闻名遐迩的ASEMI场效应管15N120是什么工作原理

15N120是一款低功耗的TO-220封装MOS管,适用于高压应用。其工作原理基于输入电压控制源漏极间的电流,当栅极加正电压时,N沟道内的电子被吸引,形成导电通道。关键参数包括15A的连续正向电流,1200V的集电极-发射极电压,以及210ns的反向恢复时间。高输入阻抗和电压控制特性使其在电路设计中广泛应用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

编辑-Z

ASEMI场效应管15N120是什么工作原理?15N120是比较常用的MOS管,它的工作原理跟其他MOS管的原理是一样的。

15N120参数描述

型号:15N120

封装:TO-220

特性:低功耗场效应管

电性参数:15A 1200V

二极管连续正向电流(IF):15A

二极管浪涌正向电流(IFM):45A

集电极-发射极电压(VCES):1200V

栅极-发射极电压(VGES):±20V

二极管正向电压降(VFM):1.7V

G-E漏电流(IGES):100nA

反向恢复时间(trr):210NS

工作温度:-55~+150℃

引线数量:3

 

MOS管可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也称为P沟道型。从图中可以看出,N沟道场效应管的源极和漏极与N型半导体相连,P沟道场效应管的源极和漏极与P型半导体相连。我们知道一般的三极管是通过输入电流来控制输出电流的。但对于场效应管15N120,其输出电流受输入电压(或电场)控制,可以认为输入电流很小或者没有输入电流,这使得15N120具有很高的输入阻抗,这就是我们称之为场效应管的原因。

 

对于MOS管15N120,当栅极上没有电压时,源漏极之间不会有电流流过,15N120处于截止状态(如图a),当N沟道MOS管在栅极加正电压时,由于电场的作用,来自N型半导体源极和漏极的负电子被吸引到栅极,然而由于氧化膜的阻挡,电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中(见图b),形成电流以使源极和漏极之间导通。我们也可以想象成两个N型半导体之间有一条沟,栅极电压的建立就相当于在它们之间架起了一座桥梁,电桥的大小由栅极电压的大小决定。

 

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