MUR860D-ASEMI快恢复二极管MUR860D参数

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MUR860D在TO-252封装里有3条引线,是一款贴片快恢复二极管。MUR860D的浪涌电流Ifsm为100A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MUR860D的反向恢复时间(Trr)为50ns,MUR860D的电性参数是:正向电流(Io)为8A,反向耐压为600V,正向电压(VF)为1.5V。

MUR860D参数描述

型号:MUR860D

封装:TO-252

特性:贴片快恢复二极管

电性参数:8A 600V

正向电流(Io):8A

正向电压(VF):1.5V

浪涌电流Ifsm:100A

漏电流(Ir):10uA

工作温度:-65~+175℃

反向恢复时间(Trr):50ns

引线数量:3

 

MUR860D贴片封装系列。它的本体长度为5.7mm,加引脚长度为10.0mm,宽度为6.7mm,高度为2.5mm,脚间距为2.3mm。MUR860D有扩散结、玻璃钝化结、低正向压降、高电流能力等特性,容易用酒精、异丙醇和类似溶剂清洗。

以上就是关于MUR860D-ASEMI快恢复二极管MUR860D参数的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。

ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

 

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首先,我们需要知道什么是Mur一阶吸收边界条件。Mur一阶吸收边界条件是一种常用于时域有限差分方法中的边界条件,用于模拟电磁波在无限大空间中传播时的边界情况。 假设我们的仿真区域是一个正方形,其中一个边界面(假设为x方向)的位置为x=0,我们需要将这个边界面视为吸收边界,即电磁波在这个边界面上的反射应该被尽可能吸收。 Mur一阶吸收边界条件可以通过以下步骤推导得到: 1. 首先,我们需要将边界面上的电磁场分解为两个方向,垂直于边界面的电磁场(假设为Ey)和平行于边界面的电磁场(假设为Ez)。 2. 然后,我们需要在边界面上引入一个虚拟面(假设为x=-dx/2),在这个虚拟面上,我们需要将垂直于边界面的电磁场(Ey)反射回来。 3. 接下来,我们需要在虚拟面上引入一个反射系数(假设为R1),用来控制反射电磁波的振幅大小。 4. 然后,我们需要在虚拟面与边界面之间再引入一个虚拟面(假设为x=-dx),在这个虚拟面上,我们需要将平行于边界面的电磁场(Ez)反射回来。 5. 同样地,我们需要在这个虚拟面上引入一个反射系数(假设为R2),用来控制反射电磁波的振幅大小。 6. 最后,我们需要对边界面上的电磁场进行修正,使得边界面上的电磁波在经过反射之后,相当于在虚拟面上产生了吸收。 通过这样的推导过程,我们可以得到Mur一阶吸收边界条件的具体表达式。

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