Superlattices(超晶格) 和 Distributed Bragg Reflectors (DBRs,分布式布拉格反射器)
在之前的文章中就有讲过什么是超晶格结构,以及如何用DBR去表示超晶格结构,在此再做进一步论述。
本文主要介绍 Superlattices(超晶格) 和 Distributed Bragg Reflectors (DBRs,分布式布拉格反射器) 的概念与语法。DBR 是超晶格的一种,通过定义两层材料的重复结构(如厚度、材料成分、掺杂等)来构建“复合”结构。文中提到 DBR 语法与 REGION
语句类似,区别在于通过参数索引(如 1
和 2
)区分不同区域。示例中展示了 DBR TOP
和 DBR BOTTOM
的结构定义,包括层数(LAYERS
)、每层厚度(THICK1
/THICK2
)、重复次数(N1
/N2
)、材料(MAT1
/MAT2
)和成分参数(如 X2.COMP
)。
Silavco Atlas 中 DBR 的写法拓展
在 Silavco Atlas 中,DBR
用于定义多层重复结构,核心参数如下:
DBR TOP/BOTTOM
:定义顶部或底部的 DBR 结构。LAYERS
:总区域层数,决定1,2,1,2…
的重复次数。THICK1
/THICK2
:两层材料的厚度。N1
/N2
:每层重复次数(需结合LAYERS
理解逻辑)。MAT1
/MAT2
:两层材料名称(如GaAs
、AlGaAs
)。- 成分参数:如
X1.COMP
定义材料成分比例。
示例代码与解析
DBR TOP LAYERS=4 THICK1=0.1 THICK2=0.2 N1=2 N2=3 MAT1=GaAs MAT2=AlGaAs X2.COMP=0.4
DBR BOTTOM LAYERS=3 THICK1=0.05 THICK2=0.075 N1=3 N2=3 MAT1=AlGaAs MAT2=GaAs X1.COMP=0.4
DBR TOP
:LAYERS=4
:总层数为 4,按1,2,1,2
顺序构建。THICK1=0.1
、THICK2=0.2
:两层厚度分别为 0.1 和 0.2。N1=2
、N2=3
:结合LAYERS
,实际按规则生成区域。MAT1=GaAs
、MAT2=AlGaAs
:两层材料,X2.COMP=0.4
定义第二层材料成分。
DBR BOTTOM
:逻辑类似,调整厚度、材料和成分参数。
通过 DBR
语句,可高效定义多层周期性结构,无需重复写 REGION
语句,适合模拟半导体光学器件(如布拉格反射器)的结构。
中间层 DBR 结构的写法
在 Silavco Atlas 里,虽然 DBR
语句提供了 TOP
和 BOTTOM
选项,但要定义中间层的 DBR 结构,其实可利用多层结构的组合逻辑来实现。基本思路是把不同的 DBR 结构与其他区域(REGION
)组合起来,进而明确中间层 DBR 的位置。
下面是一个示例代码,展示了在整个器件层结构中定义中间层 DBR 的方法:
# 定义底层区域
REGION NUM=1 Y.MIN=0 Y.MAX=0.5 MAT=GaAs
# 定义中间层 DBR
DBR LAYERS=4 THICK1=0.1 THICK2=0.2 N1=2 N2=3 MAT1=GaAs MAT2=AlGaAs X2.COMP=0.4
# 定义顶层区域
REGION NUM=2 Y.MIN=1.3 Y.MAX=2 MAT=GaAs
在这个示例中:
- 首先借助
REGION
语句定义了底层区域,其范围是从Y = 0
到Y = 0.5
,材料为GaAs
。 - 接着使用
DBR
语句定义中间层的 DBR 结构。这里省略了TOP
或BOTTOM
,因为它处于中间位置。 - 最后再用
REGION
语句定义顶层区域,范围是从Y = 1.3
到Y = 2
,材料同样是GaAs
。
TOP
和 BOTTOM
的含义
DBR
语句里的 TOP
和 BOTTOM
指的是 DBR 结构自身的顶部和底部,并非器件整体层结构的顶部和底部。在器件整体层结构中,DBR 结构的位置是由它与其他 REGION
语句所定义区域的相对位置来体现的。
示例说明
# 底层区域
REGION NUM=1 Y.MIN=0 Y.MAX=0.5 MAT=GaAs
# 底部 DBR
DBR BOTTOM LAYERS=4 THICK1=0.1 THICK2=0.2 N1=2 N2=3 MAT1=GaAs MAT2=AlGaAs X2.COMP=0.4
# 顶部 DBR
DBR TOP LAYERS=4 THICK1=0.1 THICK2=0.2 N1=2 N2=3 MAT1=GaAs MAT2=AlGaAs X2.COMP=0.4
# 顶层区域
REGION NUM=2 Y.MIN=1.3 Y.MAX=2 MAT=GaAs
在这个示例中:
DBR BOTTOM
是相对于其自身结构而言处于底部,它位于底层REGION
之上。DBR TOP
是相对于其自身结构而言处于顶部,它位于DBR BOTTOM
之上,顶层REGION
之下。
综上所述,要在器件整体层结构中确定 DBR 结构的位置,关键在于依据 REGION
语句和 DBR
语句的顺序,以及各区域在坐标上的定义来实现。