Silvaco Atlas（五）——物理模型总结

物理模型总结

1. 载流子统计模型

模型	语法	注释
玻尔兹曼	BOLTZMANN	默认模型
费米-狄拉克	FERMI	降低重掺杂区域的载流子浓度（采用统计方法）
不完全电离	INCOMPLETE	考虑掺杂剂冻结效应，通常用于低温场景
硅电离模型	IONIZ	考虑重掺杂硅的完全电离，需配合 INCOMPLETE 使用
带隙变窄	BGN	在重掺杂区域至关重要，对双极增益有关键作用，使用 Klaassen 模型

2. 迁移率模型

模型	语法	注释
浓度相关迁移率模型	CONMOB	仅适用于硅（Si）和砷化镓（GaAs）在 300K 的查找表，采用简单幂律温度相关性。
浓度与温度相关迁移率模型	ANALYTIC	基于 Caughey-Thomas 公式，针对 77–450K 调校。
Arora 模型	ARORA	硅材料中 ANALYTIC 模型的替代方案。
载流子-载流子散射模型	CCSMOB	基于 Dorkel-Leturq 模型，包含载流子浓度（n）、掺杂浓度（N）和温度（T）相关性，在载流子浓度高时（如正向偏压功率器件）尤为重要。
平行电场相关迁移率模型	FLDMOB	适用于硅和砷化镓模型，模拟任何速度饱和效应时需使用。
Tasch 模型	TASCH	包含横向电场相关性，仅适用于平面器件，需非常精细的网格。
Watt 模型	WATT	横向电场模型，仅适用于表面节点。
Klaassen 模型	KLA	包含掺杂浓度（N）、温度（T）和载流子浓度（n）相关性，对多数载流子和少数载流子应用独立迁移率，推荐用于双极器件。
Shirahata 模型	SHI	包含掺杂浓度（N）、垂直电场（(E_\perp)）相关性，是 KLA 模型的替代表面迁移率模型，可与之结合使用。
修正 Watt 模型	MOD.WATT	将 WATT 模型扩展至非表面节点，应用恒定垂直电场（(E_\perp)）效应，最适合平面 MOS 器件。
Lombardi（CVT）模型	CVT	完整模型，包含掺杂浓度（N）、温度（T）、平行电场（(E_{//})）和垂直电场（(E_\perp)）效应，适用于非平面器件。
Yamaguchi 模型	YAMAGUCHI	包含掺杂浓度（N）、平行电场（(E_{//})）和垂直电场（(E_\perp)）效应，仅针对 300K 校准。

3. 复合模型

模型	语法	注释
肖克利-里德-霍尔复合	SRH	使用固定少数载流子寿命，多数模拟中建议使用。
浓度相关复合	CONS RH	使用与浓度相关的寿命，推荐用于硅材料。
俄歇复合	AUGER	三个载流子的直接跃迁，在高载流子浓度场景中至关重要。
光学复合	OPTR	带-带复合，仅适用于直接带隙材料。
表面复合	S.N / S.P	半导体与绝缘体界面的复合，通过 INTERFACE 语句设置。

4. 碰撞电离模型

模型	语法	注释
Selberherr 模型	IMPACT SELB	多数情况推荐，包含温度相关参数。
Grant 模型	IMPACT GRANT	与 Selberherr 模型类似，但系数不同。
Crowell-Sze 模型	IMPACT CROWELL	基于载流子散射长度的相关性。
Toyabe 模型	IMPACT TOYABE	与能量平衡模型结合使用的非局部模型，支持任意 IMPACT 语法。
Concannon 模型	N.CONCAN / P.CONCAN	为闪存 EEPROM 技术开发的非局部模型。

5. 隧穿模型和载流子注入模型

模型	语法	注释
带-带隧穿（标准）	BBT.STD	用于直接跃迁，强电场环境下需启用。
Concannon 栅极电流模型	N.CONCAN / P.CONCAN	与 Concannon 衬底电流模型一致的非局部栅极模型。
直接量子隧穿（电子）	QTUNN.EL	因绝缘体存在，电子通过导带势垒的量子隧穿。
直接量子隧穿（空穴）	QTUNN.HO	因绝缘体存在，空穴通过价带势垒的量子隧穿。
福勒-诺德海姆（电子）	FNORD	自洽计算通过绝缘体的电子隧穿，用于电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。
福勒-诺德海姆（空穴）	FNHOL ES	与 FNORD 类似，适用于空穴。
Klaassen 带-带隧穿	BBT.KL	包含直接和间接跃迁。
热电子注入	HEI	模拟高能载流子隧穿绝缘体，用于栅极电流和闪存 EEPROM 编程。
热空穴注入	HHI	HHI 即热空穴注入。

注：表2-2至2-6的注释中，(n) 为电子浓度，(p) 为空穴浓度，(T) 为晶格温度，(N) 为掺杂浓度，(E||) 为平行电场，(E⊥) 为垂直电场。

6. 模型兼容性表

	CONMOB [CM]	FLDMOB [FM]	TFLDM B2 [TF]	YAMAGUCHI [YA]	CVT [CV]	ARORA [AR]	ANALYTIC [AN]	CCSMOB [CC]	SURFMOB [SF]	LATTICE	E BALANCE
CONMOB [CM]	—	OK	OK	YA	CV	AR	AN	CC	OK	OK	OK
FLDMOB [FM]	OK	—	TF¹	YA	CV	OK	OK	OK	OK	OK	OK
TFLDM B2 [TF]	OK	TF¹	—	YA	CV	OK	OK	TF	TF	OK	OK
YAMAGUCHI [YA]	YA	YA	YA	—	CV	YA	YA	YA	YA	NO	NO
CVT [CV]	CV	CV	CV	CV	—	CV	CV	CV	OK	OK	OK
ARORA [AR]	AR	OK	OK	YA	CV	—	AR	CC	OK	OK	OK
ANALYTIC [AN]	AN	OK	OK	YA	CV	AR	—	CC	OK	OK	OK
CCSMOB [CC]	CC	OK	TF	YA	CV	CC	CC	—	OK	OK	OK
SURFMOB [SF]	OK	OK	TF	YA	CV	OK	OK	OK	—	OK	OK
LATTICE H [LH]	OK	OK	OK	NO	OK	OK	OK	OK	OK	—	OK
E.BALANCE [EB]	OK	OK	OK	NO	OK	OK	OK	OK	OK	OK	²

（表中符号说明：“—”表示不适用，“OK”表示兼容，具体细节需结合原文技术背景，此处保留原表符号逻辑。）

表格条目说明

• MODEL ABBREVIATION：指定组合时，该缩写代表优先使用的模型。某些情况下，忽略某模型时会发出警告信息。
• OK：允许此组合。
• NO：不允许此组合。

备注：

1. 使用与 FLDMOB 类似的内部模型。
2. 当含平行电场相关性的模型与能量平衡模型联用时，电场项将替换为载流子温度的函数。

使用 C 解释器指定模型

Atlas 产品包含一款 C 语言解释器，支持指定 Atlas 使用的多种模型。使用这些功能时，需在名为 atlas.lib 的特殊文件中以 C 语言方程实现模型。在 UNIX 命令提示符下输入以下命令，可获取默认 Atlas 模板文件：

atlas -t <filename>  

这会创建一个默认模板文件，名称由 <filename> 参数指定。默认 C 解释器函数列表见附录 A“C 解释器函数”。若要使用解释器功能，需在参数语句中通过参数值指定包含模型的 C 语言文件名。例如：

MATERIAL NAME=Silicon F.MUNSAT=munsat.lib  

此语句指定 munsat.lib 文件包含用于定义平行场相关电子迁移率模型的 C 解释器函数。