MUR3060AC-ASEMI快恢复二极管MUR3060AC

最新推荐文章于 2024-10-28 14:59:58 发布
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分类专栏： 半导体 二极管 开关电源 文章标签： 单片机 嵌入式硬件 物联网
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编辑：ll

MUR3060AC-ASEMI快恢复二极管MUR3060AC

型号：MUR3060AC

品牌：ASEMI

封装：TO-220AC

最大平均正向电流（IF）：30A

最大循环峰值反向电压（VRRM）：600V

最大正向电压（VF）：1.50V

工作温度：-55°C~150°C

反向恢复时间：35ns

芯片个数：1

芯片尺寸：72mil

正向浪涌电流（IFMS）：200A

MUR3060AC特性：

恢复时间短

性能稳定

正向压降低

参数一致

MUR3060AC应用领域：

电源开关

变频器

驱动器等电路

作高频、低压、大电整流二极管

续流二极管

保护二极管使用

SUNNYSPY001
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MUR3060WTG的技术参数
12-11
产品型号:MUR3060WTG峰值反向电压VRRM(V):600最大平均正向电流IO(A):30最大全周期正向压降VF(V):1.700最大非重复浪涌电流IFSM(A):150最大反向电流IR(mA):1封装/温度(℃):TO-247/-65~175价格/1片(套):￥18.00 
基础电子中的选用与使用快恢复二极管的介绍
11-23
常见的快恢复二极管型号包括C2O-04、C92-02、MUR1680A、MUR3040m，以及FR型和PFR型等。这些型号代表不同的制造商和规格，每种都有特定的参数，如最大反向电压、额定电流、反向恢复时间等，这些参数可以在产品数据表...
MUR1060AC-ASEMI快恢复二极管MUR1060AC
qyx3868的博客
04-18 1557
编辑-Z MUR1060AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款超快恢复时间二极管。MUR1060AC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR1060AC采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MUR1060AC的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V，反向恢复时间(Trr)为35NS，其中有2条引线。 MUR1060AC参数描述 型号：MUR1060AC
MUR6060PT-ASEMI快恢复二极管MUR6060PT
qyx3868的博客
03-29 3377
编辑-Z MUR6060PT在TO-247AD封装里采用的2个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款超快恢复二极管。MUR6060PT的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR6060PT采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR6060PT的电性参数是：正向电流(Io)为60A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V，恢复时间(Trr)为35nS，其中有3条引线。 MUR6060PT参数描述 型号：MUR6060PT 封
MUR2060AC-ASEMI超快恢复二极管MUR2060AC
qyx3868的博客
11-30 433
编辑-Z MUR2060AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款超快恢复时间二极管。MUR2060AC的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR2060AC采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MUR2060AC的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V，恢复时间(Trr)为35nS，其中有2条引线。 MUR2060AC参数描述 型号：MUR2060AC
MUR3040CT-ASEMI快恢复二极管MUR3040CT
qyx3868的博客
09-12 267
MUR3040CT-ASEMI快恢复二极管MUR3040CT
MUR2060CT-ASEMI快恢复二极管MUR2060CT
qyx3868的博客
09-11 194
MUR2060CT-ASEMI快恢复二极管MUR2060CT
MUR1660AC-ASEMI超快恢复二极管MUR1660AC
qyx3868的博客
11-17 531
编辑-Z MUR1660AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款超快恢复二极管。MUR1660AC的浪涌电流Ifsm为175A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR1660AC采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MUR1660AC的电性参数是：正向电流(Io)为16A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V，恢复时间(Trr)为35nS，其中有2条引线。 MUR1660AC参数描述 型号：MUR1660AC 封
MUR2060CTR-ASEMI快恢复二极管对管MUR2060CTR
qyx3868的博客
09-11 370
MUR2060CTR-ASEMI快恢复二极管对管MUR2060CTR
MUR3040CTR-ASEMI快恢复二极管对管MUR3040CTR
qyx3868的博客
09-12 326
MUR3040CTR-ASEMI快恢复二极管对管MUR3040CTR
MUR860D-ASEMI快恢复二极管的作用
qyx3868的博客
12-07 1396
编辑-Z 什么是MUR860D快恢复二极管 快恢复二极管（简称FRD）是一种开关特性好、反向恢复时间短的半导体二极管。MUR860D主要用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，用作高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管。快恢复二极管MUR860D的内部结构不同于普通的PN结二极管，属于PIN结型二极管，即在P型硅材料和N型硅材料之间加入基区I，形成PIN硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷小，快恢复二极管MUR860D的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压）较高。 MUR86
Python库 | py_gen_mur-1.0.1-py3-none-any.whl
04-25
资源分类：Python库 所属语言：Python 使用前提：需要解压 资源全名：py_gen_mur-1.0.1-py3-none-any.whl 资源来源：官方 安装方法：https://lanzao.blog.csdn.net/article/details/101784059
元器件应用中的什么是快恢复二极管
12-07
快恢复二极管（Fast Recovery Diode，FRD）是一种特殊类型的半导体二极管，它的设计目的是为了在高速开关操作中提供高效的性能。与传统的PN结二极管相比，FRD具有更快的反向恢复时间，这使得它们特别适合于需要快速...
51单片机 复位电路
pengcheng2013的博客
10-22 505
如果电压一直没有拉为0v, 使用杜邦线，连接，另一头接地，电路就能复位了。上电复位是为了程序执行到后面，突然关机，能够让电路能够回到初始状况。电容上电有一个过程，充满电所需世界大于两个机器周期。电容电充满之后，电压拉为0v, 整个电路就复位了。按下手动复位按钮，大于两个机器周期就复位了。
【STM32】单片机ADC原理详解及应用编程
m0_73931287的博客
10-24 2469
【STM32】单片机ADC原理详解及应用编程
用图说明 CPU、MCU、MPU、SoC 的区别
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椎名的博客
10-28 321
用框图说明 CPU、MCU、MPU、SoC 的区别。
什么是 GPIO
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10-26 1160
GPIO，全称 General-Purpose Input/Output，意为通用输入输出，是微控制器上的基本模块。GPIO 允许微控制器通过引脚与外部设备进行数字信号的输入和输出操作。数字输入：接收外部信号，用于检测按键、传感器等状态。数字输出：输出高、低电平信号，用于控制外设，如 LED、蜂鸣器等。GPIO 是 STM32 微控制器中不可或缺的模块，通过 GPIO 引脚，微控制器可以与外部设备进行广泛的数据交互。
单片机串口和电脑串口连接
weixin_42550185的博客
10-28 267
单片机串口和电脑串口连接
基于单片机的库房环境监测控制系统设计
lantiandianzi的博客
10-28 349
库房环境监测控制系统的核心主控芯片为STC89C52，该系统硬件由温湿度模块、烟雾检测模块、人体检测模块、按键模块、电源模块、显示模块和报警模块组成。当温湿度高于或低于设定值时，启动执行机构进行升温降温、除湿加湿，除此之外，还具有夜间防盗报警功能。
基于Matlab的圆柱FDTD仿真分析与MUR吸收边界研究
FDTD非常适合于计算复杂几何结构中的电磁波传播问题，并且由于其显式时间推进的特性，计算速度较快，易于编程实现。 2. TM极化波: TM波指的是电磁波的磁场分量垂直于传播方向，而电场分量同时存在于传播方向的垂直...
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