Silvaco Atlas——用 DBRs写超晶格结构

Superlattices(超晶格) 和 Distributed Bragg Reflectors (DBRs,分布式布拉格反射器)

在之前的文章中就有讲过什么是超晶格结构,以及如何用DBR去表示超晶格结构,在此再做进一步论述。
本文主要介绍 Superlattices(超晶格)Distributed Bragg Reflectors (DBRs,分布式布拉格反射器) 的概念与语法。DBR 是超晶格的一种,通过定义两层材料的重复结构(如厚度、材料成分、掺杂等)来构建“复合”结构。文中提到 DBR 语法与 REGION 语句类似,区别在于通过参数索引(如 12)区分不同区域。示例中展示了 DBR TOPDBR BOTTOM 的结构定义,包括层数(LAYERS)、每层厚度(THICK1/THICK2)、重复次数(N1/N2)、材料(MAT1/MAT2)和成分参数(如 X2.COMP)。

Silavco Atlas 中 DBR 的写法拓展

在 Silavco Atlas 中,DBR 用于定义多层重复结构,核心参数如下:

  1. DBR TOP/BOTTOM:定义顶部或底部的 DBR 结构。
  2. LAYERS:总区域层数,决定 1,2,1,2… 的重复次数。
  3. THICK1/THICK2:两层材料的厚度。
  4. N1/N2:每层重复次数(需结合 LAYERS 理解逻辑)。
  5. MAT1/MAT2:两层材料名称(如 GaAsAlGaAs)。
  6. 成分参数:如 X1.COMP 定义材料成分比例。
示例代码与解析
DBR TOP LAYERS=4 THICK1=0.1 THICK2=0.2 N1=2 N2=3 MAT1=GaAs MAT2=AlGaAs X2.COMP=0.4  
DBR BOTTOM LAYERS=3 THICK1=0.05 THICK2=0.075 N1=3 N2=3 MAT1=AlGaAs MAT2=GaAs X1.COMP=0.4  
  • DBR TOP
    • LAYERS=4:总层数为 4,按 1,2,1,2 顺序构建。
    • THICK1=0.1THICK2=0.2:两层厚度分别为 0.1 和 0.2。
    • N1=2N2=3:结合 LAYERS,实际按规则生成区域。
    • MAT1=GaAsMAT2=AlGaAs:两层材料,X2.COMP=0.4 定义第二层材料成分。
  • DBR BOTTOM:逻辑类似,调整厚度、材料和成分参数。

通过 DBR 语句,可高效定义多层周期性结构,无需重复写 REGION 语句,适合模拟半导体光学器件(如布拉格反射器)的结构。

中间层 DBR 结构的写法

在 Silavco Atlas 里,虽然 DBR 语句提供了 TOPBOTTOM 选项,但要定义中间层的 DBR 结构,其实可利用多层结构的组合逻辑来实现。基本思路是把不同的 DBR 结构与其他区域(REGION)组合起来,进而明确中间层 DBR 的位置。

下面是一个示例代码,展示了在整个器件层结构中定义中间层 DBR 的方法:

# 定义底层区域
REGION NUM=1 Y.MIN=0 Y.MAX=0.5 MAT=GaAs
# 定义中间层 DBR
DBR LAYERS=4 THICK1=0.1 THICK2=0.2 N1=2 N2=3 MAT1=GaAs MAT2=AlGaAs X2.COMP=0.4
# 定义顶层区域
REGION NUM=2 Y.MIN=1.3 Y.MAX=2 MAT=GaAs

在这个示例中:

  1. 首先借助 REGION 语句定义了底层区域,其范围是从 Y = 0Y = 0.5,材料为 GaAs
  2. 接着使用 DBR 语句定义中间层的 DBR 结构。这里省略了 TOPBOTTOM,因为它处于中间位置。
  3. 最后再用 REGION 语句定义顶层区域,范围是从 Y = 1.3Y = 2,材料同样是 GaAs

TOPBOTTOM 的含义

DBR 语句里的 TOPBOTTOM 指的是 DBR 结构自身的顶部和底部,并非器件整体层结构的顶部和底部。在器件整体层结构中,DBR 结构的位置是由它与其他 REGION 语句所定义区域的相对位置来体现的。

示例说明
# 底层区域
REGION NUM=1 Y.MIN=0 Y.MAX=0.5 MAT=GaAs
# 底部 DBR
DBR BOTTOM LAYERS=4 THICK1=0.1 THICK2=0.2 N1=2 N2=3 MAT1=GaAs MAT2=AlGaAs X2.COMP=0.4
# 顶部 DBR
DBR TOP LAYERS=4 THICK1=0.1 THICK2=0.2 N1=2 N2=3 MAT1=GaAs MAT2=AlGaAs X2.COMP=0.4
# 顶层区域
REGION NUM=2 Y.MIN=1.3 Y.MAX=2 MAT=GaAs

在这个示例中:

  • DBR BOTTOM 是相对于其自身结构而言处于底部,它位于底层 REGION 之上。
  • DBR TOP 是相对于其自身结构而言处于顶部,它位于 DBR BOTTOM 之上,顶层 REGION 之下。

综上所述,要在器件整体层结构中确定 DBR 结构的位置,关键在于依据 REGION 语句和 DBR 语句的顺序,以及各区域在坐标上的定义来实现。

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