MUR860D-ASEMI快恢复二极管的作用

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什么是MUR860D快恢复二极管

快恢复二极管(简称FRD)是一种开关特性好、反向恢复时间短的半导体二极管。MUR860D主要用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,用作高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管。快恢复二极管MUR860D的内部结构不同于普通的PN结二极管,属于PIN结型二极管,即在P型硅材料和N型硅材料之间加入基区I,形成PIN硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷小,快恢复二极管MUR860D的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压)较高。

MUR860D参数描述

型号:MUR860D

封装:TO-252

特性:贴片快恢复二极管

电性参数:8A 600V

正向电流(Io):8A

正向电压(VF):1.5V

浪涌电流Ifsm:100A

漏电流(Ir):10uA

工作温度:-65~+175℃

反向恢复时间(Trr):50ns

引线数量:3

 

快恢复二极管MUR860D的作用

因为随着器件工作开关频率的增加,如果高频逆变器件的开关器件没有快恢复MUR860D作续流、吸收、钳位、隔离、输出和输入整流器,那么IGBT和功率MOSFET就无法发挥其独特的功能,它是由MUR860D的关断特性参数(反向恢复时间t、反向恢复电荷Q、反向峰值电流I)的作用引起的。最优参数的快恢复二极管MUR860D与高频开关器件协同工作,最大限度地减少高频逆变电路中开关器件引起的过压尖峰、高频干扰电压和EMI,使开关器件的作用得到充分发挥。

快恢复二极管MUR860D在直流电路中的作用

快恢复二极管MUR860D具有反向阻断时耐压高、漏电流小、正向导通电阻低、电流大的特点。因为是作为开关使用的,一般要求切换速度快。另外,正确选择续流二极管的特性,尤其是反向恢复特性,如反向恢复时间和反向恢复的柔软度,可以明显降低开关装置、二极管和其他电路部件的功耗,并减少续流二极管引起的电压尖峰和电磁干扰可以最小化甚至消除吸收电路。

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首先,我们需要知道什么是Mur一阶吸收边界条件。Mur一阶吸收边界条件是一种常用于时域有限差分方法中的边界条件,用于模拟电磁波在无限大空间中传播时的边界情况。 假设我们的仿真区域是一个正方形,其中一个边界面(假设为x方向)的位置为x=0,我们需要将这个边界面视为吸收边界,即电磁波在这个边界面上的反射应该被尽可能吸收。 Mur一阶吸收边界条件可以通过以下步骤推导得到: 1. 首先,我们需要将边界面上的电磁场分解为两个方向,垂直于边界面的电磁场(假设为Ey)和平行于边界面的电磁场(假设为Ez)。 2. 然后,我们需要在边界面上引入一个虚拟面(假设为x=-dx/2),在这个虚拟面上,我们需要将垂直于边界面的电磁场(Ey)反射回来。 3. 接下来,我们需要在虚拟面上引入一个反射系数(假设为R1),用来控制反射电磁波的振幅大小。 4. 然后,我们需要在虚拟面与边界面之间再引入一个虚拟面(假设为x=-dx),在这个虚拟面上,我们需要将平行于边界面的电磁场(Ez)反射回来。 5. 同样地,我们需要在这个虚拟面上引入一个反射系数(假设为R2),用来控制反射电磁波的振幅大小。 6. 最后,我们需要对边界面上的电磁场进行修正,使得边界面上的电磁波在经过反射之后,相当于在虚拟面上产生了吸收。 通过这样的推导过程,我们可以得到Mur一阶吸收边界条件的具体表达式。

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