Silvaco Atlas从头开始（二）——定义结构

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分类专栏： silvaco TCAD 文章标签：笔记

于 2025-03-13 17:57:38 首次发布

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一、三种方法

从一个文件中读取一个现有的结构。（该结构是由早期的Atlas运行或其他程序，如Athena或DevEdit创建的从文件中读取已经存在的结构）；
使用来自DeckBuild的Automatic Interface特性来传输来自Athena或DevEdit的输入结构。
通过使用Atlas命令语言来创建一个结构。

二、关于第二种方式的详述——从Athena到Atlas

当Athena和Atlas在DeckBuild下运行时，利用这两个程序之间的自动接口。
在Athena中沉积和图案电极材料。
使用Athena中的电极声明来定义接触位置。
将X和Y坐标指定为十字轴，以定位一个区域。然后把整个区域变成电极。在许多情况下，只需要X坐标。例如：

ELECTRODE NAME=gate X=1.3 [Y=-0.1])

有一种特殊情况来指定结构底部的触点。例如：

ELECTRODE NAME=substrate BACKSIDE

保存一个结构文件，例如：

STRUCTURE OUTF=nmos.str

使用写在同一输入甲板中的go atlas命令启动Atlas。这将自动加载最近的结构从Athena到Atlas。
将在步骤4中保存的结构加载到Atlas中，使用MESH命令。例如：

MESH INF=nmos.str

三、关于第二种方式——从DevEdit到Atlas

由DevEdit创建的2D或3D结构可以使用以下语句读入Atlas。

MESH INF=<structure filename>

四、方法三详述——Atlas命令语言

通过Atlas命令语言定义设备，必须首先定义网格。这个网格或网格覆盖了物理模拟领域。
（1）网格由一系列的水平线和垂直线以及它们之间的间距来定义。
（2）网格内的区域被分配到不同的材料来构建设备。
（3）定义区域后，指定电极的位置。
（4）最后一步是指定每个区域的掺杂量。
2. 定义初始网格
（1）第一个语句：

MESH SPACE.MULT=<VALUE>

这里的SPACE.MULT参数值被用作由X.MESH和Y.MESH的缩放因子，默认值为1。大于1的值将创建一个全局粗网格以进行快速模拟。小于1的值将创建一个全局更精细的网格，以提高精度。
（2）接下来是一系列的X.MESH和Y.MESH语句:

X.MESH LOCATION=<VALUE> SPACING=<VALUE>
Y.MESH LOCATION=<VALUE> SPACING=<VALUE>

X.MESH和Y.MESH语句分别用于指定垂直线和水平线的以微米为单位的位置，以及与该线相关联的垂直间距或水平间距。必须为每个方向至少指定两条网格线。Atlas会自动插入任何新的行，以允许在任何相邻行之间的间距值中逐渐过渡。X.MESH和Y.MESH语句必须按递增的x和y的顺序列出。x和y的负值和正值都被允许使用。
（3）定义初始网格后，可以删除指定区域中的网格线。这通常是在设备的区域，预计粗网格是足够的，如基板。网格线的去除是通过使用消除语句来完成的。消除语句将从指定的矩形内删除指定方向上的每一条网格线。例如：

ELIMINATE COLUMNS X.MIN=0 X.MAX=4 Y.MIN=0.0 Y.MAX=3

删除以x=0、x=4、y=0和y=3微米包围的矩形内的垂直网格线。

3. 指定区域和材料
（1）一旦指定了网格，就必须为网格的每个部分指定一个材质类型。这是通过区域语句来完成的。例如：

REGION number=<integer> <material_type> <position parameters>

（2）区域编号必须从1开始，并为后续的每个区域语句增加。你可以在Atlas中有多达15000个不同的区域。如果定义了与成分相关的材料类型，则也可以在区域语句中指定x和y成分分数。
（3）位置参数使用X. MIN、X. MAX、Y. MIN和Y. MAX参数以微米为单位指定。如果一个新语句的位置参数与前一个区域语句的位置参数重叠，则该重叠的区域将被指定为该新区域的材质类型。确保将材质已分配给结构中的所有网格点。如果没有完成，将出现错误消息，Atlas将无法成功运行

4. 柱面坐标（一般不考虑）*
（1）在模拟离散功率装置时，常采用圆柱形坐标法。
（2）在这种模式下，Atlas使用x=0作为对称轴，圆柱形几何图形围绕该对称轴运行。
（3）当使用圆柱坐标时，许多默认单位会改变。计算出的电流是安培，而不是通常的每微米安培。外部元件以绝对单位指定（例如，法拉，电容器不是法拉/微米）。
（4）必须使用MESH语句来指定圆柱形对称性。下面的语句将创建一个包含圆柱形对称的网格。

MESH NX=20 NY=20 CYLINDRICAL

沿X轴有20个网格节点，沿Y轴有20个网格节点。下面的语句导入一个包含圆柱形对称的网格。

MESH INF=mesh0.str CYLINDRICAL

注意：CYLINDRICAL参数设置不存储在网格文件中。因此，每次加载包含圆柱对称的网格文件时，都必须指定此参数。

5. 指定电极
（1）指定区域和材料后，定义至少一个接触半导体材料的电极。通过电极声明来完成的。例如：

ELECTRODE NAME=<electrode name> <position_parameters>

（2）最多可以指定200个电极。位置参数使用X. MIN、X. MAX、Y. MIN和Y. MAX参数以微米为单位指定，多个电极语句可以具有相同的电极名称。与相同电极名称相关联的节点被视为电连接（即如果多个节点共享相同的电极名称，它们被视为在电气上是连通的）。
（3）在定义电极的位置时，可以使用一些快捷键。如果没有指定Y坐标参数，则假定电极位于结构的顶部。您还可以使用右、左、上和底部参数来定义位置。例如：

ELECTRODE NAME=SOURCE LEFT LENGTH=0.5

指定源电极从结构的左上角开始，并向右延伸到距离长度。

6. 指定掺杂
使用DOPING声明来指定掺杂。例如：

DOPING <distribution_type> <dopant_type> <position_parameters>

7. 分析掺杂特性
（1）解析掺杂分布可以具有均匀的、高斯的或互补的误差函数形式。定义分析分布的参数在DOPING声明中指定。下面显示了两个例子，它们的组合效果如图所示。

DOPING UNIFORM CONCENTRATION=1E16 N.TYPE REGION=1
DOPING GAUSSIAN CONCENTRATION=1E18 CHARACTERISTIC=0.05 P.TYPE  X.LEFT=0.0 X.RIGHT=1.0 PEAK=0.1

在这里插入图片描述

① 第一个掺杂声明指定了在之前被标记为区域1的区域中，均匀的n型掺杂密度为10¹⁶ cm^-3。位置参数X. MIN、X. MAX、Y. MIN和Y. MAX可以用来代替区域号。
② 第二个掺杂声明指定了一个p型高斯分布，峰值浓度为10¹⁸ cm^-3。该声明规定了峰值掺杂沿x = 0到x = 1微米的线。垂直于峰值线，掺杂按高斯分布下降。
（2）另一个可用的分析掺杂谱是互补误差函数。