MUR1040D-ASEMI快恢复二极管MUR1040D

最新推荐文章于 2024-08-09 01:01:06 发布

SUNNYSPY001

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分类专栏：半导体开关电源二极管文章标签：单片机嵌入式硬件智能手机

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本文详细介绍了ASEMI品牌的MUR1040D快恢复二极管，包括其主要参数如IF、VRRM、VF等，强调了其短恢复时间、稳定性能和低正向压降的特点，以及在电源开关、变频器、驱动器等电路中的广泛应用。

摘要由CSDN通过智能技术生成

编辑：ll

MUR1040D-ASEMI快恢复二极管MUR1040D

型号：MUR1040D

品牌：ASEMI

封装：TO-252

最大平均正向电流（IF）：10A

最大循环峰值反向电压（VRRM）：400V

最大正向电压（VF）：1.30V

工作温度：-55°C~150°C

反向恢复时间：35ns

芯片个数：1

芯片尺寸：72mil

正向浪涌电流（IFMS）：170A

MUR1040D特性：

恢复时间短

性能稳定

正向压降低

参数一致

MBR4060DC应用领域：

电源开关

变频器

驱动器等电路

作高频、低压、大电整流二极管

续流二极管

保护二极管使用

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MUR1040D-ASEMI快恢复二极管MUR1040D

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专栏目录

MUR860D-ASEMI快恢复二极管MUR860D参数

qyx3868的博客

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902

编辑-Z MUR860D在TO-252封装里有3条引线，是一款贴片快恢复二极管。MUR860D的浪涌电流Ifsm为100A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MUR860D的反向恢复时间(Trr)为50ns，MUR860D的电性参数是：正向电流(Io)为8A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V。 MUR860D参数描述型号：MUR860D 封装：TO-252 特性：贴片快恢复二极管 电性参数：8A 600V 正向电流(Io)：8A 正向电压

元器件应用中的什么是快恢复二极管

12-07

快恢复二极管（Fast Recovery Diode，FRD）是一种特殊类型的半导体二极管，它的设计目的是为了在高速开关操作中提供高效的性能。与传统的PN结二极管相比，FRD具有更快的反向恢复时间，这使得它们特别适合于需要快速...

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MUR860D-ASEMI快恢复二极管的作用

qyx3868的博客

12-07

1303

编辑-Z 什么是MUR860D快恢复二极管 快恢复二极管（简称FRD）是一种开关特性好、反向恢复时间短的半导体二极管。MUR860D主要用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，用作高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管。快恢复二极管MUR860D的内部结构不同于普通的PN结二极管，属于PIN结型二极管，即在P型硅材料和N型硅材料之间加入基区I，形成PIN硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷小，快恢复二极管MUR860D的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压）较高。 MUR86

MUR6060PT-ASEMI快恢复二极管MUR6060PT

qyx3868的博客

03-29

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编辑-Z MUR6060PT在TO-247AD封装里采用的2个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款超快恢复二极管。MUR6060PT的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR6060PT采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR6060PT的电性参数是：正向电流(Io)为60A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V，恢复时间(Trr)为35nS，其中有3条引线。 MUR6060PT参数描述型号：MUR6060PT 封

MUR560D-ASEMI快恢复二极管MUR560D

qyx3868的博客

12-06

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编辑-Z MUR560D在TO-252封装里有3条引线，是一款贴片快恢复二极管。MUR560D的浪涌电流Ifsm为60A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR560D的反向恢复时间(Trr)为50ns，MUR560D的电性参数是：正向电流(Io)为5A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V。 MUR560D参数描述型号：MUR560D 封装：TO-252 特性：贴片快恢复二极管 电性参数：5A 600V 正向电流(Io)：5A 正向电压(

MUR3060AC-ASEMI快恢复二极管MUR3060AC

04-11

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MUR3060AC-ASEMI快恢复二极管MUR3060AC

MUR1060AC-ASEMI快恢复二极管MUR1060AC

qyx3868的博客

04-18

1480

编辑-Z MUR1060AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款超快恢复时间二极管。MUR1060AC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR1060AC采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MUR1060AC的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V，反向恢复时间(Trr)为35NS，其中有2条引线。 MUR1060AC参数描述型号：MUR1060AC

MUR1060D-ASEMI快恢复二极管MUR1060D

04-09

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MUR1060D-ASEMI快恢复二极管MUR1060D

MUR840-ASEMI快恢复二极管MUR840

04-11

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MUR840-ASEMI快恢复二极管MUR840

为什么说超快恢复二极管MURF1040CT-ASEMI比普通二极管好

qyx3868的博客

09-03

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编辑-Z 在开关电源二次侧的输出整流电路中，一般采用反向恢复时间短的MURF1040CT整流二极管。常用的有快恢复二极管、超快恢复二极管和肖特基势垒二极管。那为什么说超快恢复二极管MURF1040CT-ASEMI比普通二极管好？ MURF1040CT参数描述型号：MURF1040CT 封装：ITO-220AB 特性：超快恢复二极管 电性参数：10A 400V 芯片材质：抗冲击硅芯片正向电流(Io)：10A 芯片个数：2 正向电压(VF)：1.3V 芯片尺寸：86MIL 浪涌电

基础电子中的选用与使用快恢复二极管的介绍

11-23

常见的快恢复二极管型号包括C2O-04、C92-02、MUR1680A、MUR3040m，以及FR型和PFR型等。这些型号代表不同的制造商和规格，每种都有特定的参数，如最大反向电压、额定电流、反向恢复时间等，这些参数可以在产品数据表...

mur2x100a12.pdf

04-07

GeneSiC 是专注于研发、制造、销售采用 SiC 半导体为基体的优质、高性能和高温度元件。SiC半导体技术对于大功率和/或恶劣环境应用具有非常显著的优势。 GeneSiC与象DOD和能源部有着持续合作，积累了丰富的经验，从而...

MUR_系列二极管

10-24

MUR_系列二极管是一类广泛应用于电源转换、整流等领域的快速恢复二极管。该系列涵盖了多种电压等级与电流规格的产品，适用于不同工作条件的需求。本文将重点介绍MUR405至MUR4100型号的特性与应用。 ### 主要特性 #...

Python库 | py_gen_mur-1.0.1-py3-none-any.whl

04-25

资源分类：Python库所属语言：Python 使用前提：需要解压资源全名：py_gen_mur-1.0.1-py3-none-any.whl 资源来源：官方安装方法：https://lanzao.blog.csdn.net/article/details/101784059

基于单片机的瓦斯浓度检测报警装置的设计与仿真

weixin_45905610的博客

08-08

718

针对煤矿安全生产实际，文章首先介绍了采用单片机的煤矿瓦斯浓度检测报警装置的整体构架，然后对煤矿瓦斯浓度检测报警装置的各个部分硬件进行了详细的设计，给出了煤矿瓦斯浓度检测报警装置的硬件设计电路和软件设计框图，最后使用 Proteus 软件验证设计内容的正确性和可行性，证明了基于单片机的便携式煤矿瓦斯浓度检测报警装置在煤矿安全生产中具有一定的实际应用价值。

江科大/江协科技 STM32学习笔记P20

sususu_2001的博客

08-07

762

编码器接口的初始化，第一步，RCC开启时钟，开启GPIO和定时器的时钟，第二步，配置GPIO，这里把PA6和PA7配置成输入模式，第三步，配置时基单元，这里预分频器选择不分频，自动重装寄存器给最大65535，第四步，配置输入捕获单元，只有滤波器和极性选择有用，第五步，配置编码器接口模式，最后，调用TIM_Cmd，启动定时器。

基于单片机的智能空气净化系统

最新发布

weixin_45905610的博客

08-09

484

设计了一种基于单片机的智能空气净化系统。通过传感器实时采集空气中PM2.5、甲醛等有害健康物质的浓度，将各项数据显示到液晶显示屏，当浓度超过设置的警戒值时，控制蜂鸣器发出警报。根据浓度大小控制空气净化器电机转速，实现空气净化器的智能控制，空气质量差时，实现快速空气净化；空气质量好时，能省电降低噪音。实验表明，该系统对清除室内空气污染物质、提高室内空气质量有良好的效果。

24年电赛——自动行驶小车（H题）基于 CCS Theia -陀螺仪 JY60 代码移植到 MSPM0G3507（附代码）

汘荨的博客

08-02

1087

只要搞懂 M0 的代码结构和 CCS 的图形化配置方法，代码移植就会变的很简单。因为本次电赛的需要，正好陀螺仪部分代码的移植是我完成的。（末尾附全部代码）

推导mur一阶吸收边界条件

05-31

首先，我们需要知道什么是Mur一阶吸收边界条件。Mur一阶吸收边界条件是一种常用于时域有限差分方法中的边界条件，用于模拟电磁波在无限大空间中传播时的边界情况。假设我们的仿真区域是一个正方形，其中一个边界面（假设为x方向）的位置为x=0，我们需要将这个边界面视为吸收边界，即电磁波在这个边界面上的反射应该被尽可能吸收。 Mur一阶吸收边界条件可以通过以下步骤推导得到： 1. 首先，我们需要将边界面上的电磁场分解为两个方向，垂直于边界面的电磁场（假设为Ey）和平行于边界面的电磁场（假设为Ez）。 2. 然后，我们需要在边界面上引入一个虚拟面（假设为x=-dx/2），在这个虚拟面上，我们需要将垂直于边界面的电磁场（Ey）反射回来。 3. 接下来，我们需要在虚拟面上引入一个反射系数（假设为R1），用来控制反射电磁波的振幅大小。 4. 然后，我们需要在虚拟面与边界面之间再引入一个虚拟面（假设为x=-dx），在这个虚拟面上，我们需要将平行于边界面的电磁场（Ez）反射回来。 5. 同样地，我们需要在这个虚拟面上引入一个反射系数（假设为R2），用来控制反射电磁波的振幅大小。 6. 最后，我们需要对边界面上的电磁场进行修正，使得边界面上的电磁波在经过反射之后，相当于在虚拟面上产生了吸收。通过这样的推导过程，我们可以得到Mur一阶吸收边界条件的具体表达式。