复合、载流子统计、电离和隧穿。每个模型的“物理模型”部分包含对应参数的详细信息。
除碰撞电离模型通过 IMPACT 语句指定外，所有模型均通过 MODELS 语句指定。例如，语句：

MODELS CONBS FLMOS SRH FERMIED  
IMPACT SELF

指定了与载流子浓度相关的迁移率、平行场迁移率、具有固定载流子寿命的肖克利-里德-霍尔（SRH）复合、费米-狄拉克统计以及塞弗特电离模型。

不同技术选择正确的模型。例如，ROSE 和 BIP 参数集可启用复合、载流子统计和陷阱模型，而 PROGAM 和 ERASE 参数可启用编程和擦除可编程器件的模型。例如，语句：

MODELS MOS PRTNT

启用了电导调制、表面复合及费米-狄拉克统计模型，而语句：

MODELS BIPOLAR FLINT, CONBS, AUGER, and BGN MODELS

启用了双极、平行场迁移率、与载流子浓度相关的迁移率、俄歇复合和带-带隧穿模型。

如果还指定了 LAT.TEMP（晶格温度），且该温度与 300 开尔文的默认值不同，且大于 10 开尔文，则还会使用 ANALYTIC 热载流子输运模型。

注：PRTNT 参数用于列出模拟中使用的模型和参数，这有助于验证模型和材料参数。

物理模型可在一种材料中启用，也可在多种材料中启用。这对异质结器件模拟很有用，因为不同的半导体区域可能有不同的特性。例如：

MODEL MATERIAL=GAAS FLINT EVSATHR=1. ECRIT=6.5e3 CONBS  
MODEL MATERIAL=GAAS SRH FLMOS EVSATHR=0.1 ECRIT=1.5e4

同时对两种材料的迁移率和临界电场进行了设置。对于基于先进材料的器件，应仔细研究这些模型参数。

能量平衡输运模型
能量平衡漂移-扩散电荷输运模型可描述非平衡效应，如速度过冲和与能量相关的碰撞电离。该模型还可通过使用玻尔兹曼输运方程的高阶展开来描述这些效应。在此模型中，输运取决于局部载流子温度，而非局部电场。

若要启用电子或空穴的能量平衡输运模型，可在 MODELS 语句中使用 HCTE、HCTH 或 HCTE.HO 参数，分别对应电子、空穴或两者的能量输运模型。例如：

MODELS MOS HCTE

启用了电子的能量平衡输运模型，同时保留了空穴的常规输运模型。